氮化钛的生产方法
1.将金属钛放入加热炉中，在氮气气流中，加热至1000～1400℃反应直接得到氮化钛。或者将二氧化钛和碳以一定比例充分混合，放入加热炉中，在氮气气流中加热至1250℃还原氮化制得氮化钛。采用气相沉积法，由四氯化钛、氮气、氢气混合气体可以得到氮化钛涂层。2.往四氯化钛的蒸发器中通入H2和N2的混合气体，并在该气流中将钨丝线圈通电加热，即有氮化钛结晶析出(用内径50mm的透明石英管为反应管)。实验证明当氮气和氢气浓度相等，四氯化钛浓度为0.3%，钨丝温度在1300～1500℃时氮化钛的Chemicalbook析出速度最大。3.将四氯化钛和氮气的混合气体与氨气和氢气的混合气体加热到700℃以上使它们反应。在反应出口处安装一烧瓶来收集产物。产物中的副产物氯化铵在惰性气流中于350℃加热十几分钟即可除去，进而得到黑色氮化钛粉末。4.直接合成法将金属钛放入加热炉中，在氮气气流中，加热至1000～1400℃直接合成得氮化钛。5.二氧化钛还原法......阅读全文
氮化钛的生产方法
1.将金属钛放入加热炉中，在氮气气流中，加热至1000～1400℃反应直接得到氮化钛。或者将二氧化钛和碳以一定比例充分混合，放入加热炉中，在氮气气流中加热至1250℃还原氮化制得氮化钛。采用气相沉积法，由四氯化钛、氮气、氢气混合气体可以得到氮化钛涂层。2.往四氯化钛的蒸发器中通入H2和N2的混合气体
氮化钛的理化性质
晶体结构：立方体分子式:TiNCasNo:25583-20-4分子量:61.874密度：5.22g/cm3熔点：2930℃（5310°F;3200K）气味：无臭溶解性：微溶于热的王水Chemicalbook,浓硫酸和氟化氢，不溶于水维氏硬度：2400弹性模量：251GPa热导率：19.2W/(m·°
氮化钛－用途与合成方法
氮化钛的用途1.氮化钛涂层广泛用于金属边缘以保持机械模具的耐腐蚀性，如钻头和铣刀，常常由提高三个或更多的因素改善其寿命。2.由于其具有金属光泽，常用作服装和汽车装饰点缀。作为外层涂层，通常以镍（Ni）或铬（Cr）为镀基板，包装管道和门窗五金。3.该涂层也用在航空航天和军事方面，以及保护的自行车和摩托
氮化钛的理化特性和用途
理化性质晶体结构：立方体分子式:TiNCasNo:25583-20-4分子量:61.874密度：5.22g/cm3熔点：2930℃（5310°F;3200K）气味：无臭溶解性：微溶于热的王水,浓硫酸和氟化氢，不溶于水维氏硬度：2400弹性模量：251GPa热导率：19.2W/(m·°C)热膨胀系数：
最常用的氮化钛薄膜合成方法
最常用的氮化钛薄膜合成方法是物理气相沉积法（PVD，通常有溅射沉积，阴极电弧沉积或电子束加热）和化学气相沉积法（CVD）。两种方法都是将纯钛升华，并在高能量真空环境中与氮气反应。1.通过将粉末状金属钛压缩到适当的密度，在1200℃纯氮气中由金属和气体之间的化学反应所释放的Chemicalbook热量
铀表面氮化对铀上镀钛界面结合的影响
金属铀在核燃料领域有着非常重要的应用,然而由于铀拥有特殊的外层电子,因此性质非常活泼,极易遭受腐蚀,铀的使用过程中必须考虑腐蚀防护。通过物理气相沉积的方法在铀表面制备防腐蚀薄膜是一种有效地防腐蚀手段,但是实际工艺中,铀易氧化的特性使得膜基界面形成氧化层,影响长期应用中的膜基结合力。本文采用离子氮化技
兰州化物所纳米氮化钛的合成及电化学特性研究获进展
在中科院“百人计划”和国家自然科学基金项目支持下，中科院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室低维材料摩擦学课题组在金属氮化物的制备和电化学特性研究方面取得新进展。 氮化钛具有非常优异的机械及物理化学性能，在硬质薄膜、光学薄膜、集成电路和热传导涂层等领域显示出极大的应用前景。氮化钛同样具
氮化铟制备方法
步骤S1、提供一衬底，在所述衬底上沉积一层介电薄膜；步骤S2、对所述介电薄膜进行图案化，得到均匀排列的多个介电凸台；步骤S3、提供一反应室，将所述形成有介电凸台的衬底放入反应室中并将所述反应室抽真空；步骤S4、在所述介电凸台及衬底上Chemicalbook生长缓冲层，在介电凸台的阻挡下，所述缓冲层的
氮化铬生产方法
生产方法1.将低碳铬铁在真空加热炉于1150℃氮化得到粗氮化铬铁，再经硫酸处理，除去铁杂质。经过滤、水洗、干燥，即得氮化铬。也可由氨和卤化铬反应制得。2.将高纯度电解铬粉末，在150mmHg(1mmHg=133.322Pa)柱的氮气流中，于1060℃下加热160h之后，排出氮气并进行急冷，则制得Cr
氮化铟－用途简介
氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使Chemicalbook得氮化铟相对于氮化铝(AlN)
氮化铟的应用特点
氮化铟是一种新型的三族氮化物材料。这种材料的引人之处在于它的优良的电子输运性能和窄的能带，有望应用于制造新型高频太拉赫兹通信的光电子器件。氮化铟(InN)是氮化物半导体材料的一种。常温常压下的稳定相是六方纤锌矿结构,是一种直接带隙半导体材料。
氮化铝的应用历史
氮化铝于1877年首次合成。至1980年代，因氮化铝是一种陶瓷绝缘体(聚晶体物料为70-210W‧m−1‧K−1，而单晶体更可高达275W‧m−1‧K−1)，使氮化铝有较高的传热能力，至使氮化铝被大量应用于微电子学。与氧化铍不同的是氮化铝无毒。氮化铝用金属处理，能取代矾土及氧化铍用于大量电子仪器。氮
氮化铟的基本特性
利用金属有机化学气相淀积生长的氮化铟薄膜的光致发光特性，由于氮化铟本身具有很高的背景载流子浓度，费米能级在导带之上，通过能带关系图以及相关公式拟合光致发光图谱可以得到生长的氮化铟的带隙为0.67cV,并且可以计算出相应的载流子浓度为 n = 5.4×10cm，从而找到了一种联系光致发光谱与载流子浓度