新纳晶光电芯片发光效率再创新高
新海宜控股子公司苏州新纳晶光电科技有限公司日前宣布，该公司生产的白光芯片发光效率达到了185流明每瓦，处于国内领先水平。 据了解，目前国内芯片厂商水平不一，LED芯片发光效率参差不齐，与国际先进水平还有一定差距。新纳晶光电总经理王怀兵博士介绍说，除了185 流明这一技术指标在国内领先外，公司采用的COB光源生产工艺，单次可以集成100粒芯片，良品率在98%以上。此外，公司解决了外延芯片生产的技术运用难题，69片机MOCVD设备已经投入量产。这意味着新纳晶公司外延片摊销成本与同类企业相比将更具优势。王怀兵表示，人们对LED照明的认识越来越深入，市场从今年开始进入了快速上升通道。 ......阅读全文
CIOE中国光博会9月在深圳举办，聚焦光电技术应用及发展
CIOE中国光博会9月在深圳举办，聚焦光电技术在半导体行业的应用及发展第21届中国国际光电博览会（CIOE中国光博会）将于2019年9月4-7日在深圳会展中心举办，展览面积将达110,000㎡，预计四天的展会将吸引超2,000家参展企业以及70,000多名专业观众参与，展会针对半导体设备、半导体材料
我国科学家在极化激元领域取得新进展
如何在微观世界里更好地操控光，让通信、成像等技术实现新飞跃？我国一支科研团队通过国际合作，在极化激元领域取得最新进展，有望实现纳米尺度上光的精确操控并提升纳米级光电互联和光学传感等应用水平。研究成果18日由国际学术期刊《自然·纳米技术》在线发表。 极化激元是一种由入射光与材料表界面相互作用形成
穿晶断裂与沿晶断裂说明什么
锰锌铁氧体的断裂貌似是沿晶断裂，根据我的短口SEM照片来看，有一些气孔，且这些气孔集中于晶界处。一般脆性较大的话应该是沿晶断裂吧。看到文献指出通过添加一些添加剂的方法增厚锰锌铁氧体的晶界以达到提高电阻率的效果，至于这个增厚程度如何是否能够明显强化结合力没看到过类似的文献报道。
如何区分穿晶断裂和沿晶断裂
沿晶断裂：裂纹沿晶界扩展，可以清楚地看到一个个晶粒，晶粒面比较光滑； 穿晶断裂：也可以看清晶界，但是晶粒面相比沿晶断裂不是那么的光滑，也分为韧性和脆性穿晶断裂；
晶振阻抗计，石英晶振测试仪,晶振频率测试仪
SYN5305型晶振测试仪产品概述该晶振测试仪集合有源和无源晶振测试，多种贴片和直插封装，1.8V/2.5V/3.3V/5V等多种晶振供电电压，涵盖大多数电子产品晶体测试，广泛应用于邮电、通信、广播电视、学校、研究所及工矿企业对于晶振的验证或筛选。SYN5305型晶振测试仪是由西安同步电子科技有限公
上海光电芯片制造设备展会｜2024上海国际电子制造设备展览会
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
压电光电子学应力成像芯片系统研制成功
美国佐治亚理工学院(Georgia Institute of Technology)和中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组最近利用垂直生长的纳米压电材料阵列研制出大规模发光二极管阵列，并且利用压电光电子学效应首次实现利用外界应力/应变改变纳米压电发光二极管发光强度的过程
大硅片管制！瓦森纳协议限制14nm工艺硅片出口中国
就在国内12英寸大硅片(300mm晶圆)项目纷涌而起之际，去年底新修订的《瓦森纳协议》中，便“紧跟形势”地增加了对于12英寸硅晶圆制造技术的出口管制内容。 具体而言，新增内容直指当下国内正在寻求突破的针对于14nm制程的大硅片生产技术，在此之前，中芯国际已宣布14nm实现量产。 “瓦森纳新增
Angew：二维MOF纳米晶光电催化CO₂还原的平面内分形多孔图形雕刻
固态材料的合成后转化（PSC）可以产生多样化的复杂结构和组成，显示出独特的性能和应用。除了典型的均质化学蚀刻导致空心或凹形形态外，晶格引导的各向异性蚀刻以产生多孔的分层图案，在一些传统的2D纳米晶体（NCs）中，通过在高温下使用干气态蚀刻剂，几乎没有探索过。然而，这种高温反应性气体环境与大多数先
