氮化钽基本性质
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氮化镓的的光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的
叠氮化钡的基本用途
叠氮化钡属非蒸散型消气剂，主要用于各种充气白炽灯，如普通照明灯、红外线灯、仪器灯、照相、聚光、摄影灯以及汽车、拖拉机Chemicalbook、摩托车灯等的生产，也可以作为自镇流高压汞灯外壳的消气剂，110V荧光灯起辉器用叠氮化钡作为电子发射材料兼有消气作用。
氮化铝的用途和应用
用途氮化铝是良好的耐热冲击材料，是熔铸纯铁、铝或铝合金理想的坩埚材料。用途导热性好，热膨胀系数小，是良好的耐热冲击材料。抗熔融金属腐蚀的能力强，是熔铸纯铁、铝和铝合金理想的坩埚材料。应用如下：1、导热硅胶和导热环氧树脂超高导热纳米复合硅胶具有良好的导热性，良好的电绝缘性，较宽的电绝缘性和使用温度（工
氮化铟－用途与制备方法
应用氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等
氮化铟应用与制备方法
应用氮化铟(InN)发展成为新型的半导体功能材料，在所有Ⅲ族氮化物半导体材料中，氮化铟具有良好的稳态和瞬态电学传输特性，它有最大的电子迁移率、最大的峰值速率、最大的饱和电子漂移速率、最大的尖峰速率和有最小的带隙、最小的电子有效质量等优异的性质，这些使得氮化铟相对于氮化铝(AlN)和氮化镓(GaN)等
氮化锶的理化性质
氮化锶亦称“二氮化三锶”。化学式Sr3N2。分子量290.8734。金黄色片状晶体。能溶于HCl。较稳定，在1000℃内不分解。在水中分解，与HChemicalbook2O反应生成Sr(OH)2和NH3。在270℃开始吸氢生成Sr3N2H4，与等量氮和氢混合气体在800℃下反应可生成SrNH，在CO