二维材料研发取得新成果
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/4/520587.shtm......阅读全文
我所实现二维金属碲化物材料宏量制备
近日，我所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组（508组）吴忠帅研究员团队，与中国科学院深圳先进技术研究院、中国科学院金属研究所成会明院士团队，以及北京大学康宁副教授团队合作，在二维过渡金属碲化物材料的宏量制备方面取得重要进展，为金属碲化物二维材料的物性研究与能源应用等提供了可能性。二
二维金属碲化物材料迈入宏量制备“新时代”
2023年6月，吴忠帅收到了一份来自《自然》（Nature）的审稿意见。打开邮件，其中一位审稿人的拒稿意见提的非常刁钻，里面密密麻麻的问题让他有点不知所措。但是科研如同“登山”，他认为：“既然决定了研究方向，那我们就没有放弃的理由。”他和团队开展深层次研究，又补充了80多页的回复。2024年4月3日
二维金属碲化物材料迈入宏量制备“新时代”
2023年6月，吴忠帅收到了一份来自《自然》（Nature）的审稿意见。 打开邮件，其中一位审稿人的拒稿意见提的非常刁钻，里面密密麻麻的问题让他有点不知所措。但是科研如同“登山”，他认为：“既然决定了研究方向，那我们就没有放弃的理由。”他和团队开展深层次研究，又补充了80多页的回复。 20
科学家实现二维金属碲化物材料的宏量制备
近日，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅团队，联合中国科学院院士、深圳先进技术研究院、金属研究所研究员成会明，北京大学电子学院副教授康宁，在二维过渡金属碲化物材料的宏量制备方面取得进展，为过渡金属碲化物二维材料的规模化制备提供了可能性。4月3日，相关研究成果在线发表在《自然》（Nature）上
我国科学家实现二维金属碲化物材料宏量制备
近日，中国科学院大连化学物理研究所吴忠帅研究员团队联合其他高校科研院所团队，在二维过渡金属碲化物材料的宏量制备方向取得新进展，为过渡金属碲化物二维材料的规模化制备提供了可能性。相关成果在线发表在《自然》杂志上。利用新方法制备出的二维过渡金属碲化物纳米片制备的溶液和粉体，具有良好的加工性能，能够作为各
我国科学家实现二维金属碲化物材料的批量制备
4月3日，《自然》在线发表了一项关于二维金属碲化物材料的重要进展。来自中国科学院大连化学物理研究所、中国科学院深圳先进技术研究院和北京大学的科研人员，在二维过渡金属碲化物材料的批量制备方向取得新进展，为二维过渡金属碲化物材料的规模化制备提供了可能。二维过渡金属碲化物材料是一类新兴的二维材料，由碲原子
二维过渡金属碲化物纳米片宏量制备获突破
4月3日，华东理工大学材料科学与工程学院特聘副研究员张良柱，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅，中国科学院深圳先进技术研究院、深圳理工大学（筹）研究员成会明，北京大学电子学院副教授康宁合作，在国际上首次实现碲化铌纳米片的宏量（108g）制备，为二维过渡金属碲化物纳米片的规模化制备提供了可能性。
自然图案化新型二维原子晶体材料及其功能化进展
石墨烯是一种由碳原子构成的蜂窝状单层结构。2004年Andre Geim和Konstantin Novoselov用剥离方法成功制备石墨烯并发现了其新奇的量子特性，2010年他们因此获得了诺贝尔物理学奖。石墨烯具有超高的载流子迁移率、超高的透光率、室温下的量子霍尔效应等优良特性，使其在电子学、光
“自然图案化”的新型二维原子晶体材料及其功能化研究
石墨烯是一种由碳原子构成的蜂窝状单层结构。2004年Andre Geim和Konstantin Novoselov用剥离方法成功制备石墨烯并发现了其新奇的量子特性，2010年他们因此获得了诺贝尔物理学奖。石墨烯具有超高的载流子迁移率、超高的透光率、室温下的量子霍尔效应等优良特性，使其在电子学、光
二碲化钼（Molybdenum－Ditelluride）：比二维硅更好
一支由韩国和日本组成的研究团队开发出了一种新的半导体材料，他们声称这种材料可以替代硅而应用于未来的电子产品中。8月7日的《科学》期刊上报道了这种新的晶体管，其管道内包含一种叫二碲化钼（MoTe2）的二维材料。 尽管硅十分重要，但所有科学家都在寻找硅的替代品，因为它有两个缺点：当硅涂层变到只剩一
碲化铌展现下一代存储器材料前景
美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。 相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子
碲化镉的结构和用途
碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(2
华理学者展望固相锂化剥离工业化未来
应《美国化学会·纳米科技》邀请，华东理工大学材料科学与工程学院特聘副研究员张良柱发表论文，总结了固相锂化剥离方法在制备二维材料的最新进展，对其工业化前景的挑战和潜力进行了展望。作为一类新兴二维材料，二维过渡金属碲化物是是国际公认的基础性、前瞻性和战略性材料体系，如WTe2和MoTe2属于经典的量子材
新型金属硫化物二维半导体材料性质探明
近日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下，取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展，探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。2月7日，相关成果发表在英国皇家化学会主办的《纳米尺度》上，并被选为热点论文。