科学家发现具明亮基态激子的半导体纳米晶体
件 来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图。图片来源：《美国化学学会·纳米》杂志通常情况下，纳米晶体内能量最低的激子被称为“暗”激子。暗激子的存在减缓了光的发射速率，限制了基于纳米晶体的器件，如激光器或发光二极管（LED）的性能。长期以来，科学家一直致力于寻找克服这一难题的办法。NRL研究人员表示，他们采取了一种创新思路，即寻找激子能级顺序颠倒的新材料，这样原本处于最低能量的暗激子就“变身”为明亮的激子。在最新研究中，他们根据自己开发的理论建模结果，在开源材料数据库中进行了广泛搜索，初步筛选出150多个潜在目标。随后，他们通过进一步计算分析，得到了28种具有明亮激子的纳米材料。ETH研究人员......阅读全文
《纳米快报》：一维半导体纳米结构光子学
在基金委青年基金、纳米重点项目和国家纳米测试基金及973课题的支持下，湖南大学纳米技术研究中心潘安练、邹炳锁教授等团队成员和北京大学、国家纳米中心以及德国马普研究所合作，在一维半导体纳米结构光子学的研究上取得了重大突破：首次正式提出了半导体一维纳米结构中光子输运的概念，建立光传播的理论模型，并在实验
硅表面生长纳米激光器技术问世
据美国物理学家组织网近日报道，美国加利福尼亚大学伯克利分校科学家利用新技术直接在硅表面生长出了极微小的纳米柱，形成一种亚波长激光器，这一成果将为制造纳米光学设备如激光器、光源检测仪、调制器、太阳能电池等带来新的突破。 硅材料奠定了现代电子学的基础，但它在发光领域还有很多不足
上海微系统所等在硅纳米线阵列宽光谱发光研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI材料与器件课题组在硅纳米线阵列宽光谱发光方面取得新进展。课题组研究人员将SOI与表面等离子体技术相结合，研究了硅纳米线阵列的发光性能，并且与复旦大学合作借助时域有限差分法(FDTD)理论计算了硅纳米线发光峰位与纳米腔共振模
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
南京师大在基于柔性光子晶体的智能感知方面取得进展
近日，南京师范大学未来光电功能材料研究中心甘志星、狄云松、刘慈慧团队在基于柔性光子晶体的智能感知器件方面的研究取得系列进展。报道了一种将光热材料与温敏水凝胶和柔性光子晶体结构色相结合的用于可视化检测太阳光强度的太阳能传感器[ACS Appl. Mater. Interfaces 2021, 13
发光器件角度分辨测试方案
发光器件的角度分辨测试主要用于确定其发光特性，特别是在不同角度下的光强和分布。对于评估器件的性能、优化设计和应用选择都至关重要。发光器件的角度分辨测试在多个方面都具有重要的意义，以下是其重要性的具体阐述：角度分辨测试是评估发光器件性能的关键手段之一。它能帮助工程师和技术人员了解发光器件在不同角度下的
我国在大直径半导体碳纳米管手性结构实现宏量分离
从概念上讲，碳纳米管是由石墨烯卷曲形成的一维管状分子，它不仅具有石墨烯优异的力学、热学性能以及极高的载流子迁移率等特点，而且具有结构可调的能隙结构，表现出优异的电子以及光电子特性，是制备高速、低功耗、高集成度电子和光电子集成回路的理想材料。相对于传统的Si基半导体器件，碳纳米管电子器件的能效能够
我国投资1.8亿深紫外固态激光项目世界领先
深紫外全固态激光源指输出波长在200纳米以下的固体激光器，与同步辐射和气体放电光源等现有光源相比具有高的光子流通量/密度、好的方向性和相干性。 中科院自上世纪90年代初开始研究深紫外非线性光学晶体和激光技术，经过20多年努力，在国际上首次生长出可直接倍频产生深紫外激光非线性光学晶体，并发明
黑磷在光子学、光电子学领域的材料特性探索与器件应用
近日，中国科学院深圳先进技术研究院材料界面研究中心李佳副研究员与喻学锋研究员等在材料学领域的著名刊物Small Methods上合作发表了题为“Optical and Optoelectronic Properties of Black Phosphorus and Recent Photoni
上海光电子器件展2024中国(上海)光电子器件展览会—官网
