氮化钛的生产方法
1.将金属钛放入加热炉中，在氮气气流中，加热至1000～1400℃反应直接得到氮化钛。或者将二氧化钛和碳以一定比例充分混合，放入加热炉中，在氮气气流中加热至1250℃还原氮化制得氮化钛。采用气相沉积法，由四氯化钛、氮气、氢气混合气体可以得到氮化钛涂层。2.往四氯化钛的蒸发器中通入H2和N2的混合气体，并在该气流中将钨丝线圈通电加热，即有氮化钛结晶析出(用内径50mm的透明石英管为反应管)。实验证明当氮气和氢气浓度相等，四氯化钛浓度为0.3%，钨丝温度在1300～1500℃时氮化钛的Chemicalbook析出速度最大。3.将四氯化钛和氮气的混合气体与氨气和氢气的混合气体加热到700℃以上使它们反应。在反应出口处安装一烧瓶来收集产物。产物中的副产物氯化铵在惰性气流中于350℃加热十几分钟即可除去，进而得到黑色氮化钛粉末。4.直接合成法将金属钛放入加热炉中，在氮气气流中，加热至1000～1400℃直接合成得氮化钛。5.二氧化钛还原法......阅读全文
氮化镓功率芯片的应用领域
1）手机充电器。主要有2 个原因，①手机电池容量越来越大，从以前的可能2 000 mA·H 左右，到现在已经到5 000 mA·H。GaN 可以减少充电时间，占位体积变小。②手机及相关电子设备使用越来越多，有USB-A 口、USB-C 口，多头充电器市场很大，这也是GaN 擅长的领域。2）电源适配器
六方氮化硼的裂纹传播
如果散装材料能够承受高负载而不会发生任何不可逆转的损坏（例如塑性变形），则其通常很脆，且可能会发生灾难性的破坏。这种强度和断裂韧性之间的折衷也延伸到了二维材料空间。例如，石墨烯具有超高的内在强度（约 130 GPa）和弹性模量（约 1.0 terapascal），但很脆，断裂韧性低。表面弹性效应
有机叠氮化合物的用途
1. 有机叠氮化合物在有机合成中的应现已拓展到点击化学、氮烯化学、超分子化学、组合化学与化学生物学等领域。 2. 有机叠氮化合物环加成反应可形成氮杂环并实现多种配体、合成砌块的连接与自组装以及生物分子的偶联。 3. 有机叠氮化合物Curtius重排可生成异氰酸酯并转化为胺类化合物,制成固载试剂后可用
氮化镓的的结构和应用特点
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性
简述叠氮化钠的理化性质
1、物理性质 熔点：275℃ 密度：1.846g/cm3 外观：白色六方系晶体 溶解性：溶于水、液氨，不溶于乙醚，微溶于乙醇 2、化学性质 在水中溶解度较大（17℃时 42 g/100 mL），显弱碱性。与各种金属或二硫化碳反应，生成爆炸性强的叠氮化合物。此外，也可以与酸发生反应，产
常见的含氮化合物介绍
生物碱一类含氮的碱性天然产物。在约4 000种植物中发现5 500种以上的生物碱，主要分布在双子叶植物中。生物碱分为三类：真生物碱具有含氮杂环核，例如异喹啉生物碱类; 原生物碱不具杂环，通常是简单的胺类，例如仙人掌毒碱和麻黄素。真生物碱和原生物碱都是氨基酸的衍生物，有些原生物碱可能是真生物碱的前体;
氮化碳拉曼光谱峰的位置
C—N 的形式成键,C—N 不在这个位置,因而将中心在1 890cm 叫的峰归属为Cj —N 的吸收峰.o气5削憩圈5氮化碳薄膜的拉曼光谱圈.
