探索新材料，创造“芯”未来——HORIBA半导体材料表征主题研讨会圆满召开！
2024年3月23日，HORIBA 开放日——半导体材料表征主题研讨会在HORIBA集团全新投资的厚立方大楼(C-CUBE) 成功举办。本次研讨会由HORIBA携手上海集成电路材料研究院、集成电路材料创新联合体共同举办，吸引了诸多技术专家与前端企业共聚一堂，共同探讨光刻胶、宽禁带材料和光掩膜等关键领域的创新发展。 HORIBA半导体材料表征主题研讨会现场 会议伊始，日本半导体设备协会专务理事Kiyoshi WATANABE先生、上海集成电路材料研究院副总经理、集成电路材料创新联合体秘书长冯黎女士，以及HORIBA前沿应用开发中心总监沈婧博士分别发表欢迎致辞。他们强调了半导体材料表征在推动产业进步中的重要作用，并期待通过本次研讨会能够汇聚各方智慧，共同推动半导体产业创新。 三位嘉宾发表开场致辞。 日本半导体设备协会的 Kiyoshi WATANABE 先生通过线上方式欢迎嘉宾莅临。 作为现代电子技术的核心领域，半导体......阅读全文
半导体热电材料类别划分
低温材料 工作温度约为200℃，主要是Bi2Te3及Bi2Te3为基的固溶体合金材料，常用于温差致冷，小功率的温差发电器(如心脏起搏器)和级联温差发电机的低温段。温差电材料的转换效率一般为3%～4%。中温材料 工作温度约为500～600℃，主要是PbTe、GeTe、AgSbTe2或其合金
全国官宣/2024深圳半导体展－半导体设备展－半导体材料展－深圳半导体设备展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
半导体粉末电阻率测试可以测量固体半导体材料
本仪器是为了适应当前迅速发展中的高分子半导电纳米材料电阻率测试需要,参照有关国际标准设计的。仪器的电流输出为 10 μA - 100 mA,电阻率测试范围为10-2 -105Ωcm ，直接采用数字显示。仪器的可靠性和稳定性大大增强，更方便于用户， 而且价格低廉、实惠。配置不同的测试架可以对半导体粉末
Keynote－Speaker:－Atsushi－Horiba
Atsushi Horiba Atsushi Horiba is Chairman & Group CEO of HORIBA, Ltd., an analytical device manufacturing company located in Kyoto with 49 group
透射电镜在材料表征中有哪些作用
早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和X射线衍射仪）所不具备的。透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的电子衍射分析（Diff），发展
透射电镜在材料表征中有哪些作用
早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和X射线衍射仪）所不具备的。透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的电子衍射分析（Diff），发展
透射电镜在材料表征中有哪些作用
早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和X射线衍射仪）所不具备的。透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的电子衍射分析（Diff），发展
透射电镜在材料表征中有哪些作用
早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和X射线衍射仪）所不具备的。透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的电子衍射分析（Diff），发展
透射电镜在材料表征中有哪些作用
早期的透射电子显微镜功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过电子衍射原位分析样品的晶体结构。具有能将形貌和晶体结构原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和X射线衍射仪）所不具备的。透射电子显微镜增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的电子衍射分析（Diff），发展
透射电镜在材料表征中有哪些作用
早期的功能主要是观察样品形貌，后来发展到可以通过原位分析样品的。具有能将形貌和原位观察的两个功能是其它结构分析仪器（如光镜和）所不具备的。 增加附件后，其功能可以从原来的样品内部组织形貌观察（TEM）、原位的分析（Diff），发展到还可以进行原位的（能谱仪EDS、特征能量损失谱EELS）、观察（二
超全面锂电材料常用表征技术及经典应用
在锂离子电池发展的过程当中，我们希望获得大量有用的信息来帮助我们对材料和器件进行数据分析，以得知其各方面的性能。目前，锂离子电池材料和器件常用到的研究方法主要有表征方法和电化学测量。 电化学测试主要分为三个部分：（1）充放电测试，主要看电池充放电性能和倍率等；（2）循环伏安，主要是看电池的充放
锂电材料纳米氧化锌的性能表征介绍
纳米级氧化锌的突出特点在于产品粒子为纳米级，同时具有纳米材料和传统氧化锌的双重特性。与传统氧化锌产品相比，其比表面积大、化学活性高，产品细度、化学纯度和粒子形状可以根据需要进行调整，并且具有光化学效应和较好的遮蔽紫外线性能，其紫外线遮蔽率高达98%；同时，它还具有抗菌抑菌、祛味防霉等一系列独特性
XRD和TEM主要是用来表征材料什么性能
用来表征材料内部分子结构和形态。XRD 即X-ray diffraction 的缩写，X射线衍射，通过对材料进行X射线衍射，分析其衍射图谱，获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态等信息的研究手段。透射电子显微镜（英语：Transmission electron microscope，缩写TE
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
韩国研发出新型半导体材料
韩国科学技术研究院发布消息称，该院光电材料研究小组将钨硒2维纳米膜与1维氧化锌纳米线双重结合，研发出能感知从紫外线到近红外线的下一代光二极管元件。该研究成果在国际学术期刊《Advanced Functional Materials》(IF)上刊登。图片来源网络 光二极管元件是影响手机摄像
化合物半导体材料的应用
化合物半导体材料已广泛应用：在军事方面可用于智能化武器、航天航空雷达等方面，另外还可用于手机、光纤通信、照明、大型工作站、直播通信卫星等商用民用领域 。
半导体两大原材料浅析
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有
化合物半导体材料的定义
化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。
化合物半导体材料的性质
多数化合物半导体都含有一个或一个以上挥发性组元，在熔点时挥发性组元会从熔体中全部分解出来。因此化合物半导体材料的合成、提纯和单晶制备技术比较复杂和困难。维持熔体的化学计量比，是化合物半导体材料制备的一个重要条件。
化合物半导体材料的概念
化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。
化合物半导体材料的种类
化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
解析半导体材料的种类和应用
半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。很多人一直有疑问，半导体材料有哪些? 半导体材料有哪些实际运用?今天小编精心搜集整理了相关资料，来专门解答大家关于半导体材料的疑问，下面一起来看一下吧! 一、半导体
化合物半导体材料的分类
化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。
如何测量半导体材料的载流子浓度
半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷
常用的半导体材料的特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
HORIBA拉曼光谱在先进材料的应用技术交流会
HORIBA Scientific 暨 山东大学晶体材料研究所 拉曼光谱在先进材料领域的应用技术交流会 主办：HORIBA Scientific (Jobin Yvon光谱技术) 协办：山东大学晶体材料研究所 时间：2011年3月22日(周二)上午9：00 地点：山
新型功能材料结构表征开放共享研究取得系列进展
依托中国科学院武汉物理与数学研究所武汉磁共振中心的固体NMR实验平台，东南大学、浙江大学的研究人员与该中心的邓风研究组合作，在新型功能材料的结构表征方面取得了系列新进展。 功能材料的性能与其分子动力学行为密切相关, 固体NMR可以从多个时间尺度观测其分子动力学性质。东南大学化学化工学院熊仁根
薄膜材料能不能用AFM表征导电性能
可以测导电原子力C-AFM，电流图可以反映电导率