电子元器件展，电子仪器仪表展，电子仪器仪表展，电子元器件展，电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，电子仪器展，电仪器展览会，继电器展，电容器展，连接器展，集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点：上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询：021-5416 3
纳米能源所首次提出摩擦电子学新研究领域
最近，中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组将摩擦纳米发电机与传统场效应晶体管相结合，研制出接触起电场效应晶体管，首次提出了摩擦电子学（Tribotronics）这一新的研究领域。相关研究成果于8月16日在线发表于ACS Nano（DOI: 10.1021/nn5039806
硅衬底InGaN基半导体激光器研究方面取得进展
硅是半导体行业最常见的材料，基于硅材料的电子芯片被广泛应用于日常生活的各种设备中，从智能手机、电脑到汽车、飞机、卫星等。随着技术的发展，研究者发现通过传统的电气互联来进行芯片与系统之间的通信已经难以满足电子器件之间更快的通信速度以及更复杂系统的要求。为解决这一问题，“光”被认为是一种非常有潜力的
苏州纳米所单手性碳纳米管高纯度分离技术研究获进展
单手性碳纳米管是一种颇具前途的电子和光电子材料，具有确定的能带结构和近红外吸收发射特性，在碳基集成电路、红外光探测器与量子光源等方面有广泛的应用前景，有望成为下一代碳基电子的核心材料。已有较多方法（如梯度密度离心法、凝胶色谱法、双水相法）可分离得到多种单手性碳管，但这些单手性碳管的直径基本在1.
半导体器件有哪些分类
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类，一般来说这些还会被再分成小类。此外，IC除了在制造技术上的分类以外，还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，但还有按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类
半导体器件的开关特性
MOS的基本元件是MOS管。MOS管是一种电压控制器件，它的3个电极分别称为栅极(G)、漏极（D）和源极（S），由栅极电压控制漏源电流。MOS管根据结构的不同可分为P型沟道MOS管和N型沟道MOS管两种，每种又可按其工作特性进一步分为增强型和耗尽型两类。 1、静态特性 MOS管作为开
“弹出式”三维成型技术－可制备微纳米半导体器件
见过一打开便有小房子或城堡立起来的那种立体书吧。受这种儿童玩具书的启发，中国、美国、韩国研究人员开发出一种特别简单的“弹出式”三维成型技术，可制备现有3D打印技术无法实现的微纳米半导体器件。 这项成果发表在新一期美国《科学》杂志上。研究负责人之一、美国西北大学研究助理教授张一慧对新华社记者说，
新疆理化所等发表苝二酰亚胺超分子自组装技术综述文章
10月6日，国际综述性期刊Chemical Reviews 在线发表了由中国科学院新疆理化技术研究所环境科学与技术研究室研究员王传义团队和美国犹他大学教授臧泠团队撰写的题为Self-Assembly of Perylene Imide Molecules into 1D Nanostructur
国家纳米中心等在分子自旋光伏器件研究中取得重要进展
近日，中国科学院国家纳米科学中心研究员孙向南和西班牙巴斯克纳米科学中心教授Hueso等合作，在分子自旋电子学研究方面取得重要进展，提出并报道了全新的分子自旋光伏器件。相关研究成果于8月18日在《科学》（Science）杂志在线发表，并已申请国家发明ZL（申请号:201611011759.5）。
半导体所等实现晶圆级高质量InAs纳米结构的维度调控
最近，国际期刊《纳米快报》（Nano Letters, DOI: 10.1021/acs.nanolett.8b04561）报道了中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队与合作者在晶圆级高质量InAs纳米结构维度调控方面的最新研究成果。 InAs是一种重要的III-V
新型金属硫化物二维半导体材料性质探明
近日，中国科学院半导体研究所超晶格国家重点实验室博士后杨圣雪、博士生李燕，在研究员李京波、中科院院士李树深和夏建白等人的指导下，取得二维GaS超薄半导体的基础研究中新进展，探明了新型超薄金属硫化物二维半导体材料性质。2月7日，相关成果发表在英国皇家化学会主办的《纳米尺度》上，并被选为热点论文。
