科学家发现具明亮基态激子的半导体纳米晶体
件 来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图。图片来源：《美国化学学会·纳米》杂志通常情况下，纳米晶体内能量最低的激子被称为“暗”激子。暗激子的存在减缓了光的发射速率，限制了基于纳米晶体的器件，如激光器或发光二极管（LED）的性能。长期以来，科学家一直致力于寻找克服这一难题的办法。NRL研究人员表示，他们采取了一种创新思路，即寻找激子能级顺序颠倒的新材料，这样原本处于最低能量的暗激子就“变身”为明亮的激子。在最新研究中，他们根据自己开发的理论建模结果，在开源材料数据库中进行了广泛搜索，初步筛选出150多个潜在目标。随后，他们通过进一步计算分析，得到了28种具有明亮激子的纳米材料。ETH研究人员......阅读全文
电子材料展|2025深圳国际新型平板显示用化学品及新材料展览会「官网」
2025深圳国际电子化学与新材料展览会2025 China (Shenzhen) International Electronic Chemistry and New Materials Exhibition地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-54163212大会负
电子材料展|2025深圳国际集成电路用化学品及新材料展览会「官网」
2025深圳国际电子化学与新材料展览会2025 China (Shenzhen) International Electronic Chemistry and New Materials Exhibition地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-54163212大会负
2025深圳电子化学新材料展览会
2025深圳国际电子化学与新材料展览会2025 China (Shenzhen) International Electronic Chemistry and New Materials Exhibition地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-54163212大会负
2025深圳电子化学展|中国深圳国际电子化学展参展商名录
2025深圳国际电子化学与新材料展览会2025 China (Shenzhen) International Electronic Chemistry and New Materials Exhibition地点：深圳会展中心展览时间：2025年4月9-11日参展咨询：021-54163212大会负
硅纳米线将绘电子器件新版图
虽然我国目前已经初步实现了硅纳米晶体管、传感器等纳米器件的部分功能，但是离纳米器件的大规模集成还有相当大的距离。 美国斯坦福大学研究人员已经研发出用硅纳米线制成的“纸电池”。 当全世界的科学家一窝蜂地关注碳纳米管时，殊不知，另一种一维纳米材料硅纳米线同样能给人带来意想不到的惊喜。
半导体所研制出GaN基紫外激光器
12月14日，中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室研究员赵德刚团队研制出GaN基紫外激光器。GaN被称为第三代半导体，在光电子学和微电子学领域有广泛的应用，其中GaN基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值，也是国际上的研究热点。GaN基紫外激光器技术难度很大，目前国际
原位光电分析测试系统
原位光电分析测试系统以扫描电子显微镜为基础，集成阴极荧光谱、微纳机械臂、外部电学测量等功能，构建了一个直观、实时和原位地研究先进功能材料和器件物理性能的系统，不仅可以实现对纳米材料或器件的原位发光的检测和电学物性的测试、纳米尺度的操作和控制、以及特定纳米光电子器件的构筑，还可以实现实时原位研究
胶体量子点激光二极管问世
新墨西哥州洛斯阿拉莫斯国家实验室的科学家已将精心设计的胶体量子点结合到一种新型LED中，该新型LED包含集成的光学谐振器，从而使LED能够充当激光器。研究人员展示了一种可操作的LED，该LED还可以用作光泵浦的低阈值激光器。为了实现这些目标，他们将光谐振器直接集成到LED架构中，而不会阻碍电荷载
