碲化铌展现下一代存储器材料前景
美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。 相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子无序排列）转变为晶态（原子紧密堆积在一起）的能力。这种变化产生了可逆的电特性，可用于存储和检索数据。近年来，二维范德华过渡金属二硫属化物已成为一种有前景的相变材料，可用于相变存储器。 虽然这一领域还处于起步阶段，但相变存储器由于其高存储密度和更快的读写能力，有望彻底改变数据存储。但与这些材料相关的复杂开关机制和制造方法，仍然给大规模生产带来了挑战。 研究人员表示，溅射是一种广泛使用的技术，涉及将材料薄膜沉积到基板上，从而能够精确控制薄膜的厚度和成分。此次新研究所沉积的碲化铌薄膜最初......阅读全文
碲化铌展现下一代存储器材料前景
美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。 相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子
磁控溅射技术应用的现状
磁控溅射技术不仅是科学研究和精密电子制造中常用的薄膜制备工艺技术，经过多年的不断完善和发展，该技术也已经成为重要的工业化大面积真空镀膜技术之一，广泛应用于玻璃、汽车、医疗卫生、电子工业等工业和民生领域。例如，采用磁控溅射工艺生产镀膜玻璃，其膜层可以由多层金属或金属氧化物祖成，允许任意调节能量通过
离子溅射仪器的技术指标
（1）样品室大小：直径120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直径57mm×厚度0.1mm； （3）样品台：可以装载12个SEM样品座，高度可调范围为50mm； （4）溅射控制：程序化数字控制，最大电流40mA； （5）溅射头：低电压平面磁
磁控溅射技术的工艺历史发展
1852年，格洛夫发现了阴极溅射，由于该方法要求工作气压高、基体温升高和沉积速率低等，阴极溅射在生产中并没有得到广泛的应用。20世纪三十年代，J.Chapin发明了平衡磁控溅射，使高速、低温溅射成为现实，磁控溅射真正意义上发展起来。 上世纪五十年代Schneider等采用离化溅射和平衡磁控溅射
离子溅射仪器的技术指标
离子溅射仪器是一种用于交通运输工程领域的分析仪器，于2016年06月28日启用。 技术指标 （1）样品室大小：直径120mm×高度120mm； （2）靶材：Au靶、Au/Pd靶、Pt靶、Pt/Pd靶，靶材尺寸：直径57mm×厚度0.1mm； （3）样品台：可以装载12个SEM样品座，高度
碲化镉的结构和用途
碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(2
离子溅射仪溅射工作原理简介
直流冷阴极二极管式，靶材处于常温，加负高压1-3kv，阳极接地。当接通高压，阴极发射电子，电子能量增加到1-3kev，轰击低真空中（3-10pA)的气体，使其电离，激发出的电子在电场中被加速，继续轰击气体，产生联级电离，形成等离子体。离子以1-3kev的能量轰击阴极靶，当其能量高于靶材原子的结合
碲化锌的制备方法和用途
制备方法由锌与碲在真空中加热至800～900℃制得。用途碲化锌可用作磷光体、半导体中光电导体。
碲化镉太阳能电池
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），性能很稳定，一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。CdTe薄膜太阳电池通常以CdS ／CdT e异质结
碲化锌理化性质和用途
理化性质碲化锌是灰色或棕红色粉末。通过升华可得宝石红立方系晶体。在干燥空气中稳定。熔点1238.5℃，相对密度6.3415。遇水则分解，放出有恶臭和有毒的碲化氢气体。用途：作半导体中光电导体。理化性质化学式ZnTe。分子量192.97。灰色Chemicalbook或棕红色粉末或红色立方晶体。有毒!通
多晶碲化镉合成方法介绍
碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。用纯度为99.9999%的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封Chemicalbook石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行
我国率先实现铌酸锂单晶薄膜产业化
济南晶正电子科技有限公司现已研制出铌酸锂单晶薄膜产品并量产，此举使我国具有了全球领先产业化生产铌酸锂单晶薄膜的能力，标志着我国在光电新材料领域实现重大突破。 铌酸锂晶体是集电光、声光、压电、光弹、非线性、光折变及激光活性等效应于一身的人工合成晶体。济南晶正电子科技有限公司采用离子注入及直接