碲镉汞的安全信息和产品信息
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碲镉汞的组成和特性
碲镉汞(CdxHg1-xTe)是由Ⅱ-Ⅵ族化合物碲化镉和碲化汞组成的三元固溶体半导体。它是一种窄带半导体材料，随着组分x的变化，禁带宽度和其它能带参数也发生变化。其禁带宽度Eg随温度T和组分x变化有如下经验公式：Eg(T·x)=0.30+5×10-4T+(1.91-10-3T)x。窄带半导体一般都属
碲镉汞阳极氧化层的化学结构分析
碲镉汞(MCT)由于其特殊的禁带宽度,成为一种重要的红外探测器半导体材料。其表面复合中心会严重影响探测器性能,为了减少复合中心及保持电学和化学稳定性,表面钝化成为必不可少的工艺步骤。根据碲、镉、汞3种元素在碱性溶液中的电极电势,计算得出阳极氧化的先后顺序为Cd>Te>Hg,并以其构建了一种氧化过程模
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降
碲化镉的结构和用途
碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(2
碲与镉的用途和生产方法
用途光谱分析。也用于制作太阳能电池，红外调制器，HgxCdl-xTe衬底，红外窗场致发光器件，光电池，红外探测，X射线探测，核放射性探测器，接近可见光区的发光Chemicalbook器件等。生产方法1.将碲与镉按化学计量比混合，在高温下直接化合而得。2.将碲化氢气体通入镉盐溶液中，使其产生沉淀。通过
碲化镉太阳能电池
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），性能很稳定，一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。CdTe薄膜太阳电池通常以CdS ／CdT e异质结
多晶碲化镉合成方法介绍
碲化镉的主要结构缺陷是填隙镉原子，它提供n型电导，而镉空位提供p型电导。用纯度为99.9999%的碲和镉按元素质量比1：1称量，并将料装入涂碳石英管内，在真空度小于4×10-4Pa下进行物料脱氧，再在真空度小于2×10-4Pa下密封Chemicalbook石英管。然后将密封好的石英管放入合成炉内进行
碲化镉的化学性质及制法
碲化镉为黑色立方系晶体状，有毒!熔点1041℃，温度更高即分解，相对密度6.2015。不溶于水、酸，但能与硝酸作用而分解。潮湿时易被空气氧化。制法：由碲、镉单质混合熔化，在氢气流中升Chemicalbook华，或镉的亚碲酸盐或碲酸盐在氢气流中加热还原，也可由碲化钠与被醋酸酸化的醋酸镉溶液作用，当从溶
碲化镉太阳能电池性能详解
CdTe是Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体，带隙1.5eV，与太阳光谱非常匹配，最适合于光电能量转换，是一种良好的PV材料，具有很高的理论效率（28%），性能很稳定，一直被光伏界看重，是技术上发展较快的一种薄膜电池。碲化镉容易沉积成大面积的薄膜，沉积速率也高。CdTe薄膜太阳电池通常以CdS ／CdT e异质结
何力：红外“芯”精神－nbsp;勇闯新天地
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/7/505025.shtm何力（左一）与团队成员在实验室讨论工作。受访者供图■虞慧娴 廖清君赤橙黄绿青蓝紫，是可见光的色彩范围，探测人眼所不能及的光则需要一些利器，比如红外探测器。一切发热的物体都会发射红外光，
碲化镉薄膜太阳能电池的结构
碲化镉薄膜太阳能电池是在玻璃或是其它柔性衬底上依次沉积多层薄膜而构成的光伏器件。一般标准的碲化镉薄膜太阳能电池由五层结构组成：1、玻璃衬底：主要对电池起支架、防止污染和入射太阳光的作用。2、TCO层：即透明导电氧化层。主要起的是透光和导电的作用。3、CdS窗口层：n型半导体，与p型CdTe组成p-n