紫外纳米压印光刻机提升我国微纳级制造业能力
记者日前从中科院光电技术研究所获悉，该所微电子专用设备研发团队已自主研制出一种新型紫外纳米压印光刻机，其成本仅为国外同类设备1/3，将有力推进我国芯片加工等微纳级结构器件制造水平迈上新的台阶。 光刻机是微纳图形加工的专用高端设备。光电所微电子装备总体研究室主任胡松介绍，这套设备采用新型纳米对准
有源晶振和无源晶振的比较
有源晶振和无源晶振无源晶振：其本身是一个晶体不能振荡，需依靠配合其他IC内部振荡电路工作。有源晶振：是“晶体+振荡电路”封装在一起，只要给它供上电源就有波形输出。 1、无源晶振——无源晶振需要用DSP片内的振荡器，因为本身没有电压的问题，信号电平是可变的，也就是说是根据起振电路来决定的，同样的晶体可
共晶的结构共晶的结构是什么
共晶体是百分之100的原因是由一定共晶成分的熔液在一定共晶温度析出两种或两种以上的晶体所组成的混合体。混合体中各相以一定的形式相间排列，呈共晶组织晶体不是单一的相，通常由两种以上的相组成，相是指成分，晶体结构，性能都相同的东西。共晶体是共晶成分的合金，两组成相同时凝固而获得由两相细密混合物所构成的组
非晶纳米晶铁芯生产工艺及流程
常用型：环型：带材入厂检测——卷绕成铁芯——点焊——物理磁性能检测——护盒或绝缘纸或喷涂——包装出厂C型：带材入厂检测——卷绕成铁芯——工装整型——热处理——退工装——浸胶——切割——检测——护盒或绝缘纸或喷涂——包装出厂
晶振简介及如何使用示波器测试晶振？
为什么我用示波器观察晶振引脚的波形时，看不到波形或者波形失真了呢？难道200M的示波器还不能测10M的晶振吗？ 常见晶振 首先我们来对晶振进行简要的介绍，晶振大体可以分为两大类：无源晶振和有源晶振。 1、无源晶振 无源晶振是一种无极性元件，需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身
12月79日深圳，看红外技术在各领域的重点应用
第24届中国国际光电博览会新展期定档于12月7-9日在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办，展会展示规模达22万平方米，汇聚3000家展商，逾10万的观众参观。 同期六展之一——红外技术及应用展是亚太地区极具影响力的红外技术专业展览会，将在深圳国际会展中心8号馆举办，全链展示红
三个点来说明BANNER邦纳光电传感器没有信号输出的原因
三个点来说明BANNER邦纳光电传感器没有信号输出的原因，详情如下： 一、要考虑的是接线或配置的问题。对于对射型BANNER邦纳光电传感器必须由投光部和受光部组合使用，两端都需要供电；而回归反射型必须由传感器探头和回归反射板组合使用；同时，用户必须给传感器提供稳定电源，如果是直流供电，
晶相高聚物和非晶相高聚物的相关介绍
高聚物的性能不仅与高分子的相对分子质量和分子结构从结晶状态来看，线型结构的高聚物有晶相的和非晶相的。晶相高聚物由于其内部分子排列很有规律，分子间的作用力较大，故其耐热性和机械强度都比非晶相的高，熔限较窄。非晶相高聚物没有一定的熔点，耐热性能和机械强度都比晶相的低，由于高分子的分子链很长，要使分子
乌克兰研发出新型非晶纳米晶带材
乌克兰国家科学院金属物理研究所发布消息称，其研究人员开发出一种铁基ХКБРС合金，可用于生产加热元件。这种合金的非晶化倾向高，它既是金属，也是金属玻璃。普通的无定形金属加热和转变为结晶状态时会受损，当温度（如大于200℃）升高时，变得非常脆弱，而用该合金制成的加热元件属于低温制品，不会受损。
晶圆切割设备——晶圆切割机的原理？
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
我国科学家成功开发人造蓝宝石介质晶圆－为低功耗芯片提供技术支撑
