光磁电效应和霍尔效应的异同
光磁电效应和霍尔效应的异同虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。体现在三个方面：1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料有Ge、InSb、InAs、PbS、CdS等。......阅读全文
光磁电效应和霍尔效应的异同
光磁电效应和霍尔效应的异同虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。体现在三个方面：1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。利用光磁电效应可制成半导体
光磁电效应和霍尔效应的异同
虽然，光磁电效应与霍尔效应相似，但是它们是不同的效应。体现在三个方面，1）光磁电效应中在磁场作用下移动的是电子空穴对，而霍尔效应中移动的是自由电子。2）针对材料不同，一个是半导体材料，一个是导体材料。3）使用情形也不一样，一个需要光照，一个不需要。利用光磁电效应可制成半导体红外探测器。这类半导体材料
光磁电效应的概念
光磁电效应，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。
光磁电效应的概念
光磁电效应，Photo-Magneto-Electric Effects （PME Effects ）光磁电效应是指在垂直于光束照方向施加外磁场时半导体两侧面间产生电位差的现象。
光磁电效应的技术原理
光磁电效应，为1931年提出的一条物理学理论，即在垂直光照方向上（z向）再加一磁场，则在半导体的两侧端面间产生电位差，称为光磁电效应。光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的电位差和横
光磁电效应的技术原理
光磁电效应，为1931年提出的一条物理学理论，即在垂直光照方向上（z向）再加一磁场，则在半导体的两侧端面间产生电位差，称为光磁电效应。光磁电效应的机制是光照射到半导体表面后生成非平衡载流子的浓度梯度，使载流子产生定向扩散速度，磁场作用在载流子上的洛仑兹力使正负载流子分离，形成端面电荷累积的电位差和横
磁光效应和光磁效应的概念
磁光效应克尔磁光效应的最重要应用就是观察铁磁材料中难以捉摸的磁畴。因不同磁畴区的磁化强度的不同取向使入射偏振光产生方向、大小不同的偏振面旋转，再经过检偏器后就出现了与磁畴相应的明暗不同的区域。利用现代技术,不但可进行静态观察,还可进行动态研究。这些都导致一些重要发现和关于磁畴、磁学参数的有效测量。光
室温非线性霍尔效应
最新Nature Nanotechnology：室温非线性霍尔效应 几何相位和拓扑之间的紧密联系使得基于霍尔效应的现象已成为现代材料和物理学的主要研究重点之一，这促使了人们对物质拓扑态的探索和许多相应实际应用的开发。在线性响应方式下，霍尔电导率需要通过磁化或外部磁场来打破时间反演对称性。但最近
正常塞曼效应和反常塞曼效应
在正常塞曼效应中,每条谱线分裂为3条分线,中间1条为π组分,其频率不受磁场的影响;其他两条称为组分,其频率与磁场强度成正比。在反常塞曼效应中,每条谱线分裂为3条分线或更多条分线,这是由谱线本身的性质所决定的。反常塞曼效应,是原子谱线分裂的普遍现象,而正常塞曼效应仅仅是假定电子自旋动量矩为零,原子只有
波克尔斯效应和克尔效应的区别
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于：波克尔斯效应是与电场大小成正比，而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
波克尔斯效应和克尔效应的区别
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于：波克尔斯效应是与电场大小成正比，而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
波克尔斯效应和克尔效应的区别
波克尔斯效应和克尔效应的区别在于：波克尔斯效应是与电场大小成正比，而克尔效应则是与电场大小的平方成比例的。
反常霍尔效应研究取得进展
反常霍尔效应是最基本的电子输运性质之一。虽然反常霍尔效应早在1881年就被Edwin Hall发现，但其微观机制的建立却经历了一百余年的漫长历程。本世纪初，牛谦等人的理论工作揭示了反常霍尔效应的内禀机制与材料能带结构的贝里曲率有关，并得到了广泛的实验支持，反常霍尔效应也因此成为当今凝聚态物理研究
霍尔效应测试仪简介
霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 霍尔效应测试仪介绍 该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体
诱导效应与共轭效应的异同
（1）不同之处 诱导效应：存在σ键中；通过原子间电负性的差异而导致键的极性改变使整个分子电子云发生移动；是短距离效应，一般有3个碳原子后基本消失；极化变化是单一方向。 共轭效应：存在于共轭体系中；通过π电子的运动，沿着共轭链传递；强度一般不因共轭链的长度而受影响，属长距离电子效应；极性交替出
微波辐射之热效应和非热效应
