科学家发现具明亮基态激子的半导体纳米晶体

件 来自美国海军研究实验室(NRL)和瑞士苏黎世联邦理工学院(ETH)的科学家表示,他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步,可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图。图片来源:《美国化学学会·纳米》杂志通常情况下,纳米晶体内能量最低的激子被称为“暗”激子。暗激子的存在减缓了光的发射速率,限制了基于纳米晶体的器件,如激光器或发光二极管(LED)的性能。长期以来,科学家一直致力于寻找克服这一难题的办法。NRL研究人员表示,他们采取了一种创新思路,即寻找激子能级顺序颠倒的新材料,这样原本处于最低能量的暗激子就“变身”为明亮的激子。在最新研究中,他们根据自己开发的理论建模结果,在开源材料数据库中进行了广泛搜索,初步筛选出150多个潜在目标。随后,他们通过进一步计算分析,得到了28种具有明亮激子的纳米材料。ETH研究人员......阅读全文

速度提高4倍!华理团队研发通用晶体生长技术

近日,华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用金属卤化物钙钛矿是一

福建物构所卤化铅杂化半导体材料研究获进展

  卤化铅钙钛矿无机-有机杂化材料在光电子器件、太阳能电池、催化、离子交换和快离子导体等方面具有重要应用价值,作为新型光伏材料备受科学家关注,其光电转换效率已迅速刷新到20%,并有望达到晶体硅电池25%的水平。这类材料的半导体性能主要来源于杂化材料中的无机骨架部分,目前研究主要集中在三维钙钛矿无机结

半导体异质结隧穿电子调控机制研究取得进展

中科院上海技物所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队与宾州大学德普·贾瑞拉教授合作,通过耦合局域场调控二维原子晶体能带,实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控,为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面提供了理论与实验基础。相关成果于2022年10月28日以“Heteroju

中国深紫外技术“独步世界”-制成8台前沿装备

10月27日,中国科学院院士、中科院深紫外固态激光源前沿装备研制项目首席科学家陈创天(左)与实验室科研人员,向媒体展示研制成功的一种光学晶体。10月27日,中国科学院院士、中科院深紫外固态激光源前沿装备研制项目首席科学家陈创天,展示经过20多年努力,在国际上首次生长出可直接倍频产生深

清华大学国际纳米光电子学研究中心成立

  5月20日上午,清华大学国际纳米光电子学研究中心(以下简称“中心”)成立仪式暨纳米光电子学学术报告会在清华大学举行。清华大学副校长王希勤教授,中心学术委员会名誉主任、清华大学电子系教授周炳琨院士,中心学术委员会主任、南京大学祝世宁院士,中心学术委员会委员、浙江大学朱诗尧院士,中心学术委员会委员、

清华大学国际纳米光电子学研究中心成立

  5月20日上午,清华大学国际纳米光电子学研究中心(以下简称“中心”)成立仪式暨纳米光电子学学术报告会在清华大学举行。清华大学副校长王希勤教授,中心学术委员会名誉主任、清华大学电子系教授周炳琨院士,中心学术委员会主任、南京大学祝世宁院士,中心学术委员会委员、浙江大学朱诗尧院士,中心学术委员会委员、

功率半导体器件有哪些国标

功率半导体是弱电控制与强电运行之间、信息技术与先进制造之间的桥梁,是国民经济的重要基础,在国民经济各领域和国防工业中无所不在。随着世界各国对节能减排的需求越来越迫切,功率半导体器件已从传统的工业控制和4C(通信、计算机、消费电子、汽车)领域迈向新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多产业。随着中国

金属所研制出窄带隙分布半导体性单壁碳纳米管

  单壁碳纳米管(SWCNT)因碳原子排布方式不同可表现为金属性或半导体性,其中半导体性SWCNT具有纳米尺度、良好的结构稳定性、可调的带隙和高载流子迁移率,被认为是构建高性能场效应晶体管的理想沟道材料,并可望在新一代柔性电子器件中获得应用。然而,金属性和半导体性SWCNT的结构和生成能差异细微,通

第三届全国纳米结构器件研讨会召开

  由中国微米纳米技术学会纳米科学技术分会主办,全国纳米技术标准化技术委员会纳米检测技术标准化工作组协办,南京大学、中国科学院半导体研究所、国家纳米科学中心联合承办的“第三届全国纳米结构器件研讨会”,于11月16日至18日在江苏省南京市钟山宾馆召开。来自南京大学、中科院半导体所、中国科学技术大学、中

