常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发现，但是在一般材料中，电阻的变化通常小于5%，这样的效应后来被称为“常磁阻”......阅读全文
常磁阻的概念
常磁阻(OrdinaryMagnetoresistance,OMR)对所有非磁性金属而言，由于在磁场中受到洛伦兹力的影响，传导电子在行进中会偏折，使得路径变成沿曲线前进，如此将使电子行进路径长度增加，使电子碰撞机率增大，进而增加材料的电阻。磁阻效应最初于1856年由威廉·汤姆森，即后来的开尔文爵士发
巨磁阻的概念
巨磁阻(GiantMagnetoresistance,GMR)所谓巨磁阻效应，是指磁性材料的电阻率在有外磁场作用时较之无外磁场作用时存在巨大变化的现象。巨磁阻是一种量子力学效应，它产生于层状的磁性薄膜结构。这种结构是由铁磁材料和非铁磁材料薄层交替叠合而成。当铁磁层的磁矩相互平行时，载流子与自旋有关的
磁阻效应的概念
磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义:是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时,由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用,产生了磁阻效应。
异向磁阻的概念
异向磁阻(Anisotropicmagnetoresistance,AMR)有些材料中磁阻的变化，与磁场和电流间夹角有关，称为异向性磁阻效应。此原因是与材料中s轨域电子与d轨域电子散射的各向异性有关。由于异向磁阻的特性，可用来精确测量磁场。
超巨磁阻的概念
超巨磁阻(ColossalMagnetoresistance,CMR)超巨磁阻效应（也称庞磁阻效应）存在于具有钙钛矿(Perovskite)ABO3的陶瓷氧化物中。其磁阻变化随着外加磁场变化而有数个数量级的变化。其产生的机制与巨磁阻效应(GMR)不同，而且往往大上许多，所以被称为“超巨磁阻”。 如同
穿隧磁阻效应的概念
穿隧磁阻效应(Tunnel Magnetoresistance,TMR)穿隧磁阻效应是指在铁磁-绝缘体薄膜(约1纳米)-铁磁材料中，其穿隧电阻大小随两边铁磁材料相对方向变化的效应。此效应首先于1975年由MichelJulliere在铁磁材料(Fe)与绝缘体材料(Ge)发现；室温穿隧磁阻效应则于19
常染色质的概念和特征
常染色质是指间期细胞核内染色质纤维折叠压缩程度低，相对处于伸展状态，用碱性染料染色时着色浅的那些染色质。在常染色质中，DNA组装比为1/2 000~1/1 000，即DNA实际长度为染色质纤维长度的1 000~2 000倍。构成常染色质的DNA主要是单一序列DNA和中度重复序列DNA。常染色质并非所
磁阻效应的应用
磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域。磁阻器件由于灵敏度高、抗干扰能力强等优点在工业、交通、仪器仪表、医疗器械、探矿等领域得到广泛应用，如数字式罗盘、交通车辆检测、导航系统、伪钞检别、位置测量等。其中最典型的锑化铟（I
磁阻效应的分类
若外加磁场与外加电场垂直，称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行，称为纵向磁阻效应。一般情况下，载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关，则纵向磁感强度不引起载流子偏移，因而无纵向磁阻效应。磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等常磁阻(OrdinaryMagnetor
磁阻效应的主要种类
磁阻效应主要分为：常磁阻，巨磁阻，超巨磁阻，异向磁阻，穿隧磁阻效应等。
磁阻效应的发展经历
材料的电阻会因为外加磁场而增加或减少，则称电阻的变化称为磁阻（MR）。磁阻效应是1857年由英国物理学家威廉·汤姆森发现的，它在金属里可以忽略，在半导体中则可能由小到中等。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、穿隧磁阻（TMR）、直冲磁阻（BMR）和异常磁阻（EMR）。
磁阻效应的实验原理
一定条件下，导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化规律称为磁阻效应。如图1所示，当半导体处于磁场中时，导体或半导体的载流子将受洛仑兹力的作用，发生偏转，在两端产生积聚电荷并产生霍耳电场。如果霍耳电场作用和某一速度载流子的洛仑兹力作用刚好抵消，那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转，因而沿外加电场方向
假常染色体区段的概念和功能
中文名称假常染色体区段英文名称pseudoautosomal region segment定 义在人类的X和Y染色体的长臂端部及短臂远端有高度同源的DNA序列的区段，在这个区域内发生减数分裂配对和染色体互换。应用学科遗传学（一级学科），细胞遗传学（二级学科）
什么叫做磁阻效应
1、磁阻效应(Magnetoresistance Effects)的定义：是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象。金属或半导体的载流子在磁场中运动时，由于受到电磁场的变化产生的洛伦兹力作用，产生了磁阻效应。2、霍耳传感器它将霍耳元件固定于弹性敏感元件上，在压力的作用下霍耳元件随弹性敏
常染色体显性遗传病（AD）的概念和特点
