美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家叶跃进(音译)表示：“以目前的技术发展形势看，10年到20年间，这种晶体管不可能变得更小。半导体还有另一个先天不足，即会以热的形式浪费大量能源。” 科学家们尝试使用不同材料和半导体设计方法来解决上述问题，但都与硅等半导体有关。2007年，叶跃进开始另辟蹊径，制造没有半导体的晶体管。叶跃进说：“我的想法是用纳米尺度的绝缘体并在其顶部安放纳米金属来制造晶体管，我们选择了氮化硼碳纳米管(BNNTs)做基座。”随后，他们使用激光，将直径为3纳米宽的金量子点(QDs)置于氮化硼碳纳米管顶端，形成了量子点—氮化硼碳纳米管(QDs- BN......阅读全文
半导体技术新突破：轻薄体软易传导
将二硫化钼作为 2D 半导体材料有一项非常优异的性能，那就是它们很容易弯曲。电子在这样的半导体中可以快速移动。同时，因为只有大约一个原子的厚度，这类半导体是透明的。这些特点让它们成为制作柔性 OLED 显示屏的理想材料。然而，当生产商试图将二硫化钼加工到控制 OLED 像素的晶体
我国科学家在超低功耗集成电路晶体管领域取得突破
集成电路的发展目标已经由提升性能和集成度转变为降低功耗，其最有效的方法即降低工作电压。目前，互补金属氧化物半导体（CMOS）集成电路（14/10纳米技术节点）工作电压已经降低到了0.7V，而金属氧化物半导体场效应晶体管中亚阈值摆幅（60毫伏/量级）的热激发限制导致其工作电压不能低于0.64V。因
苏州纳米所印刷碳纳米管晶体管与CMOS电路研究获进展
由于碳纳米管具有独特的电学性能、机械性能、优越的物理和化学稳定性以及容易墨水化，使得碳纳米管成为印刷薄膜晶体管，尤其是印刷柔性薄膜晶体管最理想的半导体材料之一。尽管半导体碳纳米纯化技术已日趋成熟，但高纯度半导体碳纳米管的可印刷墨水批量化制备、碳纳米管的准确定位和高性能n型印刷碳纳米管晶体管的构建
塑料基底晶体管在美研制成功
晶体管中的电介质栅被换成一种双层分子材料 晶体管制造一般是用玻璃作基底材料，这有利于在多变的环境下保持稳定，从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏
场效应管的类型介绍
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属半导体场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,金属,绝缘体. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致
摩尔定律难以为继？新型二维材料有话说
近年来，半导体行业总是笼罩在摩尔定律难以为继的阴霾之下。但北京大学物理学院研究员吕劲团队与杨金波、方哲宇团队最新研究表明，新型二维材料或将续写摩尔定律对晶体管的预言。他们在预测出“具有蜂窝状原子排布的碳原子掺杂氮化硼(BNC)杂化材料是一种全新二维材料”后，这次发表在《纳米通讯》上的研究，通过
2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
苏州纳米所印刷碳纳米管薄膜晶体管研究取得进展
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域，印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好，而且碳纳米管构建的晶体管等电子
宁波材料所在超低压双电层微纳晶体管领域取得系列进展
薄膜晶体管(Thin-film transistors, TFTs)是一类重要的半导体器件，在平板显示、传感器等领域具有广泛的应用价值。最近几年，宽带隙氧化物半导体由于其具有低温成膜、高电子迁移率、可见光透明等优点，在薄膜晶体管领域引起了人们广泛的研究兴趣。由于常规Si
首块纳米晶体“墨水”制成的晶体管问世
晶体管是电子设备的基本元件，但其构造过程非常复杂，需要高温且高度真空的条件。美韩科学家在《科学》杂志上报告了一种新型制造方法，将液体纳米晶体“墨水”按顺序放置。他们称，这种效应晶体管或可用3D打印技术制造出来，有望用于物联网、柔性电子和可穿戴设备的研制。 据宾夕法尼亚大学官网消息，研究人员在
纳米能源所首次提出摩擦电子学新研究领域
最近，中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组将摩擦纳米发电机与传统场效应晶体管相结合，研制出接触起电场效应晶体管，首次提出了摩擦电子学（Tribotronics）这一新的研究领域。相关研究成果于8月16日在线发表于ACS Nano（DOI: 10.1021/nn5039806
科学家攻克二维半导体欧姆接触难题
1月11日，南京大学教授王欣然、施毅带领国际合作团队在《自然》上以《二维半导体接触接近量子极限》为题发表研究成果。该科研团队通过增强半金属与二维半导体界面的轨道杂化，将单层二维半导体MoS2的接触电阻降低至42Ω·μm，超越了以化学键结合的硅基晶体管接触电阻，并接近理论量子极限，该成果解决了二维半导
Tektronix－泰克－370B－晶体管图示仪
Tektronix 泰克 370B 晶体管图示仪泰克370B是一款很具有代表性的晶体管图示仪，泰克370B是专业的测试仪器，泰克370B有专业的晶体管图示仪详细技术指标：交互式程控 所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面扳或 GPIB来完成泰克370B曲线图示仪提供了高达20A/2000V供电功能
