突破极限！复旦大学研发纳秒级超快闪存技术
在人工智能技术迅猛发展的今天，对高速非易失存储技术的需求日益增长。当前，主流非易失闪存技术的编程速度大多停留在百微秒级，难以满足应用需求。近日，复旦大学周鹏-刘春森团队在二维半导体结构领域取得了重大突破，实现了纳秒级超快存储闪存技术。 据悉，该研究团队基于界面工程技术，首次在国际上实现了1Kb纳秒超快闪存阵列的最大规模集成验证，并通过《自然-电子学》杂志发布了其研究成果。该项技术不仅证明了超快特性能够延伸至亚10纳米级别，而且通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，纳秒级非易失编程速度下良率高达98%。 复旦大学的研究团队还研发了一种不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，刷新了当前国际最短沟道闪存器件记录，并突破了硅基闪存的物理尺寸极限。 该研究得到了科技部重点研发计划、基金委重要领军人才计划、上海......阅读全文
「主办方」数据中心展/2024深圳存储/闪存展览会丨官宣
2024深圳国际数据中心峰会暨展览会 Shenzhen International Data Center technology and Equipment Exhibition 参展咨询：021-5416 3212 大会负责人：李经理 136 5198 39782024年4月9-11日参展咨询
俄罗斯物理学家研制出基于石墨烯材料的闪存原型
俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所的科学家们利用多层石墨烯材料制造的闪存，无论在信息存储速度还是保存时间方面都超过现有其它材料制成的闪存。 据科研人员介绍，石墨烯闪存的作用原理是在存储介质（多层石墨烯材料）里注入和保存电荷，而隧道层和阻挡层是闪存必需的组成部分，其隧道层由氧化硅制得，
俄罗斯物理学家研制出基于石墨烯材料的闪存原型
俄罗斯科学院西伯利亚分院半导体物理研究所的科学家们利用多层石墨烯材料制造的闪存，无论在信息存储速度还是保存时间方面都超过现有其它材料制成的闪存。 据科研人员介绍，石墨烯闪存的作用原理是在存储介质（多层石墨烯材料）里注入和保存电荷，而隧道层和阻挡层是闪存必需的组成部分，其隧道层由氧化硅制得，阻
全闪新品亮相，曙光存储进军高端存储
6月25日，曙光存储召开了主题为“先进存力，凝聚数据要素”的新品暨品牌发布会，发布了业内首个亿级IOPS集中式全闪存储FlashNexus，同时升级分布式存储ParaStor，并推出行业首个通存解决方案，以应对“强无止境”数据存储性能和成本需求。曙光存储FlashNexus系列示意图。图源：曙光存储
南水北调安全保障项目获北京市科学技术奖
北京市政府办公厅下发通知，授予220项科研项目北京科学技术奖，包括 “超大规模集成电路先进闪存存储器成套工艺与产品技术研发及产业化”等30项一等奖，60项二等奖和130项三等奖。 市政府办公厅下文表示，根据《北京市科学技术奖励办法》的规定，经市科学技术奖励评审委员会评审，市政府批准，授予“超
中国第一颗55纳米智能卡芯片问世
中芯国际集成电路制造有限公司与北京中电华大电子设计有限责任公司（“华大电子”）共同宣布，华大电子推出中国第一颗55纳米智能卡芯片，该芯片采用中芯国际55纳米低功耗（LL）嵌入式闪存（eFlash）平台，具有尺寸小、功耗低、性能高的特点，目前已实现量产供货，其优良性能得到客户的广泛认可。 中芯
台湾研发出全球最小9纳米超节能内存
据香港中通社报道，台湾“国研院”纳米（台称“奈米”）组件实验室领先全球，开发出全球最小的9纳米功能性电阻式内存(R-RAM)数组晶胞；这个新内存在几乎不需耗电的情况下，1平方厘米面积内可储存1个图书馆的文字数据，将让信息电子产品的轻薄短小化有无限发挥的可能性，这项技术预计在5到10年内
美推出基于概率运算的新型芯片
据美国物理学家组织网近日报道，美国新兴公司Lyric半导体公司推出了一种新型芯片，该芯片的运算主要基于概率而非传统的二进制逻辑。它仍由晶体管制成，但它输入输出的值是概率而非0或1，公司表示，这种新型芯片更适用于用来解决现代社会中各种纷繁复杂的问题。 该公司最新公布的首款基于概率技术的闪存纠错芯
张云泉委员：夯实数据基础设施－促进上云数据流动和安全
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/495316.shtm我国近年来在不断推进企业数字化转型，陆续发布了《关于推进“上云用数赋智”行动 培育新经济发展实施方案》、《关于加快推进国有企业数字化转型工作的通知》等政策文件，均鼓励企业“上云用数赋智
国产新星半导体巨头崛起，实现弯道超车