常染色体显性遗传病指位于常染色体上的显性致病基因引起的疾病。人类体细胞有22对常染色体和1对性染色体。成对的常染色体的相同位点上有等位基因，他们有显性（A）和隐性（a）之分。由于决定显性性状A基因是致病基因，所以，只要带有A基因的个体都是病人，包括AA、Aa两种基因型的人，基因型aa的个体是正常的。
常染色体隐性遗传病（AR）的概念和特点
常染色体隐性遗传病（AR）常染色体隐性遗传病是指由位于常染色体上的隐性致病基因只有在纯合子时（aa）才发病，杂合子（Aa）状态时，由于正常的显性基因A的作用可以掩盖致病基因a的作用，故Aa并不发病。这种带有致病基因但不发病的个体称致病基因携带者。携带者Aa可以把a基因传给下一代。如果一对夫妇一位是a
石墨烯呈现创纪录高磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498393.shtm 科技日报北京4月12日电 （记者张佳欣）据最新一期《自然》杂志上发表的论文，英国曼彻斯特大学研究人员报告了在环境条件下石墨烯中出现的创纪录的高磁阻。 在磁场下能强烈改变电阻率
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（二）
5、抗干扰性——很多领域里传感器的使用环境没有任何评比，就要求传感器本身具有很好的抗干扰性。包括电子罗盘、金融磁头等。（1）电子罗盘：大多数电路板产生的杂散磁场为地磁场的50倍以上；（2）金融磁头：内部的各种电机产生的磁场的强度为磁性油墨磁场的50倍以上；（3）POS机磁头：手机信号的磁场为磁头磁场
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（三）
五、TMR磁传感器产品在各个领域中的实际应用TMR磁传感器产品的应用非常广泛，包括工业控制、金融器具、生物医疗、消费电子、汽车领域等，其典型特征是低功耗、小尺寸、高灵敏度。1、在流量计领域中，智能水表、智能热量表一般都采用电池供电，因此对传感器的功耗要求非常苛刻。当前水表方案采用干簧管、低功耗霍尔器
隧道磁阻技术（TMR）及其应用简介（一）
一、概述1、磁阻概念：材料的电阻会因外加磁场而增加或减少，电阻的变化量称为磁阻（Magnetoresistance）。物质在磁场中电阻率发生变化的现象称为磁阻效应。同霍尔效应一样，磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的。从一般磁阻开始，磁阻发展经历了巨磁阻（GMR）、庞磁阻（CMR）、异
常居DNA的定义
中文名称: 常居DNA英文名称: resident DNA定义:同一细胞内不同类型DNA的总称。包括细胞核DNA、质粒DNA和噬菌体DNA。
磁阻元件的阻值变化为什么受温度影响大
在图中可看到，在0～t1这区间里电阻R随温度升高而减小；在t1～t2这区间里电阻R随温度的升高而增大；在t2～t3这区间里电阻R随温度的升高而减小．在家庭电路中电压不变，电热器的电功率P=U2R，可知电阻器的发热功率与电阻成反比．在温度升到t1前，电阻R随温度的升高而减小，功率增大，温度升高更快；温
科学家揭示产生巨磁阻效应的全新物理机制
近日，记者从哈尔滨工业大学深圳校区了解到，该校教授陈晓彬团队在磁隧道结领域中取得新进展，揭示了产生巨磁阻效应的全新物理机制。相关成果发表在《物理评论快报》上。 磁阻器件在磁传感和数据存储技术中应用广泛，实现高磁阻是提高磁阻器件灵敏度的关键。半金属材料仅有一种自旋通道，用于半金属器件中可自然实现
石墨烯在室温下呈现出创纪录磁阻
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/498413.shtm石墨烯是一种从石墨中提取的二维材料，呈蜂窝状结构，已知比金刚石更坚硬，比铜更能导电。在石墨烯被发现近20年后，研究表明它是人们所知的最具磁阻的材料。现在，英国曼彻斯特大学的Andre
常染色质的定义
常染色质是染色质（由DNA、RNA和蛋白质组成）的一种松散聚集的形式，这种聚集方式在基因中大量存在，并且相应的片段通常处于活跃的转录当中（但并非必要，即常染色质部分不一定都是高表达的序列）。常染色质构成了细胞核基因组中表达最活跃的一部分。
常通舒颗粒的概述
常通舒颗粒是一种中成药，主要用于治疗习惯性便秘、老年性便秘及产后便秘。它的成分包括何首乌、当归、赤芍、火麻仁和桑椹，这些成分共同作用，有助于滋阴养血和润肠通便。
常染色质的功能
常染色质区域的基因可以被转录为信使RNA。常染色质区域非折叠的结构允许基因调控蛋白和RNA聚合酶与其上的DNA序列结合，从而开启转录过程。在转录过程中，并非所有的常染色质都会被转录，但基本上非转录的部分会折叠为异染色质以保护暂时其上不用的基因。因此细胞的活性与细胞核中的常染色质数目有直接关系。常染色
脱敏反应常采用的方法
常采用的方法有三种：注射脱敏治疗过敏原注射脱敏治疗是指用过敏原提取物进行皮内注射。脱敏注射从小剂量开始，逐渐增加剂量，以增加对过敏原的耐受性。脱敏治疗一般至少需要2～3 年，长期的注射会带来一定痛苦。舌下含服脱敏治疗舌下含服脱敏治疗是将诱发过敏的物质(如尘螨活性蛋白)制成不同浓度的脱敏液，用患者能适
常压过滤的相关介绍
此法最为简便和常用，使用玻璃漏斗和滤纸进行过滤。过滤时，把圆形滤纸或方形滤纸折叠成四层，然后将滤纸撕去一角，把滤纸撑开成圆锥体，一边为单层，一边为三层，放于漏斗内。漏斗的锥角应为60，这样滤纸可以完全贴在漏斗壁上。如果漏斗的锥角大于60，应适当改变滤纸的折叠角度，使之与漏斗的锥角相适应。然后用食
磁阻原件的阻值变化为什么受温度的影响比较大
因为它是半导体元件。常见的磁阻元件为锑化铟材料，由于它的禁带宽度低（0.18eV），所以导致它受温度的影响就大，这是半导体物理性质决定的（学过半导体物理就知道了），实验也证明如此。例如砷化镓（1.47eV）的温度系数就比硅（1.21eV）的小，这是因为它禁带宽度比硅大。