超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。 如同巨磁阻效应(GMR)，超巨磁阻材料亦被认为可应用于高容量磁性储存装置的读写头。不过，由于其相变温度较低，不像巨磁阻材料可在室温下展现其特性，因此离实际应用尚需一些努力。......阅读全文
超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。 如同
巨磁阻的概念
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的
常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发
磁阻效应的概念
磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义:是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时,由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用,产生了磁阻效应。
异向磁阻的概念
异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。
穿隧磁阻效应的概念
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于19
磁阻效应的分类
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等常磁阻(OrdinaryMagnetor
单分子器件电子输运通道调控及其巨磁阻效应研究获进展
信息技术的成功发展离不开电子学器件的小型化。对器件小型化的追求促使了人们对单分子器件的研究和理解，以求最终实现以单分子为基本单元构筑电路。单分子器件已经成了在纳米尺度研究各种有趣物理现象和机制的平台。在原子尺度上对单个原子/分子的量子态实现精确操纵以及对其物性实现可控调制一直是凝聚态物理及其应用
磁阻效应的主要种类
磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等。
中国科大在二维纳米材料巨磁阻效应研究中取得进展
近日，中国科学技术大学谢毅教授团队、吴长征教授课题组与曾晓成教授、中国科学院强磁场科学中心研究组合作，通过阴离子固溶技术实现了二维纳米材料的自旋和能带结构的本征调控，获得了目前二维纳米材料中最高的负磁电阻效应，该现象的发现有可能推动二维材料在自旋电子器件的进展。该成果发表在10月6日的Physi
磁阻效应的应用
磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。其中最典型的锑化铟（I
基因超表达的概念
超表达是指目的基因的全长序列与高活性组成型启动子或组织特异性启动子融合，通过转化，获得该基因产物大量积累的植株。
磁阻效应的发展经历
材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（MR）。磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。
磁阻效应的实验原理
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向
什么叫做磁阻效应
1、磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。2、霍耳传感器它将霍耳元件固定于弹性敏感元件上，在压力的作用下霍耳元件随弹性敏
超氧阴离子的概念
超氧阴离子：人体内有一定数量的存在，不发生化学变化对人体无害，但与羟基（—OH）结合后的产物会导致细胞DNA损坏，破坏人类机体功能。中文名超氧阴离子外文名superoxide anion消除方法观光木的叶片挥发油释 义不发生化学变化对人体无害
体细胞超变的概念
中文名称体细胞超变英文名称somatic hypermutation定 义在体细胞中出现的高频突变。应用学科遗传学（一级学科），细胞遗传学（二级学科）
2007年诺贝尔物理学奖揭晓
法德两国科学家因发现巨磁电阻现象分享该奖 北京时间10月9日下午5点45分，2007年诺贝尔物理学奖揭晓，法国国家科学研究中心（CNRS）的物理学家Albert Fert和德国于利希研究中心的物理学家Peter Grünberg因发现巨磁电阻（Giant Magnetoresistance）现象而获
超流体的概念和典型物质
超流体是一种物质状态，特点是完全缺乏黏性。如果将超流体放置于环状的容器中，由于没有摩擦力，它可以永无止尽地流动。例如液态氦在2.17 K以下时，内摩擦系数变为零，液态氦可以流过半径为十的负五次方厘米的小孔或毛细管，这种现象叫做超流现象(Superfluidity)，这种液体叫做超流体(Superfl
关于三氧化二铁的磁性材料的应用介绍
磁性氧化铁粒子由于其特殊的超顺磁性，在巨磁电阻、磁性液体和磁记录、软磁、永磁、磁致冷、巨磁阻抗材料以及磁光器件、磁探测器等方面具有广阔的应用前景。录像磁带一般使用针状铁或氧化铁磁性超微粒，而纳米氧化铁是新型磁记录材料。软磁铁氧体在无线电通讯、广播电视、自动控制、宇宙航行、雷达导航、测量仪表、计算
理化所提出“超铺展”概念
近日，中国科学院院士、中科院理化技术研究所研究员江雷和研究员田野团队在Accounts of Chemical Research上，以Bioinspired superspreading surfaces: from essential mechanism to application为题，发表
双人超净工作台的概念介绍
实验台概念：是进行理化生实验所需要使用的平台。另有中央实验台、通风柜、药品柜等。通风柜的主要功能：通风柜的功能中主要的是排气功能，在化学实验室中，实验操作时产生各种有害气体、臭气、湿气以及易燃、易爆、腐蚀性物质，为了保护使用者的安全，防止实验中的污染物质向实验室扩散，在污染源附近要使用通风柜，以往通
石墨烯呈现创纪录高磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498393.shtm 科技日报北京4月12日电 （记者张佳欣）据最新一期《自然》杂志上发表的论文，英国曼彻斯特大学研究人员报告了在环境条件下石墨烯中出现的创纪录的高磁阻。 在磁场下能强烈改变电阻率
“超吸收”量子电池概念得到验证
据近日发表在《科学进展》杂志上的论文，澳大利亚阿德莱德大学的研究人员及其海外合作伙伴在使量子电池成为现实的过程中迈出了关键一步。他们成功地证明了超吸收的概念，这是支撑量子电池的关键思想。 研究人员介绍说，超吸收是一种适用于量子技术的复杂科学理论，它表示一种量子集体
“超吸收”量子电池概念得到验证
据近日发表在《科学进展》杂志上的论文，澳大利亚阿德莱德大学的研究人员及其海外合作伙伴在使量子电池成为现实的过程中迈出了关键一步。他们成功地证明了超吸收的概念，这是支撑量子电池的关键思想。 研究人员介绍说，超吸收是一种适用于量子技术的复杂科学理论，它表示一种量子集体效应，分子状态之间的转变会
完全抗原，半抗原和超抗原的概念区别
完全抗原：同时具有免疫原性和抗原性的抗原，又称免疫原。半抗原：仅具备抗原性而无免疫原性的抗原，如某些寡糖、类脂和药物等。超抗原：能非特异激活多克隆T细胞并能刺激其分泌大量细胞因子的抗原。
磁敏免疫分析（MI）基本原理
磁敏免疫分析（MI）基本原理：通过分子靶标绑定方法，将纳米级导磁铁珠（免疫磁珠）与待测蛋白抗体结合并固化于巨磁阻（GMR, Giant Magneto Resistance） 芯片表面，基于GMR芯片的巨磁阻效应，芯片表面的免疫磁珠会剧烈影响GMR的原态电阻，根据GMR电阻变化率实现定量测定样本中待
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（三）
五、TMR磁传感器产品在各个领域中的实际应用TMR磁传感器产品的应用非常广泛，包括工业控制、金融器具、生物医疗、消费电子、汽车领域等，其典型特征是低功耗、小尺寸、高灵敏度。1、在流量计领域中，智能水表、智能热量表一般都采用电池供电，因此对传感器的功耗要求非常苛刻。当前水表方案采用干簧管、低功耗霍尔器
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（二）
5、抗干扰性——很多领域里传感器的使用环境没有任何评比，就要求传感器本身具有很好的抗干扰性。包括电子罗盘、金融磁头等。（1）电子罗盘：大多数电路板产生的杂散磁场为地磁场的50倍以上；（2）金融磁头：内部的各种电机产生的磁场的强度为磁性油墨磁场的50倍以上；（3）POS机磁头：手机信号的磁场为磁头磁场
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（一）
一、概述1、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻（Magnetoresistance）。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、异