静态磁场法拉第旋转光谱研究取得新进展
近日，中科院合肥研究院安光所高晓明研究员团队在静态磁场法拉第旋转光谱研究方面取得新进展，相关研究成果以《基于环形阵列永磁体的法拉第旋转光谱NO2传感器》为题发表在国际TOP期刊Analytical Chemistry上。 法拉第旋转光谱（FRS）通过检测沉浸在外部纵向磁场中的气体介质所引起的线偏振光偏振状态的变化，从而实现对基态或上电子态具有磁偶极矩的顺磁性分子的高灵敏度检测。该光谱检测方法对水汽、CO2等抗磁性分子具有天然的免疫力，这使得其表现出高度的样品特异性。同时，由于采用了一对相互接近正交的偏振器极大抑制了激光噪声，法拉第旋转光谱具有非常高的检测灵敏度。 目前法拉第旋转光谱信号主要由螺线管线圈产生的交流磁场调制样品吸收线的塞曼分裂而产生。针对正弦电磁场在激发磁光效应时所存在的高功耗、电磁干扰、产生大量焦耳热等缺陷，团队刘锟研究员，博士后曹渊等人提出了一种基于稀土永磁体的静态磁场法拉第旋转光谱传感装置。研究团......阅读全文
静态磁场法拉第旋转光谱研究取得新进展
近日，中科院合肥研究院安光所高晓明研究员团队在静态磁场法拉第旋转光谱研究方面取得新进展，相关研究成果以《基于环形阵列永磁体的法拉第旋转光谱NO2传感器》为题发表在国际TOP期刊Analytical Chemistry上。 法拉第旋转光谱（FRS）通过检测沉浸在外部纵向磁场中的气体介质所引起
强磁场科学中心研制出固体核磁共振静态探头
近期，强磁场科学中心王俊峰研究员课题组毛文平博士研制出了一种600MHz固体双共振静态探头。 固体核磁共振(NMR)能够原位测定具有原子分辨率的分子结构和动力学信息，在材料表征、多相催化和结构生物学等领域有重要应用。强磁场有助于提高NMR检测灵敏度和谱图分辨率，但同时对探头设计也提出新的挑战：
法拉第效应简介
线偏振光透过放置磁场中的物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中，法拉第旋转（用旋转角θF表示）和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB,V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。因为磁场下电子的运动总附加有右旋
法拉第效应的定义
在物理学里，法拉第效应（又叫法拉第旋转，磁致旋光）是一种磁光效应（magneto-optic effect），是在介质内光波与磁场的一种相互作用。法拉第效应会造成偏振平面的旋转，这旋转与磁场朝着光波传播方向的分量呈线性正比关系。
法拉第效应的概念
在物理学里，法拉第效应（又叫法拉第旋转，磁致旋光）是一种磁光效应（magneto-optic effect），是在介质内光波与磁场的一种相互作用。法拉第效应会造成偏振平面的旋转，这旋转与磁场朝着光波传播方向的分量呈线性正比关系。
法拉第效应的分类
描述物体磁性强弱程度的一个重要物理量是磁化强度矢量M，即单位体积内各个磁畴磁矩的矢量和。磁化强度M与磁场强度H的关系表示为：M =χH式中 χ 为物体的磁化率。按照物质磁化率 χ 的大小和符号、物质磁性来源和磁结构特性，物质磁性可分为抗磁性、顺磁性、铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性五大类，下面分别简述五大
什么是法拉第效应？
线偏振光透过放置磁场中的物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中，法拉第旋转（用旋转角θF表示）和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB,V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。因为磁场下电子的运动总附加有右旋
FASEB J：静态磁场可以促进3D打印的钛支架介导的骨修复
自从2016年发现3D打印（3DP）的多孔钛支架以来，科学界一直在探索提高它们刺激骨生成或者骨重塑能力的方法。近日一项发表在《The FASEB Journal》上的文章发现使用静态磁场（Static Magnetic Field，SMF）刺激3DP支架可以在体内外激活人骨来源的间充质干细胞（h