氮化硅拉曼峰测试条件
高温热稳定性。氮化硅拉曼峰测试条件是高温热稳定性，氮化硅，化学式为Si3N4，是一种重要的结构陶瓷材料。是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损，为原子晶体；高温时抗氧化。
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
氮化碳拉曼光谱峰的位置
C—N 的形式成键,C—N 不在这个位置,因而将中心在1 890cm 叫的峰归属为Cj —N 的吸收峰.o气5削憩圈5氮化碳薄膜的拉曼光谱圈.
氮化碳拉曼光谱峰的位置
C—N 的形式成键,C—N 不在这个位置,因而将中心在1 890cm 叫的峰归属为Cj —N 的吸收峰.o气5削憩圈5氮化碳薄膜的拉曼光谱圈.
偶氮化合物的结构特点
偶氮化合物：分子中含有偶氮基(-N=N-)的有机化合物。用通式R-N=N-R表示，其中R是烃基，偶氮化合物都有颜色，有的可作染料。也可作色素。
概述氮化物的广泛应用
由ⅢA、ⅣA族元素和氮直接化合生成的 氮化物具有共价结构，称为共价型氮化物。BN 是一种鳞片状六方结构，它的晶体结构和理化 性质与石墨相似，因而称为“白石墨”或“白炭 黑”，密度2.25克/立方厘米。它的耐热性、耐蚀性 和润滑性都好，不导电。在电子、冶金、化工及 尖端技术上有较大应用。这种晶型的
新复合光催化剂能够分解全氟辛酸
据最新一期《化学工程杂志》报道，美国莱斯大学的化学工程师改进了他们对光动力催化剂的设计，该催化剂可快速分解全氟辛酸，全氟辛酸被认为是世界上最有问题的“永久化学污染物”之一。研究团队在2020年发现，常用于化妆品的氮化硼粉末暴露在波长254纳米的紫外线下时，可在短短几个小时内破坏水样中99%的全氟辛酸
磁钛表面磁控溅射构建功能性梯度涂层对钛瓷结合的影响
钛以其优良的生物相容性、耐腐蚀性、理想的物理和机械性能以及相对低廉的价格而被日益广泛地应用于口腔种植体、义齿铸造支架及冠和固定桥义齿的制作。但由于钛与瓷之间结合力低于传统贵金属以及贱金属烤瓷系统,使钛烤瓷修复体在临床上的广泛应用受到限制。目前认为导致钛-瓷结合力较差的原因有以下两点:在烤瓷烧结高温条
卤化钙钛矿型纳米立方的钙钛矿型超晶格
【引言】与荧光不同的是，超荧光是几个最初不相干的光激发偶极子的集体发射，它们由它们的共同光子场耦合，其特征是快数量级的辐射衰减和Burnham-Chiao振荡行为的出现。以前，这些特征已经在气态（HF气体）或在有限数量的固态系统中实现。卤化钙钛矿纳米晶超晶格中的超荧光，最近被证明具有最简单的堆积
常见的含氮化合物有哪些？
生物碱、非蛋白氨基酸、胺类和生氰苷等。
有机的叠氮化合物的分类
有机的叠氮化合物有两种,烷基和芳基叠氮化合物,还有酰基叠氮化合物(RCON3)。
关于氮化物的基本信息介绍
氮化物是氮与电负性比它小的元素形成的二元化合物。由过渡元素和氮直接化合生成的氮化物又称金属型氮化物。它们属于 “间充化合物”，因氮原子占据着金属晶格中的间隙位置而得名。这种化合物在外观、硬度和导电性方面似金属，一般都是硬度大、熔点高、 化学性质稳定，并有导电性。钛、钒、锆、钽等的氮化物坚硬难熔，
关于偶氮化合物制备的简介
偶氮化合物具有顺、反几何异构体(见几何异构)。反式比顺式稳定。两种异构体在光照或加热条件下可相互转换： 偶氮化合物主要通过重氮盐的偶联反应制得，例如： 氢化偶氮化合物和芳香胺在氧化剂存在下,可被氧化为相应的偶氮化合物；氧化偶氮化合物和硝基化合物在还原剂存在下，也可被还原为偶氮化合物。