我国学者在碳纳米管透明导电薄膜研究方面取得重要进展

  在国家自然科学基金项目(项目编号:51625203、51532008、51521091)等的资助下,中国科学院金属研究所成会明、刘畅研究团队在碳纳米管透明导电薄膜研究方面取得突破。研究成果以“Ultrahigh-performance Transparent Conductive Films o

聚合物纳米分辨率掺杂研究取得进展

聚合物半导体是新一代柔性光电子产业的基础材料,在高柔性逻辑电路、可植入智能感知器件、热电发电与制冷器件等方面具有应用前景。化学掺杂可以精细调控聚合物半导体的导电性能和光电功能,并拓展材料的应用领域。近年来,科研人员在聚合物半导体的分子掺杂方法开发、掺杂程度调控和掺杂态功能物性拓展等方面取得了进展。然

“人造原子”组成完美晶格

   因为可以组织成看起来像分子的结构,一些世界上最小的晶体被称为人造原子,包括作为新材料潜在构件的超晶格。 现在,来自斯坦福大学的科学家首次观察到纳米晶体迅速形成超晶格并不断增长的过程。他们的发现将有助于科学家微调装配工艺,使其适应新型材料,如磁存储、太阳能电池、光电子以及加速化学反应的催化剂

速度提高4倍!华理团队研发通用晶体生长技术

  近日,华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。  生长方法限制晶体应用  金属卤化物

速度提高4倍-华理团队研发通用晶体生长技术

近日,华东理工大学清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶薄膜通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代的高性能光电子器件提供了丰富的材料库。相关研究成果发表于《自然—通讯》。 生长方法限制晶体应用金属卤化物钙钛矿是一

新突破-我国科学家研发新型通用晶体生长技术

记者日前从华东理工大学了解到,该校清洁能源材料与器件团队自主研发了一种钙钛矿单晶晶片通用生长技术,将晶体生长周期由7天缩短至1.5天,实现了30余种金属卤化物钙钛矿半导体的低温、快速、可控制备,为新一代高性能光电子器件提供了丰富材料库。相关成果发表于国际学术期刊《自然·通讯》。金属卤化物钙钛矿是一类

化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展

有机发光晶体管(OLETs)是兼具有机场效应晶体管(OFETs)和有机发光二极管(OLEDs)功能的小型化光电集成器件,具有制备工艺简单、集成更容易等优势,被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时,OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了

全国半导体照明电子行业测试标准发布

  1月24日,由中国电子技术标准化研究所、工业和信息化部半导体照明技术标准化工作组等联合主办的2010年全国半导体照明电子行业标准发布及宣传贯彻大会在广东省江门市召开,标志着我国LED产业发展进入一个新的历史时期。   工业和信息化部于2005年成立了半导体照明技术标准工作组。经过多年的努力,工

新途径!集成于硅芯片上的石墨烯黑体发光器

  通常,集成于硅芯片上的高速发光器可作为硅基光电子学的新型架构,但基于化合物半导体的发光器很难在硅衬底上直接制造,该类发光器与硅基平台的集成面临着严峻挑战。因此,能在近红外(NIR)区域(含电信波长)工作,且高速、高度集成于硅片上的石墨烯黑体发光器开发得到契机。矩形石墨烯片连接至源极与漏极,调节输

硅纳米线将绘电子器件新版图

  虽然我国目前已经初步实现了硅纳米晶体管、传感器等纳米器件的部分功能,但是离纳米器件的大规模集成还有相当大的距离。   美国斯坦福大学研究人员已经研发出用硅纳米线制成的“纸电池”。   当全世界的科学家一窝蜂地关注碳纳米管时,殊不知,另一种一维纳米材料硅纳米线同样能给人带来意想不到的惊喜。

电子化学品展2025中国深圳国际电子化学品及新材料展览会

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电子材料展|2025深圳国际正极材料展览会「官网」

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电子材料展|2025深圳国际金属电子浆料展览会「官网」

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2025深圳国际电子化学与新材料展览会

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电子材料展|2025深圳国际光刻胶展览会「官网」

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电子材料展|2025深圳国际光电转换材料等光电材料展览会「官网」

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电子材料展|2025深圳国际光电子材料展览会「官网」

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电子材料展|2025深圳国际导体浆料展览会「官网」

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