新技术有助大规模生产彩色发光二极管
一个国际科研小组在美国《科学进展》杂志上报告说，他们发明了一种简便而经济的新方法，能按需要制造不同尺寸的半导体纳米晶体，有助实现下一代彩色发光二极管的工业化大规模生产。 德国慕尼黑大学等机构的研究人员发现，对于发光二极管中用到的半导体，在纳米尺度上，改变半导体晶体的尺寸，可让它们发出不同颜色的
响应设备更新政策－|－半导体制造工艺、结构与表征解决方案
半导体制造工艺电动汽车等高新技术领域对高效动力转换的需求与日俱增，碳化硅与氮化镓材料扮演关键性角色,有效降低能耗并提升动力转换效率。牛津通过原子层沉积(ALD)与原子层刻蚀(ALE)技术优化了器件工艺。ALD工艺出色的 AlN/Al2O3/SiO2 钝化薄膜有效降低器件中的阈值电压漂移。而ALE低损
近场直写技术打印高度有序的微纳米线阵列
——精密元件制作的新思路 近年来，通过对传统静电纺丝工艺的改进，科研人员已经能够针对大量微纳米纤维进行同时操纵而制备出有序的纳米纤维阵列，然而却始终无法保证纤维阵列的高度有序性，从而极大的限制了其在精密微电子和光电子器件等领域的应用。为了弥补这种缺陷，需要开发新的制备工艺来实现对单根微纳米线的
石墨烯纳米带制备及其晶体管应用研究进展
在国家自然科学基金项目（批准号：61622404、62074098）等资助下，上海交通大学陈长鑫教授研究组与合作者们在具有光滑边缘的亚十纳米宽度的石墨烯纳米带（GNR）制备及其高性能晶体管应用研究方面取得重要进展。研究成果以“来自被压扁碳纳米管的边缘原子级光滑的亚十纳米石墨烯纳米带（Sub-10
硅衬底上生长高结晶性黑磷薄膜合作研究获进展
近期，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所研究员张凯与湖南大学教授潘安练、深圳大学教授张晗合作，在《自然-通讯》（Nature Communications）上发表题为Epitaxial nucleation and lateral growth of high-crystalline bla
IIIV族纳米线材料为新一代芯片赋予光学特性
IBM苏黎世研究实验室(IBM Research of Zurich)开发出一种尺寸极其微小的纳米线，具有一般标准材料所没有的光学特性，从而为开发出基于半导体纳米线的“新一代晶体管”电路研究而铺路。 该研究实验室与挪威科技大学(Norwegian University of Science
半导体所等在各向异性二维材料物性研究方面取得系列进展
二维层状晶体材料，比如石墨烯和二硫化钼（MoS2）等，具有优良的电学性能和光学性能，因此被期待可用来发展更薄、导电速度更快的新一代电子元件、晶体管和光电器件。近几年来，平面内各向异性的二维晶体材料，如黑磷(BP)，二硫化铼(ReS2)和二硒化铼(ReSe2)等，由于其具备的独特性质和在纳米器件方
智能纳米晶体对癌症宣战
在医学上，在体内特定区域靶向药物一直都是一个艰巨的难题。通常出现两方面原因：第一，药物本身没有高效发挥其功能的途径；另一方面它们在体内扩散过程中会杀死一大堆健康细胞，从而产生严重的副作用。但是，现在科学家们正努力地研究一些能指导药物特定靶向正确位置的智能纳米材料，从而解决这一医学难题。 当前大
激光晶体的主要组成及发展方向探讨
激光晶体及其元器件是光电子产业的重要基础材料，是固体激光器发出激光的核心元器件。由于激光晶体具有光学均匀性好、机械性能好、物化稳定性高、热导性好等优点，目前仍是固体激光器的热门材料，因此广泛用于工业、医疗、科研、通讯和军事等领域。如激光测距、激光目标指示、激光探测、激光打标、激光加工（包括切割、
新技术助力二维过渡金属硫族化学物“布阵”
半导体外延异质结是现代电子学和光电子学的基础。记者5月7日从湖南大学获悉，该校段曦东教授课题组报告了一种激光加工联合精准外延的系统性制造策略，制备了二维（2D）过渡金属硫族化学物（TMDs）横向异质结阵列。该研究是关于合成二维面内异质结阵列的首次公开报道，突破了二维面内异质集成的瓶颈，有
新技术助力二维过渡金属硫族化学物“布阵”
