碲化铋的理化特性
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常见的氧族元素的化合物碲化氢
碲化氢是无色、有恶臭、极毒的无色气体，不稳定，加热分解，有较强的还原性，可以被一些常见的氧化剂氧化。
什么是碲化镉薄膜太阳能电池？
碲化镉薄膜太阳能电池简称CdTe电池，它是一种以p型CdTe和n型CdS的异质结为基础的薄膜太阳能电池。
碲化镉薄膜太阳能电池的结构
碲化镉薄膜太阳能电池是在玻璃或是其它柔性衬底上依次沉积多层薄膜而构成的光伏器件。一般标准的碲化镉薄膜太阳能电池由五层结构组成：1、玻璃衬底：主要对电池起支架、防止污染和入射太阳光的作用。2、TCO层：即透明导电氧化层。主要起的是透光和导电的作用。3、CdS窗口层：n型半导体，与p型CdTe组成p-n
碲化镉薄膜太阳能电池的优点
1、理想的禁带宽度：CdTe的禁带宽度一般为1.47eV，CdTe的光谱响应和太阳光谱非常匹配。2、高光吸收率：CdTe的吸收系数在可见光范围高达104cm-1以上，95%的光子可在1μm厚的吸收层内被吸收。3、转换效率高：碲化镉薄膜太阳能电池的理论光电转换效率约为28%。4、电池性能稳定：一般的碲
碲化锌的理化性质、制备方法和用途
理化性质碲化锌是灰色或棕红色粉末。通过升华可得宝石红立方系晶体。在干燥空气中稳定。熔点1238.5℃，相对密度6.3415。遇水则分解，放出有恶臭和有毒的碲化氢气体。用途：作半导体中光电导体。化学式ZnTe。分子量192.97。灰色或棕红色粉末或红色立方Chemicalbook晶体。有毒!通过升华可
中美合作团队在光滑基座上种植出两类拓扑绝缘体
据物理学家组织网10月14日报道，中美科学家携手合作，为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称，他们在一个超高真空腔内，分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面，种植出了两类拓扑绝缘体材料，并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国物理联合
中美科学家在光滑基座上种植出两类拓扑绝缘体
据物理学家组织网10月14日报道，中美科学家携手合作，为未来的电子设备研发出一类名为拓扑绝缘体(TI)的电导体。该研究团队报告称，他们在一个超高真空腔内，分别在砷化镓(GaAs)粗糙和光滑的表面，种植出了两类拓扑绝缘体材料，并对它们输送电子的能力进行了评估。相关研究发表在最新一期的美国
常见的氧族元素的化合物碲酸钡
碲酸钡，由二氧化碲和过氧化钡反应产生，与钼酸钡为同晶型。
常见的氧族元素的化合物碲酸钡
碲酸钡，由二氧化碲和过氧化钡反应产生，与钼酸钡为同晶型。
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降
常见的氧族元素的化合物三氧化碲
三氧化碲〔TeO3〕是一种无机化合物。碲的化合价为+6。三氧化碲有两种形式，一种是红色的α-TeO3，一种是灰色的β-TeO3。
常见的氧族元素的化合物原碲酸
原碲酸是可溶于水、易溶于热水的白色晶体，化学式H6TeO6，是很弱的二元酸（电离常数为K1=2.09X10^-8, K2=6.46X10^-12），一般只有2个氢原子会被取代，但也有个别情况6个氢原子都能被取代。原碲酸加热分解出三氧化碲。原碲酸是弱酸。原碲酸有强氧化性，能溶解银，和浓盐酸的混酸(存在
二碲化钼（Molybdenum－Ditelluride）：比二维硅更好
一支由韩国和日本组成的研究团队开发出了一种新的半导体材料，他们声称这种材料可以替代硅而应用于未来的电子产品中。8月7日的《科学》期刊上报道了这种新的晶体管，其管道内包含一种叫二碲化钼（MoTe2）的二维材料。 尽管硅十分重要，但所有科学家都在寻找硅的替代品，因为它有两个缺点：当硅涂层变到只剩一
二维金属碲化物材料迈入宏量制备“新时代”
2023年6月，吴忠帅收到了一份来自《自然》（Nature）的审稿意见。打开邮件，其中一位审稿人的拒稿意见提的非常刁钻，里面密密麻麻的问题让他有点不知所措。但是科研如同“登山”，他认为：“既然决定了研究方向，那我们就没有放弃的理由。”他和团队开展深层次研究，又补充了80多页的回复。2024年4月3日