液相法氮化镓晶体生长研究
GaN是一种宽带隙半导体材料，具有高击穿电压、高的饱和电子漂移速度、优异的结构稳定性和机械性能，在高频、高功率和高温等应用领域具有独特的优势。在光电子和功率器件中具有广阔的应用前景。在液相生长技术中，助溶剂法和氨热法是生长高质量GaN的有效方法，该论文全面总结了这两种方法生长GaN的研究进展，详细分
硝化、加氢、重氮化、水解多步反应连续合成
AI、人工智能已是全社会关注的热点。而AI+化学，一天做1000个实验，快速发现新分子似乎也正朝我们走来。未来的化学实验室不再是人的天下，智能化设备将是高效的生产力。康宁反应器既耐压又透明、可视的玻璃模块极大地提升了连续流工艺开发和优化的效率。康宁反应器模块化设计，可快速、灵活地组装成满足数千种不同
重氮化合物的特点和用途
重氮化合物：大多是通式为R—N2—X的有机化合物，分子中含有是一种重氮化合物，其中以芳香族重氮盐最为重要。可用化学性质活动，是制取偶氮染料的中间体。
氮化镓功率芯片的发展趋势分析
GaN 功率芯片主要以2 个流派在发展，一个是eMode 常开型，纳微代表的是另一个分支——eMode 常关型。相比传统的常关型的GaN 功率器件，纳微又进一步做了集成，包括驱动、保护和控制的集成。GaN 功率芯片集成的优势如下。1）传统的Si 器件参数不够优异，开关速率、开关频率都受到极大限制，通
含氮化合物的还原反应介绍
1、硝基化合物的还原还原硝基化合物常用的方法有活泼金属还原法、硫化物还原法、催化氢化法、复氢化物还原法以及CO选择性还原。2、亚甲胺的还原——胺3、腈的还原——胺4、偶氮化合物的还原——伯胺5、 叠氮化合物的还原
关于偶氮化合物的基本介绍
偶氮化合物即AZO，偶氮基─N=N─与两个烃基相连接而生成的化合物，通式R─N=N─R′。偶氮基能吸收一定波长的可见光，是一个发色团。偶氮染料是品种最多、应用最广的一类合成染料，可用于纤维、纸张、墨水、皮革、塑料、彩色照相材料和食品着色。有些偶氮化合物可用作分析化学中的酸碱指示剂和金属指示剂。有
各种含氮化合物的测定方法
1氨氮水中氨氮(ammonia nitrogen)的来源主要有生活污水中含氮有机物受微生物作用的分解产物,以焦化、合成氨等为代表的某些工业废水以及农田排水中也含有氨氮。氨氮以游离氨(又称非离子氨,NH3)和离子氨(NH4+)形式存在于水中,二者的组成比取决于水的pH值,当pH值偏高时,游离氨的比例较
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁
氮化镓的的性质与稳定性
如果遵照规格使用和储存则不会分解。避免接触氧化物，热，水分/潮湿。GaN在1050℃开始分解：2GaN(s)=2Ga(g)+N2(g)。X射线衍射已经指出GaN晶体属纤维锌矿晶格类型的六方晶系。在氮气或氦气中当温度为1000℃时GaN会慢慢挥发，证明GaN在较高的温度下是稳定的，在1130℃时它的蒸
关于叠氮化钠的基本信息介绍
叠氮化钠，又名三氮化钠，化学式NaN3，是一种无机化合物，呈白色六方系晶体，无味，无臭，无吸湿性，剧毒，不溶于乙醚，微溶于乙醇，溶于液氨和水。 虽然无可燃性，但有爆炸性。在真空中加热不爆炸，可逐渐分解为金属钠及氮气，是高纯度金属钠的实验室制造方法之一，也是高纯度N₂实验室制造方法之一。与酸反应