半导体外延异质结是现代电子学和光电子学的基础。记者5月7日从湖南大学获悉，该校段曦东教授课题组报告了一种激光加工联合精准外延的系统性制造策略，制备了二维（2D）过渡金属硫族化学物（TMDs）横向异质结阵列。该研究是关于合成二维面内异质结阵列的首次公开报道，突破了二维面内异质集成的瓶颈，有
《自然》在线发表南开新能源团队科研成果
12月22日，南开大学化学学院研究员袁明鉴、中国科学院院士陈军带领的科研团队与加拿大多伦多大学科研人员合作，围绕高性能半导体量子点固体合成中面临的关键科学问题，通过表面有机配体化学结构理性设计，发展了高性能导电钙钛矿量子点固体薄膜制备全新策略，实现了多材料、跨尺寸的钙钛矿三原色电致发光器件的可控构筑
印度开发出具有量子光电子学性质的材料
据《印度教徒报》近日消息，二烯化钨和二烯化钼等材料光电子特性（光学和电子学的结合）受到广泛研究，其一个关键特性是光致发光，材料吸收光并以光谱形式重新发射。印度理工学院（马德拉斯分校）研究人员发现一种方法，通过在二维薄膜上滴注金纳米颗粒，可使二烯化钨的光电子性能提高约30倍。相关研究成果在《应用物
挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W
半导体所在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展
最近，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在李京波研究员、李树深院士和夏建白院士的团队中，在二维GaS超薄半导体的基础研究中取得新进展。相关成果发表在2014年2月7日英国皇家化学会主办的《纳米尺度》(Nanoscale)上，并被选为“热点论文”(Hot
有它助阵，集成光电子器件加工不再难
兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作，通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅，利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导，有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战，降低了器件尺寸、提升了芯
半导体晶体中发现新型准粒子
英国《自然》旗下《通讯·物理》杂志日前发表了一项物理学新成果：德国科学家描述了一种在高质量半导体晶体中发现的新型准粒子——“Collexon”，其可以印证准粒子存在的材料所表现出的独特光学特征，以及不同寻常的物理特性，而这些特点对基础科学和应用科学都非常重要。 在由许多不同粒子组成的微观系统
高性能导电钙钛矿量子点固体薄膜制成
记者22日从南开大学化学学院获悉，该院袁明鉴研究员、陈军院士带领的科研团队与加拿大多伦多大学爱德华·萨金特教授课题组合作，围绕高性能半导体量子点固体合成中面临的关键科学问题，发展了高性能导电钙钛矿量子点固体薄膜制备全新策略，实现了多材料、跨尺寸的钙钛矿三原色电致发光器件的可控构筑。相关研究成果近日发
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
苏州纳米所印刷碳纳米管薄膜晶体管研究取得进展
印刷电子技术是最近5年来才在国际上蓬勃发展起来的新兴技术与产业领域，印刷电子技术成为当今多学科交叉、综合的前沿研究热点。高性能新型印刷电子墨水的研制成为印刷电子技术最关键的技术之一。半导体碳纳米管与其他半导体材料相比不仅尺寸小、电学性能优异、物理和化学性质稳定性好，而且碳纳米管构建的晶体管等电子
辉钼有望代替硅成为新一代半导体材料
据美国物理学家组织网1月31日报道，近日，瑞士洛桑联邦理工学院（EPFL）纳米电子学与结构（LANES）实验室称，用一种名为辉钼（MoS2）的单分子层材料制造半导体，或用来制造更小、能效更高的电子芯片，在下一代纳米电子设备领域，将比传统的硅材料或富勒烯更有优势。研究论文发表在1月30日的《自然·
首块纳米晶体“墨水”制成的晶体管问世
晶体管是电子设备的基本元件，但其构造过程非常复杂，需要高温且高度真空的条件。美韩科学家在《科学》杂志上报告了一种新型制造方法，将液体纳米晶体“墨水”按顺序放置。他们称，这种效应晶体管或可用3D打印技术制造出来，有望用于物联网、柔性电子和可穿戴设备的研制。 据宾夕法尼亚大学官网消息，研究人员在