经过多年研究攻关，我国科学家成功研制出一种人造蓝宝石作为绝缘介质的晶圆，为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。这一成果8月7日在国际学术期刊《自然》发表。随着电子设备不断小型化和性能要求的提升，芯片中的晶体管数量持续增加，尺寸日益缩小，同时也带来了新的技术挑战，尤其是在介质材料方面。电子芯片中的介质
2024年上海国际晶圆制造与封装展会及集成电路设计及芯片展会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
因美纳与三诺生物达成战略合作－推进芯片扫描仪国产化
2024年1月8日，中国长沙——全球基因测序和芯片技术的领导者因美纳与全球领先的糖尿病数字管理专家三诺生物传感股份有限公司（以下简称“三诺”）正式达成战略合作，双方将以iScan®高端芯片扫描仪国产化为起点，利用双方的技术优势与渠道资源，共同拓展基因组学在精准健康管理的应用。本次合作旨在更快、更
什么是共晶
共晶是指在相对较低的温度下共晶焊料发生共晶物熔合的现象，共晶合金直接从液态变到固态，而不经过塑性阶段，是一个液态同时生成两个固态的平衡反应。含义其熔化温度称共晶温度。一种合金或固溶体，其所含组分的比例是这样的，即在具有这样的组分比例时其熔点可能最低。特点共晶是在低于任一种组成物金属熔点的温度下所有成
有它助阵，集成光电子器件加工不再难
兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅，利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导，有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战，降低了器件尺寸、提升了芯
紫外/深紫外LED封装技术研发（五）
关键技术 2 － 低温气密焊接整体加热焊接技术（1）高温对 LED 芯片热损伤；（2）高温影响固晶质量；局部加热焊接技术异质集成技术（低温）金属 － 陶瓷；金属 － 半导体；玻璃 － 半导体；陶瓷 － 半导体；物理键合（焊接）技术高温、高压力、环境气氛（真空或惰性气体保护等）；气密性好，但工艺成本高
2024中国(深圳)光电芯片制造设备展(参展时间+参展地点+参展展馆)「官网」
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024深圳国际电子设备及仪表仪器展览会展览时间：2024年4月9-11日地 点：深圳会
电子制造设备展会|2024上海光电芯片制造设备展览会「上海电子制造设备展」
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
光刻机怎么制作
第一步：制作光刻掩膜版（Mask Reticle）芯片设计师将CPU的功能、结构设计图绘制完毕之后，就可将这张包含了CPU功能模块、电路系统等物理结构的“地图”绘制在“印刷母板”上，供批量生产了。这一步骤就是制作光刻掩膜版。光刻掩膜版：（又称光罩，简称掩膜版），是微纳加工技术常用的光刻工艺所使用的图
高性能计算机超结点的关键微纳光电子器件研究取得突破
高性能计算机的运算速度主要取决于超结点中的CPU及CPU之间的数据传输和数据交换能力，但这种数据传输和数据交换速度慢、延迟大等问题阻碍了高性能计算机计算速度的提高。因此，迫切需要实现光数据交换代替电数据交换，大幅度的提高光数据交换的带宽、延迟、功耗、密度等性能。 在国家重大科学研究计划的支
有源晶振和无源晶振有什么区别？
在晶片的两个极上加一电场，会使晶体产生机械变形；在石英晶片上加上交变电压，晶体就会产生机械振动，同时机械变形振动又会产生交变电场，虽然这种交变电场的电压极其微弱，但其振动频率是十分稳定的。当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（由晶片的尺寸和形状决定）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种