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基鳍型晶体管，并将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》为
全国官宣/半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世
据美国物理学家组织网2月17日（北京时间）报道，最近，科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管，并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管（TFT），未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。 日本名古屋大学的科学家孙东明（音译）和同事以及芬
彭练矛院士：没有芯片，就没有中国未来的现代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm当前，云、大数据、人工智能、个性化医疗和健康监控领域，未来数字化和智慧化的发展，都离不开芯片。毫不夸张地说，芯片就是现代技术的驱动力，中国未来如果没有芯片，就没有中国未来的现代化。集
半导体材料的特性要求
半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求 ：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度
半导体材料的特性要求
半导体材料的特性参数对于材料应用甚为重要。因为不同的特性决定不同的用途。晶体管对材料特性的要求 ：根据晶体管的工作原理，要求材料有较大的非平衡载流子寿命和载流子迁移率。用载流子迁移率大的材料制成的晶体管可以工作于更高的频率（有较好的频率响应）。晶体缺陷会影响晶体管的特性甚至使其失效。晶体管的工作温度
中国第一块集成电路诞生记
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519049.shtm 应用物理所半导体研究室一角。 半导体研究室早期研制的硅平面晶体管（芝麻管，左一），右一为普通电子管。 王守觉在调试设备。 半导体所供图 王守觉1
上海微系统所开发出面向二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆
中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员狄增峰团队在面向低功耗二维集成电路的单晶金属氧化物栅介质晶圆研制方面取得进展。8月7日，相关研究成果以《面向顶栅结构二维晶体管的单晶金属氧化物栅介质材料》（Single-crystalline metal-oxide dielectrics for top-
场效应晶体管的分类
场效应晶体管是依靠一块薄层半导体受横向电场影响而改变其电阻（简称场效应），使具有放大信号的功能。这薄层半导体的两端接两个电极称为源和漏。控制横向电场的电极称为栅。 根据栅的结构，场效应晶体管可以分为三种： ①结型场效应管(用PN结构成栅极)； ②MOS场效应管（用金属-氧化物－
半导体功率器件可靠性水基清洗分析
导读：目前5G通讯和新能源汽车正进行得如火如荼，而功率器件及半导体芯片正是其核心元器件。如何确保功率器件和半导体芯片的品质和高可靠性？一、什么是半导体：半导体是指同时具有容易导电的“导体”和不导电的“绝缘体”两方面特性的物质。能够实现交流电转为直流电—“整流”、增大电信号—“增幅”、导通或者阻断电—
美国发现新型二维半导体材料
近日，美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解，该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管，有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。 当前，电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成，如硅材料。其弊端在于当电子通过时，会在所有层内
IBM新型碳纳米管芯片：单芯片上制造上万晶体管
美国IBM公司使用标准的主流半导体工艺，将一万多个碳纳米管打造的晶体管精确放置在了一颗芯片内，并且通过了测试。多年来，我们的芯片都根据摩尔定律发展：从以前的微米单位到现在的纳米单位，从以往的90纳
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规
IBM碳纳米管商用技术取得重大突破
IBM的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。 过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借“重要的工程突破”，碳纳米
半导体展【2024中国半导体展】上海半导体展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
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