《自然》最新成果突破领域二十年研究瓶颈
近日，电子科技大学研究团队首创高迁移率稳定的非晶P型（空穴）半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈，进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。该成果由电子科技大学和韩国浦项科技大学共同合作完成，在线发表于《自然》。相比于多晶半导体，非晶体系具有诸多优势，如低成本、易加工、高稳定性以及大面积制造均匀等。然而，传统的非晶氢化硅因电学性能不足而急需探索新材料。自2004年首次基于非晶N型（电子）铟鎵锌合金氧化物薄膜晶体管（TFT）报道以来，极大推动了半导体电子学和新一代信息显示技术的发展。但目前，研发性能相当的非晶P型半导体面临着重大挑战，严重阻碍了新型电子器件研发和大规模N-P互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的发展。传统氧化物半导体因高局域态价带顶和自补偿效应，导致空穴传输效率极差，难以满足应用需求。科研人员因此投入大量精力开发新型非氧化物P型半导体，不过，这些新材料只能在多晶态下展现一定的P......阅读全文
铁磁材料在新型半导体器件中的工作原理
铁磁特性。由于氧空位的存在，许多氧化物薄膜或者纳米颗粒会表现出室温铁磁特性，而第一性原理计算表明氧化物半导体磁性产生的原因是由于其阳离子空位的存在。
科学家开发新型异质外延半导体材料及器件
上海应用技术大学材料科学与工程学院教授房永征、刘玉峰团队与国科大杭州高等研究院及美国麻省理工学院等单位的科研人员合作，在二维半导体材料异质外延方面取得新进展。12月4日，相关研究发表于《先进材料》。随着我国高性能探测技术领域应用需求的持续增长，新型光探测材料的发展也有了更高要求。作为光电探测技术最核
真空互联技术可实现新型半导体材料和器件创新
日前，由中科院苏州纳米所牵头承办的第608次香山科学会议在苏州举行，来自国内外的40多位专家学者参会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质集成与界面调控”，中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海担任本次大会的执行主席。 半导体与集成电路在人类社会各领域的应用
异质结在半导体光电子器件中有哪些作用
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
keysight是德B1525A半导体器件分析仪
keysight是德B1525A半导体器件分析仪介绍安捷伦B1500A半导体器件分析仪与安捷伦EXPERT软件是一个完整的参数测试解决方案。它支持参数测试的所有方面，从基本的手动测量到结合半自动晶圆探头进行跨晶圆的自动化测试。因为B1500A使用了微软的®视窗®XP专业操作系统，所以它可以很容易地集
Keysight－B1500A－半导体器件参数分析仪
Keysight B1500A 半导体器件参数分析仪该仪器是一款具有 10 插槽配置的模块化仪器，可支持 IV 和 CV 测量及快速高电压脉冲测量。它采用常见的 Microsoft ® Windows ® 用户界面，可支持 Agilent EasyEXPERT 软件。该软件为器件表征提供更直观的、面
半导体器件界面态及其稳定性问题分析
在半导体器件中，界面态是影响器件性能和稳定性的重要因素。界面态是指在半导体与金属或半导体与绝缘体之间的接触面上形成的能级。这些界面态在半导体器件中的存在对电子传输、电荷注入和空间电荷区域的形成有着重要影响，从而对器件的性能和稳定性产生显著影响。界面态的稳定性问题在半导体器件研究中被广泛关注。首先，界
2024上海国际半导体器件展「时间/地点/展览馆」
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日【指导单位】中国电子器材有限公
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用
官网2024全球半导体光电器件(深圳)博览会
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
美国开发出不依赖半导体的微电子器件
美国加州大学圣地亚哥分校的一个研究团队开发出一款基于纳米结构的、不依赖半导体传导的光控微电子器件，在低电压和低功率激光激发的条件下可将电导率比现有半导体器件提高近10倍。这一成果发表在11月4日的《自然·通讯》杂志上。 传统的半导体器件受到材料本身的限制，在频率、功耗等方面存在极限，而利用自
半导体所在自旋器件翻转机制研究中获进展
自旋电子器件被认为是后摩尔时代存储和逻辑器件最有前景的解决方案之一。自旋电子学的核心是磁性比特的电流翻转。然而，科学家无法定量甚至定性地剖析面内电流翻转垂直磁矩的物理现象。为了探讨面内电流翻转垂直磁矩的深层次物理机制，中国科学院半导体研究所朱礼军团队围绕直接参与磁矩翻转的自旋轨道矩效应和手性交换相互
2024深圳半导体材料、设备展暨半导体微电子器件、传感器展览会
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中科院电工所制备铁电半导体耦合光伏器件