法拉第效应的应用介绍
法拉第效应可以应用于测量仪器。例如，法拉第效应被用于测量旋光度、或光波的振幅调变、或磁场的遥感。在自旋电子学里，法拉第效应被用于研究半导体内部的电子自旋的极化。法拉第旋转器（Faraday rotator）可以用于光波的调幅，是光隔离器与光循环器（optical circulator）的基础组件，在
法拉第效应的概念和应用
线偏振光透过放置磁场中的物质，沿着磁场方向传播时，光的偏振面发生旋转的现象。也称法拉第旋转或磁圆双折射效应,简记为MCB。一般材料中，法拉第旋转（用旋转角θF表示）和样品长度l、磁感应强度B有以下关系 θF=VlB,V是与物质性质、光的频率有关的常数,称为费尔德常数。因为磁场下电子的运动总附加有右旋
法拉第效应的实验方法
法拉第效应是磁场引起介质折射率变化而产生的旋光现象，实验结果表明，光在磁场的作用下通过介质时，光波偏振面转过的角度（磁致旋光角）与光在介质中通过的长度L及介质中磁感应强度在光传播方向上的分量B成正比，即： [2] θ=VBL式中V称为费尔德常数，它表征物质的磁光特性。几种材料的费尔德常数值如下表。法
法拉第电解定律的原理介绍
它又分为两个子定律，即法拉第第一定律和法拉第第二定律。 第一定律 第一定律即为在电极界面上发生化学变化物质的质量与通入的电量成正比。 法拉第第一定律法拉第的研究表明，对单个电解池而言，在电解过程中，阴极上还原物质析出的量与所通过的电流强度和通电时间成正比。当我们讨论的是金属的电沉积时，用公
静态破碎剂
随着膨胀压力的增大, 岩石的破碎发展过程如下: 裂缝的发生、发展、张开幅度的增大, 这是与普通炸药破岩机理的区别。假设在无限大的弹性体内有一孔, 该孔半径 , 内壁作用压力, 此时任意半径处的径向拉伸应力 、切向拉伸应力。当拉伸应力超过被破碎体的抗拉强度时,被破碎体便产生裂纹进而导致破碎。由于破碎剂
磁强计的磁场和磁场感应强度相关介绍
磁场 磁场是一种看不见，而又摸不着的特殊物质，它具有波粒的辐射特性。磁体周围存在磁场，磁体间的相互作用就是以磁场作为媒介的。电流、运动电荷、磁体或变化电场周围空间存在的一种特殊形态的物质。由于磁体的磁性来源于电流，电流是电荷的运动，因而概括地说，磁场是由运动电荷或电场的变化而产生的。. 磁感
法拉第电解定律的历史意义
法拉第电解定律是电化学中的重要定律，在电化生产中经常用到它。历史上，法拉第电解定律曾启发物理学家形成电荷具有原子性的概念，这对于导致基本电荷e的发现以及建立物质的电结构理论具有重大意义。在R.A.密立根测定电子的电荷e以后，曾根据电解定律的结果计算阿伏伽德罗常数No。
光隔离器的技术原理
光隔离器的隔离度高、低插损；高可靠性、高稳定性；极低的偏振相关损耗和偏振模色散。主要是利用磁光晶体的法拉第效应。法拉第效应是法拉第在1845年首先观察到不具有旋光性的材料在磁场作用下使通过该物质的光的偏振方向发生旋转，也称磁致旋光效应。沿磁场方向传输的偏振光，其偏振方向旋转角度θ和磁场强度B与材料
扇形磁场质谱仪
质谱仪由离子源、质量分析器及离子检测器三部分组成。其中 质量分析器采用扇形均匀磁场进行聚焦的单聚焦质谱仪称扇 形磁场质谱仪。它是静态仪器的一种，其磁场稳定，按偏转半 径不同而把不同质荷比的离子区分开。依据扇形磁场角度不 同分为b(>0 , 900 .120，和18f10四种。小型仪器的扫描方式采
塞曼效应仪相关解释
塞曼效应是指原子在外磁场中发光谱线发生分裂且偏振的现象；历史上首先观测到并给予理论解释的是谱线一分为三的现象，后来又发现了较三分裂现象更为复杂的难以解释的情况，因此称前者为正常或简单塞曼效应，后者为反常或复杂塞曼效应。 荷兰物理学家塞曼在1896年发现把产生光谱的光源置于足够强的磁场中，
塞曼效应仪详细内容
塞曼效应，英文：Zeeman effect，是1896年由荷兰物理学家塞曼发现的。他发现，原子光谱线在外磁场发生了分裂。随后洛仑兹在理论上解释了谱线分裂成3条的原因。这种现象称为“塞曼效应”。进一步的研究发现，很多原子的光谱在磁场中的分裂情况非常复杂，称为反常塞曼效应。完整解释塞曼效应需要用到量
