科学家解码“材料基因组”，有助开发新一代半导体
来自原子探针的模拟二维原子图像。图片来源：悉尼大学在最新一期《自然·材料》杂志上的一篇论文中，澳大利亚悉尼大学团队报告了一种解码“材料基因组”的新方法。该方法能检测晶体材料原子级结构的微小变化，提高了人们理解材料特性和行为基本起源的能力。这一突破对于开发创新材料至关重要，将推动人们开发用于航空航天业的更坚固且更轻的合金、用于电子设备的新一代半导体以及用于电动机的改进磁铁。该研究利用原子探针断层扫描（APT）技术来解开短程阶（SRO）的复杂性。SRO工艺是了解局部原子环境的关键。SRO经常被比作“材料基因组”，即晶体内原子的排列或构型。其重要性在于不同的局部原子排列会影响材料的电子、磁性、力学、光学和其他特性，这些特性对之后产品的安全性和功能性有极大影响。此次研究的重点是钴-铬-镍高熵合金，这类合金在高级工程应用中非常有前途。团队利用复杂的APT成像数据，并结合先进的数据科学技术，实现了以3D形式可视化原子，从而观察和测量SRO，......阅读全文
化合物半导体材料的种类
化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。
化合物半导体材料的性质
多数化合物半导体都含有一个或一个以上挥发性组元，在熔点时挥发性组元会从熔体中全部分解出来。因此化合物半导体材料的合成、提纯和单晶制备技术比较复杂和困难。维持熔体的化学计量比，是化合物半导体材料制备的一个重要条件。
氮化镓半导体材料的应用前景
对于GaN材料，长期以来由于衬底单晶没有解决，异质外延缺陷密度相当高，但是器件水平已可实用化。1994年日亚化学所制成1200mcd的 LED，1995年又制成Zcd蓝光（450nmLED），绿光12cd(520nmLED);日本1998年制定一个采用宽禁带氮化物材料开发LED的 7年规划，其目标是
如何测量半导体材料的载流子浓度
半导体载流子计算公式：n = p = K1*T^3/2*e^-E(go)/(2kT)，n和p为载流子浓度,第一个T为热力学温度,E(go)为为热力学零度时破坏公价键所需的能量,k为玻耳兹曼常数. 半导体载流子即半导体中的电流载体。在物理学中，载流子指可以自由移动的带有电荷
特殊材料取代硅造出半导体薄膜
美国麻省理工学院（MIT）工程师最近开发出一种新技术，他们用一批特殊材料取代硅，制造出了超薄的半导体薄膜。新技术为科学家提供了一种制造柔性电子器件的低成本方案，且得到的电子器件的性能将优于现有硅基设备，有望在未来的智慧城市中“大展拳脚”。 如今，绝大多数计算设备都由硅制成，硅是地球上含量第二丰
半导体两大原材料浅析
半导体原料共经历了三个发展阶段：第一阶段是以硅 （Si）、锗 （Ge） 为代表的第一代半导体原料；第二阶段是以砷化镓 （GaAs）、磷化铟 （InP） 等化合物为代表；第三阶段是以氮化镓 （GaN）、碳化硅 （SiC）、硒化锌 （ZnSe） 等宽带半导体原料为主。第三代半导体原料具有
化合物半导体材料的分类
化合物半导体材料种类繁多，性质各异，如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料，Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料，也有高电子迁移率材料；有直接带隙材料，也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来，有更广泛的用途。
化合物半导体材料的应用
化合物半导体材料已广泛应用：在军事方面可用于智能化武器、航天航空雷达等方面，另外还可用于手机、光纤通信、照明、大型工作站、直播通信卫星等商用民用领域 。
化合物半导体材料的定义
化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
「官网」2025深圳13届国际半导体材料展「半导体展会」
「官网」2025深圳13届国际CMP抛光材料展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间
半导体展会|2024上海封装基板半导体材料与设备展览会「上海半导体展」
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024上海国际半导体芯片展览会|半导体设备、材料展
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半导体展会|2024上海芯片粘合材料展览会「上海半导体展」
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化合物半导体材料的组成介绍