二维金属碲化物材料迈入宏量制备“新时代”
2023年6月，吴忠帅收到了一份来自《自然》（Nature）的审稿意见。 打开邮件，其中一位审稿人的拒稿意见提的非常刁钻，里面密密麻麻的问题让他有点不知所措。但是科研如同“登山”，他认为：“既然决定了研究方向，那我们就没有放弃的理由。”他和团队开展深层次研究，又补充了80多页的回复。 20
碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池的结构特点
碲化镉（CdTe）薄膜太阳能电池和其他太阳能电池相比结构较为简单，通常只由透明导电氧化层（TCO层）、碲化镉（CdTe）吸收层、玻璃衬底、硫化镉（CdS）窗口层、背接触层和背电极等几个成分组成，具有转换率高、制造成本低等优势。碲化镉薄膜太阳能电池优势明显，当前已经在国内建筑中得到应用，能够有效的起到
我所实现二维金属碲化物材料宏量制备
近日，我所催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组（508组）吴忠帅研究员团队，与中国科学院深圳先进技术研究院、中国科学院金属研究所成会明院士团队，以及北京大学康宁副教授团队合作，在二维过渡金属碲化物材料的宏量制备方面取得重要进展，为金属碲化物二维材料的物性研究与能源应用等提供了可能性。二
二氧化碲（TeO2）晶体的特征和用途
二氧化碲（TeO2）晶体是一种性能优良的声光晶体材料，其同时具有优异的声光性能和高自然丰度的130Te和双β衰变性能。现在二氧化碲晶体已广泛应用于各种声光设备中，例如声光偏转器、声光调制器、声光可调谐谐波器。用氧化碲制作的声光器件，在相同的通光孔径下，分辨率可有数量级的提高，同时具有响应速度快，驱动
石墨烯“表亲”锡烯新鲜出炉－这种材料或能100％导电
二维晶体材料家族迎来“小鲜肉” 石墨烯“表亲”锡烯新鲜出炉 近日，中美科学家携手成功研制出由单层锡原子构成的厚度小于0.4纳米的二维晶体——锡烯（Stanene）薄膜。理论预测称，这种材料或能100%导电。研究人员希望下一步能尽快证实其优异的电学属性。 科学家们迄今研制出了多种二维材料，包括硅
研究获重要发现高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体
常见的氧族元素的化合物二氧化碲
二氧化碲，不溶于水的固体。
二维过渡金属碲化物纳米片宏量制备获突破
4月3日，华东理工大学材料科学与工程学院特聘副研究员张良柱，中国科学院大连化学物理研究所研究员吴忠帅，中国科学院深圳先进技术研究院、深圳理工大学（筹）研究员成会明，北京大学电子学院副教授康宁合作，在国际上首次实现碲化铌纳米片的宏量（108g）制备，为二维过渡金属碲化物纳米片的规模化制备提供了可能性。
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存
碲纳米材料的可控制备及其光电响应性能研究获进展
近期，中国科学院合肥物质科学研究院固体物理研究所纳米室研究员费广涛课题组研究人员在碲(Te)纳米材料的可控制备及其光电响应性能研究方面取得新进展。相关研究工作以Controlled solvothermal synthesis of single-crystal tellurium nanowi
《纳米技术》：纳米粒子能增强液体性能
美国科学家近日研究发现，加入纳米粒子的液体（纳米液体）放置入电场中时，它的稳定性及其它一些性能会得到增强。这一发现有助于研发新型的微型照相机物镜、手机显示器及其它一些微型液体设备。相关论文发表在《纳米技术》（Nanotechnology）上。 图片说明：纳米液滴置于硅片上，放置电场中后，
碲化铌展现下一代存储器材料前景
美国东北大学研究人员验证了溅射技术在制造大面积二维范德华四硫属化物方面的潜在用途。利用这项技术，他们制造并鉴定了一种非常有前途的材料——碲化铌，它具有约447℃（起始温度）的超低熔点。这一成果发表在最近的《先进材料》杂志上。 相变存储器是一种非易失性存储器，它利用相变材料从非晶态（原子