记者日前从中科院电工所获悉，该所化合物薄膜太阳能电池研究组在普通钠钙玻璃上制备的铁电-半导体耦合光伏器件，经中科院太阳光伏发电系统和风力发电系统质量检测中心认证，其转化效率达11.3%。 铁电-半导体耦合光伏器件，又叫纳米偶极子太阳能电池，属第三代太阳能电池。与传统PN结不同的是，该光伏器件是
2024上海半导体器件展2024年11月1820日
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究取得系列进展
自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来，光学导向逻辑引起了人们的广泛关注, 目前已有美国海军实验室、莱斯大学、菲斯克大学、以色列理工学院等多家研究机构从事相关研究。 与传统光学逻辑不同，光学导向逻辑的实现依赖于光开关网络，每个开
中韩科研人员在新型半导体材料和器件领域取得突破
中新社成都4月11日电(记者 贺劭清)记者11日从电子科技大学获悉，中韩科研人员首创高迁移率稳定的非晶P型(空穴)半导体器件，突破该领域二十余年的研究瓶颈。这一在新型半导体材料和器件领域取得的重大突破，将进一步推动现代信息电子学和大规模互补金属氧化物半导体(CMOS)技术的发展。这一研究成果以《Se
【会展深圳】2025年开关及元器件材料展会_设备_半导体_芯片
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国家半导体发光器件应用产品质检中心在厦门落成
9月7日，前来厦门出席第二届世界投资论坛和第十四届中国国际投资贸易洽谈会的国家质检总局局长支树平，在视察厦门市质量技术监督局时，听说国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心将在明天落成，十分高兴。他说：“这个中心意义重大，可喜可贺。我今天返京，不能参加你们的仪式，提前向你们表示祝贺
用半导体器件实验箱做二极管特性实验
一、实验目的：1、验证晶体二极管的单向导电特性。2、学会测量晶体二极管的伏安特性曲线。3、掌握几种常用特种功能二极管的性能和使用方法。二、实验前准备：1、复习晶体二极管结构和伏安特性。2、阅读光电二极管、发光二极管和稳压管的特性和使用范围。3、复习用万用表测量晶体二极管的方法。阅读用图示仪测试晶体二
半导体所在微机电射频谐振器件研究方面取得系列进展
在科技部和中国科学院的大力支持下，半导体研究所集成技术工程研究中心相关课题组多年来致力于射频谐振器件以及相关的测试表征系统的研制工作，在谐振器构型、微纳加工工艺、器件测试方法研究和测试系统组建等方面取得了系列科研进展。 微机电系统(MEMS)是指利用微纳加工技术制作的、同时具有机
2025中国（深圳）国际半导体光电器件展览会
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半导体所硅基集成光学导向逻辑器件研究获重要进展
硅基集成光学导向逻辑器件实现或/或非、与/与非、同或/异或操作的波形图 在中国科学院“百人计划”项目的支持下，半导体研究所光电系统实验室在国际上率先实现光学导向逻辑器件的原理验证。 自2007年美国科学家Hardy和以色列科学家Shamir共同提出光学导向逻辑的概念以来，光学导向逻辑
“弹出式”三维成型技术－可制备微纳米半导体器件
见过一打开便有小房子或城堡立起来的那种立体书吧。受这种儿童玩具书的启发，中国、美国、韩国研究人员开发出一种特别简单的“弹出式”三维成型技术，可制备现有3D打印技术无法实现的微纳米半导体器件。 这项成果发表在新一期美国《科学》杂志上。研究负责人之一、美国西北大学研究助理教授张一慧对新华社记者说，
【深圳管家】2024年深圳开关及元器件材料展会_设备_半导体_芯片
2024电子元器件展｜2024深圳国际电子元器件展览会「官网」展览时间：2024年4月9-11日展会时间：2024年4月9日-11日论坛时间：2024年4月9日-11日展会地点：深圳国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众前瞻布局 赋能行业发展在全球“双碳”背景
半导体技术!2024上海电子元器件、材料及生产设备展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
专家建议加快宽禁带与超宽禁带半导体器件发展
“生产集成电路所需要的硅材料已趋近完美，但是未来还有什么材料可以替代硅，这是业界急切希望解决的问题”。中国科学院院士、国家自然科学基金委员会信息科学部主任郝跃近日在 “纪念集成电路发明60周年学术会议”上如是说。该会议由中国电子学会、中国科学院信息技术科学部等共同主办。 自1958年杰克·基
2024中国(上海)国际电子元器件/半导体及材料应用大会
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
研究团队在功率半导体器件和集成电路研究中取得进展
氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体，第三代半导体的典型代表。与第一代半导体硅基的器件相比，GaN器件具有更高耐压、更快开关频率、更小导通电阻等特性，在功率电子器件领域得到广泛应用。相关研究显示，GaN器件适用于68%的功率器件市场；在功率转换电路中应用GaN器件可消除整流器在进行交直流转换时90
上海半导体器件展会｜2024上海国际电子制造设备展览会
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子