塞曼效应的起源和历史
塞曼效应,英文:Zeeman effect,是1896年由荷兰物理学家塞曼发现的。他发现,原子光谱线在外磁场发生了分裂。随后洛仑兹在理论上解释了谱线分裂成3条的原因。这种现象称为“塞曼效应”。进一步的研究发现,很多原子的光谱在磁场中的分裂情况非常复杂,称为反常塞曼效应。完整解释塞曼效应需要用到量子力
法拉第磁旋转光谱高灵敏度检测痕量二氧化氮研究获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院安徽光学精密机械研究所副研究员刘锟与美国Rice大学教授Frank Tittel合作，在法拉第磁旋转光谱高灵敏度检测痕量二氧化氮（NO2）研究方面取得新进展，相关研究工作以Development of a mid-infrared nitrogen dioxid
法拉第效应的测量方法和应用
法拉第效应可以应用于测量仪器。例如，法拉第效应被用于测量旋光度、或光波的振幅调变、或磁场的遥感。在自旋电子学里，法拉第效应被用于研究半导体内部的电子自旋的极化。法拉第旋转器（Faraday rotator）可以用于光波的调幅，是光隔离器与光循环器（optical circulator）的基础组件，在
法拉第效应的实验原理和计算方式
法拉第效应是磁场引起介质折射率变化而产生的旋光现象，实验结果表明，光在磁场的作用下通过介质时，光波偏振面转过的角度（磁致旋光角）与光在介质中通过的长度L及介质中磁感应强度在光传播方向上的分量B成正比，即： [2] θ=VBL式中V称为费尔德常数，它表征物质的磁光特性。几种材料的费尔德常数值如下表。法
静态热技术介绍
中文名称静态热技术英文名称static thermal technique定 义在恒定温度下，测量物质的物理性质与时间关系的分析技术。应用学科机械工程（一级学科），分析仪器（二级学科），热学式分析仪器-热学式分析仪器分析原理（三级学科）
静态应变仪简介
静态应变仪指在非破坏的情况下，对结构的荷载及材料的变形等非电量进行电测的仪器。基本结构由测量电桥、交流放大器、相敏检波器、平衡指示器、振荡器、电源以及转换箱等组成。这类仪器可用来测量矿山压力、材料变形以及工程结构件的应力和应变。用钻孔卸除应力法可以测量围岩的应力状态。
真空静态容量法
比表面积及孔径分析仪/比表面积及孔径检测仪/全自动气体吸附仪 型号：HAD-SSA-4200分析原理HAD-SSA-4200型比表面积及孔径分析仪采用国际通用的等温物理吸附静态容量法，全程计算机自动控制，无需人工监测。可同时进行两个样品的分析，测试软件分析模型基于BET多层吸附理论、Langmuir
TMA的静态法
静态热—力法是对物质施加一定的负荷，测定其形变大小的方法。最初采用针入度法，用针状压杆触及试样，并施加负荷，随着温度上升到某一温度时，针状压杆急剧变动，此温度即作为试样的软化温度点。如果在棒、膜或丝状试样的延伸方向施以力偶使之旋转，可以测定因温度变化而引起的模量变化。采用拉伸法，也可以测定薄膜、纤维
磁场低温探针台
磁场低温探针台是一种用于物理学领域的计量仪器，于2017年3月6日启用。 技术指标 1、 ±2.5T垂直磁场 2、 10K基础温度，温度范围：10K-500K 3、 制冷方式：闭循环制冷，不需要消耗液氦 4、 控温稳定性：优于±200mK 5、 探针臂X方向可移动距离不小于51mm
武汉国家脉冲强磁场科学中心：磁场为什么这样强
武汉国家脉冲强磁场科学中心科研人员正在绕制磁体。 “武汉国家脉冲强磁场科学中心已跻身国际领先的脉冲强磁场设施”——前不久，由美国、德国、法国、日本、荷兰的国家强磁场实验室主任以及强磁场领域方向的21位权威专家组成的评估专家组，对武汉国家脉冲强磁场科学
静态破碎剂的分析
该模型的应力强度因子为:K1 = Fq ( t) π( a + R) (1)式中: a —单边裂纹长度; F —影响系数。随着裂纹的不断扩展, 圆孔的影响程度越来越小, 上述模型可简化为裂纹表面受均布荷载的断裂模型。该模型的应力强度因子为:K1 =2q( t)ππ( a + R) ·sin- 1 -