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芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用净水冲洗，以避免污染到晶粒。除上述诸点外，在整个切割过程中尚须注意之事项颇多，例如晶粒需完全分割但不能割破承载之胶带，切割时必须沿着晶粒与晶粒间之切割线不能偏离及蛇行，切割过后不能造成晶粒之崩塌或裂痕等等。为解决上述诸多问题，各种自动侦测、自动调整及自动清洗的设备都会应用到机器上以减少切割时产生错误而造成之损失。......阅读全文
芯片切割机是非常精密之设备，其主轴转速约在30,000至 60,000rpm之间，由于晶粒与晶粒之间距很小而且晶粒又相当脆弱，因此精度要求相当高，且必须使用钻石刀刃来进行切割，而且其切割方式系采磨削的方式把晶粒分开。由于系采用磨削的方式进行切割，会产生很多的小粉屑，因此 在切割过程中必须不断地用
目前，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简便，但据片刚性差，切割过程中锯片易跑偏.导致被切割工们的平行度差:而内圆切割只能进行直线切割.无法进行曲面切割.线锯切割技术具有切缝窄、效率高、切片质量好、可进行曲线切别等优点成为口前广泛采用的切割技术。 内圆切割时晶
晶圆切割的目的，主要是要将晶圆上的每一颗晶粒（Die）加以切割分离。首先要将晶圆（Wafer）的背面贴上一层胶带（Wafer Mount），之后再将其送至晶圆切割机加以切割。切割完后，一颗颗的晶粒会井然有序的排列黏贴在胶带上，同时由于框架的支撑可避免晶粒因胶带皱褶而产生碰撞，而有利于搬运过程。此
现阶段，硬脆材料切割技术主要有外圆切割、内圆切割和线铭切割。外圆切割组然操作简单，但据片刚性差，切割全过程中锯片易方向跑偏.造成 被切割工们的平面度差:而内圆切割只有进行直线切割.没法进行斜面切割.线锯切割技术具备割缝窄、高效率、切成片性价比高、
根据工件材质及厚度，选择单机或并机切割方式，并选择对应的切割方法，把随机附件中的横杆拧紧在割炬保持架上的螺孔中，若一根长度不够，可逐根联接至所需半径长度并紧固，然后，根据工件半径长度，调节顶尖至割炬喷嘴之间的距离（必须考虑割缝宽度的因素）。调好后，拧紧顶尖紧固螺钉，以防松动，放松保持架紧固滚花螺
1．空载电压和弧柱电压 等离子切割电源，必须具有足够高的空载电压，才能容易引弧和使等离子弧稳定燃烧。空载电压一般为120-600V，而弧柱电压一般为空载电压的一半。提高弧柱电压，能明显地增加等离子弧的功率，因而能提高切割速度和切割更大厚度的金属板材。弧柱电压往往通过调节气体流量和加大电极内缩量
预计未来几年，全球晶圆清洁设备市场将以可观的复合年增长率增长。诸如MEMS，PCB，存储设备，IC和半导体晶圆之类的组件是任何电子设备的基本构建块。电子设备的性能主要取决于单独组件的性能。此外，由于这些组件相对较小，杂质会极大地影响其可靠性和性能。微电子清洗在任何电子设备的有效工作中都起着至关重
脉冲穿孔还须要有较可靠的气路控制系统,以实现气体种类、气体压力的切换及穿孔时间的控制。在采用脉冲穿孔的情况下,为了获得高质量的切口,从工件静止时的脉冲穿孔到工件等速连续切割的过渡技术应以重视。从理论上讲通常可改变加速段的切割条件：如焦距、喷嘴位置、气体压力等,但实际上由于时间太短改变以上条件的可
在激光气化切割过程中，材料表面温度升至沸点温度的速度是如此之快，足以避免热传导造成的熔化，于是部分材料汽化成蒸汽消失，部分材料作为喷出物从切缝底部被辅助气体流吹走。此情况下需要非常高的激光功率。 为了防止材料蒸气冷凝到割缝壁上，材料的厚度一定不要大大超过激光光束的直径。该加工因而只适合于应用在
熔化切割一般使用惰性气体，如果代之以氧气或其它活性气体，材料在激光束的照射下被点燃，与氧气发生激烈的化学反应而产生另一热源，使材料进一步加热，称为氧化熔化切割。 由于此效应，对于相同厚度的结构钢，采用该方法可得到的切割速率比熔化切割要高。另一方面，该方法和熔化切割相比可能切口质量更差。实际上它