福建物构所稀土掺杂半导体纳米发光材料研究取得新进展
稀土掺杂TiO2纳米晶敏化发光和上转换发光示意图 稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料，二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比，半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多，因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光
塑料制成的柔性电脑有望在十年后面市
柔性显示器 日本国家材料科学研究所的研究人员透露，晶体管制造技术的重大改进将很快成为现实，并投入使用，例如，被用来制造更加柔性，像纸一样薄的电脑屏幕。 科学家们回顾了光敏有机场效应晶体管研究的最新进展；包含有机半导体器件，放大微弱的电子信号，既能发射也能接受光线。 开发有机场效应晶体管(OFE
CMIC：几种主要半导体材料的应用与发展现状
20世纪中期，单晶硅和半导体晶体管的发明及硅集成电路的研制成功，引发了电子工业革命；20世纪70年代初，石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术的跨越式发展并逐步形成高新技术产业……随着科技发展，半导体材料越来越多，其在各行业中的应用，深刻地改变着人们的生活方式。那么，现阶段几
光电子器件的可靠性检测
物理特性测试项目1、内部水汽：确定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。2、密封性：确定具有内空腔的光电子器件封装的气密性。3、ESD阔值：确定光电子器件受静电放电作用所造成损伤和退化的灵敏度和敏感性。4、可燃性：确定光电子器件所使用材料的可燃性。5、剪切力：确定光电子器件的芯片和无源器件
“纳米科技”重点专项项目联合召开启动实施会议
2018年9月25日，国家重点研发计划“纳米科技”重点专项项目“高性能中远红外半导体激光器与探测成像芯片及应用”和“多场耦合纳米异质结构光电子器件的基础研究”在北京联合召开启动实施会议。专项总体专家组专家祝世宁院士、刘明院士、黄如院士以及同行专家解思深院士、郑有炓院士、夏建白中院士等10余位专家组成
我国成功研制单根分散、低接触电阻的单壁碳纳米管
透明导电薄膜是触控屏、平板显示器、光伏电池、有机发光二极管等电子和光电子器件的重要组成部件。氧化铟锡（ITO）是当前应用最为广泛的透明导电薄膜材料，但ITO不具有柔性且铟资源稀缺，难以满足柔性电子器件等的发展需求。单壁碳纳米管（SWCNT）相互搭接形成的二维网络结构具有柔韧、透明、导电等特点，是
苏州纳米所GaN基核探测器研究取得新进展
GaN基材料作为第三代半导体的杰出代表，已经被广泛应用于光电子领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。另外，GaN基材料具有很好的抗辐射性和很高的化学稳定性，近年来人们逐渐开始关注其在核探测领域的基础和应用研究。常规GaN基材料因其背景载
在半导体异质结隧穿电子调控机制研究中取得进展
中国科学院上海技术物理研究所红外科学与技术重点实验室胡伟达、苗金水团队，与美国宾夕法尼亚大学教授德普·贾瑞拉合作，通过耦合局域场调控二维原子晶体能带，实现硒族半导体/硅半导体异质结隧穿电子的有效操控，为混合维度异质结构在高性能电子与光电子器件研制方面奠定了理论与实验基础。10月28日，相关研究成
科学家在单原子层材料中首次观测到压电电子学效应
美国佐治亚理工学院和中国科学院北京纳米能源与系统研究所王中林院士领导的研究小组最近与美国哥伦比亚大学的James Hone研究组合作，首次在二维单原子层材料二硫化钼中实验观测到压电效应(piezoelectric effect)和压电电子学效应(piezotronic effect)，并首次成功
半导体所在柔性电子学研究中取得系列成果
近年来，基于柔性衬底的柔性电子学受到了全球范围越来越广泛的关注，其在柔性显示、电子皮肤、传感器、可再生能源等诸多领域都有着潜在的应用前景。而低维无机半导体纳米材料的特殊形貌、优异的电学/光学性能、良好的机械柔韧性等特点，使其成为了柔性电子学领域的一类非常优异的材料体系。 近年来，在国家自然科学