化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。
化合物半导体材料的制备方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶，用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。
半导体热敏电阻材料相关介绍
这类材料有单晶半导体、多晶半导体、玻璃半导体、有机半导体以及金属氧化物等。它们均具有非常大的电阻温度系数和高的龟阻率，用其制成的传感器的灵敏度也相当高。按电阻温度系数也可分为负电阻温度系数材料和正电阻温度系数材料.在有限的温度范围内，负电阻温度系数材料a可达-6*10-2/℃，正电阻温度系数材料
硫化银半导体材料的贮存方法
保持贮藏器密封。放入紧密的贮藏器内，储存在阴凉，干燥的地方。
如何测量半导体材料的光致发光谱
我目前只知道一种仪器，叫TXRF(Total Reflection X-ray Fluorescence)。其原理是用X光激发原子层电子逃逸，导致外层电子跃迁释放出特征X射线，其可以被接收器（EDX）检测形成能量弥散X射线谱。其他的不太清楚，X-ray Fluorescence的仪器用的都是这个原理
氮化镓半导体材料的优点与缺陷
①禁带宽度大（3.4eV），热导率高（1.3W/cm-K），则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强；②导带底在Γ点，而且与导带的其他能谷之间能量差大，则不易产生谷间散射，从而能得到很高的强场漂移速度（电子漂移速度不易饱和）；③GaN易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，已经得到了低温下迁
硫化银半导体材料的物质特性
在1833年，电子学之父法拉第发现了硫化银的电阻与金属不同，随着温度的上升，它的电阻反而降低，即导电性增强。有双晶结构：（1）灰黑色斜方结晶硫化银。密度7.326g/cm3。175℃为转变点。溶于氰化钾、浓硫酸、硝酸，不溶于水。（2）黑色立方结晶硫化银。密度7.317g/cm3。熔点825℃。溶于氰
化合物半导体材料的制备方法
通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶，用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。
“材料基因组计划”成全球热点
美国、欧盟相继启动“材料基因组计划”，以满足新兴制造业对高性能新材料的需求。专家8月15日在河北固安举行的迈海材料基因组国际研究院揭牌仪式上表示，“材料基因组计划”已成全球热点，中国版“材料基因组计划”呼之欲出。 法国巴黎萨克莱大学热能实验室主任兼迈海材料基因组国际研究院首席科学家冯志强说，
2024北京半导体材料展|2024第21届北京半导体展览会
2024第二十一届中国国际半导体博览会（IC China）时 间：2024 年 9 月 5 一 7 日地 点：中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）（IC China）自2003年起已连续成功举办二十届，是我国半
2024上海国际半导体芯片展览会|上海半导体设备、材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024上海半导体材料展览会|全国半导体展|第十三届
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2024上海国际半导体芯片展览会|上海半导体设备、材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
全国官宣/2024深圳半导体制造封装材料展｜碳化硅半导体材料与电子元器件展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
新型半导体材料仅一个分子厚
俄国立研究型技术大学（NUST MISIS）莫斯科钢铁冶金学院与北京交通大学、澳大利亚昆士兰科技大学和日本国立材料科学研究所的科学家一起，制成厚度为一个分子的氮化硼新型半导体材料。 半导体是现代电子学的基础，目前世界领先国家正展开半导体微型化竞赛。新技术可用于制造“块头”仅为现有处理器千分之一
人类拍摄到半导体材料内部电子运动
英国《自然·纳米技术》杂志11日在线发表论文称,科学家们利用飞秒技术首次成功拍摄到半导体材料内部电子状态变化。该成果将提供对半导体核心器件前所未有的洞察。 自20世纪后期以来,半导体器件技术进步集中且明显,譬如晶体管、二极管以及太阳能电池等。这些器件的核心,正是电子在半导体材料中进行的内部运动