美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家叶跃进(音译)表示：“以目前的技术发展形势看，10年到20年间，这种晶体管不可能变得更小。半导体还有另一个先天不足，即会以热的形式浪费大量能源。” 科学家们尝试使用不同材料和半导体设计方法来解决上述问题，但都与硅等半导体有关。2007年，叶跃进开始另辟蹊径，制造没有半导体的晶体管。叶跃进说：“我的想法是用纳米尺度的绝缘体并在其顶部安放纳米金属来制造晶体管，我们选择了氮化硼碳纳米管(BNNTs)做基座。”随后，他们使用激光，将直径为3纳米宽的金量子点(QDs)置于氮化硼碳纳米管顶端，形成了量子点—氮化硼碳纳米管(QDs- BN......阅读全文
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规
IBM碳纳米管商用技术取得重大突破
IBM的研究人员近期宣布，已经攻克了碳纳米管生产中的一个主要挑战，这将有助于生产出具有商业竞争力的碳纳米管设备。 过去几十年，半导体行业尝试向单块计算机芯片中集成更多硅晶体管，从而不断加强芯片的性能。不过，这一发展很快就将遭遇物理极限。目前，IBM的研究人员表示，凭借“重要的工程突破”，碳纳米
二硫化钼摩擦离子电子学晶体管研究获进展
两种不同材料接触分离可产生静电荷并引发一个摩擦静电场，该摩擦电场可以驱动自由电子在外部负载流通，得到脉冲输出信号。一方面，摩擦纳米发电机 (TENG) 就是利用了这种脉冲信号实现了将外部环境机械能转换成电能，近期在许多领域实现了许多突破性进展，包括从多种机械运动获取能源、自驱动机械感应系统、高灵
新型类脑晶体管模仿人类智能
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/12/514635.shtm 类脑计算艺术图。图片来源：美国西北大学美国西北大学、波士顿学院和麻省理工学院研究人员从人脑中汲取灵感，开发出一种能够进行更高层次思维的新型突触晶体管，可像人脑一样同时处理和
IBM研发出新石墨烯晶体管
据美国物理学家组织网4月11日报道，IBM公司的科学家林育明（音译）等人在4月8日出版的《自然》杂志撰文指出，他们研发出了新的石墨烯晶体管，其截止频率为155GHz（吉赫），比去年2月推出的100GHz石墨烯晶体管的速度增加了50%，而且块头更小。 石墨烯是只有一个碳原子厚
韩制成可伸缩石墨烯晶体管
据美国物理学家组织网报道，韩国科研人员制造出了一种以可伸缩的透明石墨烯作为基底的新型晶体管。由于石墨烯具有出色的光学、机械和电性质，新型晶体管克服了由传统半导体材料制成的晶体管面临的很多问题。相关研究报告发表在最新一期出版的《纳米快报》杂志上。 首尔崇实大学的曹贞和（音译）研
薄膜晶体管的发展前景
薄膜晶体管是场效应晶体管的种类之一，大略的制作方式是在基板上沉积各种不同的薄膜，如半导体主动层、介电层和金属电极层。薄膜晶体管对显示器件的工作性能具有十分重要的作用. 未来 TFT 技术将会以高密度,高分辨率,节能化,轻便化,集成化为发展主流,从本文论述的薄膜晶体管发展 历史以及对典型 TFT
薄膜晶体管的历史及现状
人类对 TFT 的研究工作已经有很长的历史. 早在 1925 年, Julius Edger Lilienfeld 首次提出结型场效应晶体管 (FET) 的基本定律,开辟了对固态放大器的研究.1933 年,Lilienfeld 又将绝缘栅结构引进场效应晶体管(后来被称为 MISFET).1962
什么是微波晶体管振荡器
产生振荡电流的电路叫做振荡电路。振荡电路主要有正弦波振荡器和函数发生器如脉冲发生器等.正弦波振荡电路是用来产生一定频率和幅值的正弦交流信号。它的频率范围很广，可以从一赫芝以下到几百兆赫芝以上；输出功率可以从几毫瓦到几十千瓦；输出的交流电能是从电源的直流电能转换而来的。正弦波振荡器必须包含这样几个组成
化学所在有机场效应晶体管研究方面取得系列进展
有机场效应晶体管（OFET）由于在大面积、低成本和柔性化有机电子产品方面的潜在应用前景而备受学术界和工业界的关注，成为有机电子学中的研究前沿领域之一。目前，尽管OFET的性能已经初步满足实用化要求，但仍然存在性能低、稳定性差和与有机电子学相配套的低成本溶液法加工技术亟待开发等问题
二维半导体三维集成研究取得新成果
经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，但传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层互连CMOS逻辑电路，从而获得三维集成技术的突破，是国际半导体领域积极探寻的新路径之一。由于硅基晶体管制备工艺采用单晶硅表面离子注入的方式，较难实现在一层离子注入
大分子碳结构有机半导体问世
据美国物理学家组织网8月29日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新突破将会让以塑料为基础的柔性电子设备“遍地开花”。相关研究发表在材料科学
新材料将令芯片更小－硅时代进入倒计时
硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热门替代材料包括锗和半导体化合物III-V。 加州伯克利大学教授胡正明确信硅的日子屈指可数，下一代或下下一代人将不会再使用硅，将会有更好的材料去取代硅。硅基晶体管无法一直缩小下去，芯片公司已经考虑用其它材料取代硅，其中的热
世界最小！美国麻省理工学院团队研制出全新纳米级3D晶体管
美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管，将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。 新型晶体管的“艺术照”。图片来源：美国麻省理工学院官网
技术分享：晶体管以类似水龙头控制水流的方式控制电流
晶体管原理及应用晶体管全称双极型三极管（Bipolar junction transistor，BJT）又称晶体三极管，简称三极管，是一种固体半导体器件，可用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等。晶体管作为一种可变开关．基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可用作电流的开关
全国官宣/2024深圳半导体展－半导体设备展－半导体材料展－深圳半导体设备展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
石墨烯让处理器“飞起来”
时钟速度（clock speed）是衡量一款电脑速度的重要标准，目前，个人计算机的时钟速度已经达到GHz级别，然而这还不够疯狂，现已有科学家运用石墨烯把该速度提高到了让人们吃惊的100GHz。 日前，莫斯科物理与技术研究院（MIPT）的科学家已经找到利用石墨烯来提高隧道电流的方法。石墨烯本质
量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
半导体展览会2024深圳国际半导体展览会－半导体
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半导体展|2024上海半导体产业展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体展会上海半导体博览会2024年半导体展会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
关于半导体展【2024中国半导体展】上海半导体展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
半导体展会|半导体材料展|2024年上海半导体展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
新研究打破硅基逻辑电路的底层“封印”
5月29日，我国科学家利用化学制备的系列二维材料，提出一种全新的基于界面耦合的p-掺杂二维半导体方法，打破了硅基逻辑电路的底层“封印”。相关成果在线发表于《自然》。经过数十年发展，半导体工艺制程不断逼近亚纳米物理极限，传统硅基集成电路难以依靠进一步缩小晶体管面内尺寸来延续摩尔定律。发展垂直架构的多层
一种运行更快、功耗更少的晶体管
集成电路是由被称作晶体管的半导体装置组成的，这些晶体管已经小到了详尽的电力运作所允许的最小程度，但是现在，聚焦于继续改进这些极小装置——加速它们的运行并降低其功耗——的研究已经找到了一种无需使其缩小就能达到这一效果的新方式。晶体管(这是控制电流流量的电子装置)是高速电脑的主要组成部分，帮助电脑进
硅和锗元素半导体的应用介绍
硅和锗是我们最熟悉的元素半导体。锗是最早实现提纯和完美晶体生长，并最早用来制造晶体管的半导体材料。但是，由于锗的禁带较窄，锗器件的稳定工作温度远不如硅器件高，加之资源有限，其重要地位早在半导体工业发展初期就被硅所取代。目前，锗仅以其较高的载流子迁移率和在某些重掺杂情况下的高度红外敏感特性，在低频小功
栅极长度仅一纳米的晶体管问世
在7日出版的《科学》杂志上，一美国研究小组发表论文称，他们利用碳纳米管和二硫化钼（MoS2），成功制出目前世界最小晶体管，其栅极长度仅有1纳米，这一仅是人类发丝直径五万分之一的尺度，远低于硅基晶体管栅极长度最小5纳米的理论极值。 制出更小的晶体管，是半导体行业一直努力的方向，栅极长度则被认为
CMOS后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展
近日，南方科技大学深港微电子学院李毅达助理教授课题组在互补金属氧化物半导体（Complementary Metal Oxide Semiconductor，CMOS）后道集成和氧化物半导体领域取得重要进展。相关成果发表于《自然—通讯》。 随着对数据驱动型应用，如新一代机器学习加速器和物联网等需
赠书－|一看就懂的半导体：适合所有人的科技指南
人类社会的飞跃性发展，从远古时代的钻木取火到现代互联网的构建，再到手机、电脑等电子产品的更新迭代，其背后都离不开技术支撑。而技术的力量，既有无形驱动力的推动，也有具象化的物质形态，其中最为显著的便是半导体技术。目前，半导体行业是世界上最大、最有价值的行业之一，与我们的生活、工作和学习密切相关。那么，