微波辐射对人体的危害分为「热效应」和「非热效应」二大方面。热效应人体 70% 以上是水，水分子受到电磁波辐射后相互摩擦，引起机体升温，从而影响到体内器官的正常工作。体温升高引发各种症状，如心悸、头胀、失眠、心动过缓、白细胞减少，免疫功能下降、视力下降等。产生热效的电磁波功率密度在 10MW/cm²；
Caspase级联反应和效应caspase
所谓的效应caspase,指的是Caspase 3, 6和7这些能引起细胞的程序性死亡的蛋白酶。一方面它们通过有限的蛋白质水解酶激活下游的目标蛋白（如Caspase激活的脱氧核糖核酸酶, CAD,或是其他的Caspase）。另一方面它们参与核纤肽（在细胞膜上）和肌动蛋白（细胞骨架的成分）的分解过程。
霍尔效应实验仪的性能特点
1. 把励磁电流、霍尔传感器工作电流和霍尔电压接口采用不同规格的插座和专用连接线，接线互换是插不到插座中的，完全消除了接线错误的可能性，防止损坏霍尔片和设备确保仪器安全。 2. 励磁电流、霍尔传感器的工作电流换向均用继电器控制，取代了过去传统的双刀双掷开关，最大的优点是大大提高了仪器的可靠性，
关于霍尔效应实验仪的概述
霍尔效应实验仪可形象地观察到霍尔电势的产生、了解霍尔传感器的道理。线圈的励磁电流、霍尔传感器的工作电流换向可用闸刀控制，也可选用继电器控制。继电器取代双刀双掷开关，大大提高了仪器的可靠性，减少故障。FB510 A 型霍尔效应实验仪用亥姆霍兹线圈或螺线管产生稳恒磁场，线圈的励磁电流、霍尔传感器的
甘露糖的生理效应和代谢途径
生理效应甘露糖，唯一用于在临床上的糖质营养素，广泛分布于体液和组织中，尤其是在神经、皮肤、睾丸、视网膜、肝和肠。其直接被利用合成糖蛋白，参与免疫调节。许多疾病正是由于缺乏甘露糖糖化作用中的酵素而导致的。其在人体内生理效应如下：1）调节免疫系统2）巨噬细胞表面有4种接受器可以捕捉抗原，都有甘露糖成分3
FeSe单晶的高压霍尔效应研究获进展
费米面拓扑结构及其与磁性的相互关联，被认为是理解铁基高温超导机理的关键。大多数FeAs基高温超导体的能带结构包含位于布里渊区中心的空穴型费米面和位于布里渊区顶角的电子型费米面，因此，空穴和电子费米面之间的散射被普遍认为是铁基超导电子配对的重要机制。但是，在FeSe基高温超体系中，包括AxFe2-
霍尔效应测试仪的主要特点
1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵
FeSe单晶的高压霍尔效应研究获进展
费米面拓扑结构及其与磁性的相互关联，被认为是理解铁基高温超导机理的关键。大多数FeAs基高温超导体的能带结构包含位于布里渊区中心的空穴型费米面和位于布里渊区顶角的电子型费米面，因此，空穴和电子费米面之间的散射被普遍认为是铁基超导电子配对的重要机制。但是，在FeSe基高温超体系中，包括AxFe2-
霍尔效应测试仪的技术参数
1、变温，常温和液氮温度(77K)下测量； 阻抗:10-6 to 107 载流子浓度(cm-3):107 -1021 2、样品夹具： 弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 3、测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型
压电效应和拓扑量子相变
近期，美国宾夕法尼亚州立大学刘朝星教授课题组从理论上提出压电响应的突变可以表征一系列二维拓扑相变,从而第1次揭示了压电系数和拓扑相变间的关系。相关成果以“Piezoelectricity and Topological Quantum Phase Transitions in Two-Dime
小硬盘中的大发现：“巨磁电阻”效应
体积越来越小，容量越来越大——在如今这个信息时代，存储信息的硬盘自然而然被人们寄予了这样的期待。得益于“巨磁电阻”效应这一重大发现，最近20多年来，我们开始能够在笔记本电脑、音乐播放器等所安装的越来越小的硬盘中存储海量信息。瑞典皇家科学院10月9日宣布，将2007年诺贝尔物理学奖授予法国科学家阿尔贝
超声波焊接机的热效应和化学效应介绍
热效应 由于超声波频率高，能量大，被介质吸收时能产生显著的热效应。 化学效应 超声波的作用可促使发生或加速某些化学反应。例如纯的蒸馏水经超声处理后产生过氧化氢；溶有氮气的水经超声处理后产生亚硝酸；染料的水溶液经超声处理后会变色或退色。这些现象的发生总与空化作用相伴随。超声波还可加速许多化学
X射线光谱仪的吸收效应和增强效应
吸收效应和增强效应，曲线a表示氢元素中重元素的X射线和含量的关系，种元素的分析光谱受轻元素发生的吸收效应较小，所以在低含量范围，重元素的X射线强度随含量的增加而迅速上升，重元素含量很高以后曲线的斜率就变小了；曲线b时分析由原子序数相近的元素所构成的样品时所得到曲线，待测元素自身吸收稍大于其他共存
霍尔效应传感器的基本参数
标准额定值IPN和额定输出电流ISN IPN指电流传感器所能测试的标准额定值，用有效值表示（A.r.m.s），IPN的大小与传感器产品的型号有关。 ISN指电流传感器额定输出电流，一般为100~400mA，某些型号可能会有所不同。 传感器供电电压VA VA指电流传感器的供电电压，它必须在
使用霍尔效应实验仪的注意事项
1、霍尔传感器各电极引线与对应的电流换向开关(本实验仪器采用按钮开关控制的继电器)的连线已由制造厂家连接好，实验时不必自己连接。 2、霍尔片性脆易碎，电极甚细易断，严防撞击或用手去摸，否则容易损坏!霍尔片放置在亥姆霍兹线圈中间，在需要调节霍尔片位置时，亦需要小心谨慎。 3、二维(或一维)移动