首先是长江存储在全球拥有10，000多名员工，7000多项ZL申请。是一家以3D NAND闪存为主，涵盖计算机、移动通信等领域的电路企业，致力于成为存储技术的领导者。如今，作为三星、东芝这样的高科技企业，长江存储曾经有着令人钦佩的R&D历史。长江存储的前身武汉新鑫，因经济衰退而举步维艰。危急之时
IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存
我国成功研制80纳米“万能存储器”核心器件
想必大家都曾经遭遇过电脑突然断电，因数据未及时保存后悔不已；或是因为手机待机时间太短而莫名焦虑……这些尴尬有望避免。记者日前获悉，北京航空航天大学电子信息工程学院教授赵巍胜与中科院微电子所集成电路先导工艺研发中心研究员赵超联合团队经过三年攻关，成功制备国内首个80纳米自旋转移矩-磁随机存储器器件
新研究厘清忆阻器工作时的内部变化
据美国计算机世界网站5月16日报道，惠普公司的科学家在忆阻器的研发上取得新突破，他们弄清楚了忆阻器在电操作期间，其内部的化学性质和结构变化，借此可以改进现有忆阻器的性能。相关研究发表在16日出版的《纳米技术》杂志上。 忆阻器是一种有天然记忆功能的非线性电阻，通过控制电流的变
希伯来大学研发太赫兹微芯片，速度将提升100倍
经过三年的研究，耶路撒冷希伯来大学(HU)物理学家乌利埃尔·利维博士和他的团队发明了一种全新的芯片技术。这种太赫兹微芯片可以使我们的计算机和所有的光学通信设备能够以更快的速度来运行。到目前为止，两大挑战阻碍了太赫兹微芯片的制造，即过热和可扩展性。然而,本周在“激光与光电子评论”上发表的一篇论文中，N
希伯来大学研发太赫兹微芯片，速度提升100倍
导读： 经过三年的研究，耶路撒冷希伯来大学(HU)物理学家乌利埃尔·利维博士和他的团队发明了一种全新的芯片技术。这种被称为太赫兹微芯片可以使我们的计算机和所有的光学通信设备能够以更快的速度来运行。 经过三年的研究，耶路撒冷希伯来大学(H
陕西省计量院为三星电子项目全面开展计量校准服务
陕西省计量科学研究院（以下简称陕西省计量院）以技术实力赢得国际合作，为在国内最大的外商投资项目——三星（中国）半导体有限公司高端存储芯片项目（以下简称三星电子项目）及多家配套公司进行计量校准服务，目前首批温湿度记录仪等50台仪器已在陕西省计量院检定完毕。 三星（中国）半导体有限公司高端存储芯
小身材、大功率手掌大小的高亮度发光LED频闪灯－袖珍闪...
小身材、大功率-手掌大小的高亮度发光LED频闪灯 袖珍闪频仪 P-1袖珍闪频仪 P-1袖珍闪频仪P-1是一种手持LED频闪仪.非常轻巧，可以携带在您的口袋，是个十分理想的工具，可用于商务旅行和简单的检查现场。在充分利用LED的优点的同时，获得了足够短的闪光灯持续时间和较大的光强。最大闪烁频率为360
浅析SRAM和DRAM的真正区别（三）
AI 、5G渴望新内存材料的支持对于所有类型的系统设计者来说，新兴存储技术都变得极为关键。AI和物联网IoT芯片开始将它们用作嵌入式存储器。大型系统已经在改变其架构，以采用新兴的存储器来替代当今的标准存储器技术。这种过渡将挑战行业，但将带来巨大的竞争优势。今天，业界仍在寻找通用存储器，随着S
助力开发超快人工神经网络存算一体系统
中国科学技术大学李晓光团队基于铁电隧道结量子隧穿效应，实现了具有亚纳秒信息写入速度的超快原型存储器，并可用于构建存算一体人工神经网络，该成果近日在线发表于《自然—通讯》。 在大数据时代，海量数据的低能耗、快速存储处理是突破和完善未来人工智能、物联网等技术发展的关键之一。为此，迫切需求一种既能匹
碳纳米管有望实现存储器微型化
耗电量极低 能以高速记录信息 英国科学家发现，将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。 自从1958年发明集成电路以来，计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今，英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器
使用同时读写（RWW）功能防止系统瓶颈
将智能化移至边缘设备(终端)可以使系统具有更好的实时性能、更好的功率效率和增强的安全性。但是,更多的智能要求更多的代码、更多的数据,并且在系统固件更新期间,执行命令也不能有所延迟。无论是执行高速数据传输还是直接在内存执行代码,边缘设备的关键系统设计要求是选择合适的非易失性存储器。这在执行写操
便携式土壤水分速测仪和特点描述
便携式土壤水分速测仪利用可靠的时域反射技术，能够对土壤水分变化全量程的进行精确测量。改进的人体工程学设计提供了快速简便的测量方式。一键获取土壤水分读数，多种探针长度可以让您更好的测量目标区域数据。 特点： 显示VWC％（具有运行平均值） 在TDR 300模式下运行 测量时间短，速度快
科学家开发出三维垂直场效应晶体管
科技日报北京6月14日电 （记者张梦然）通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道，日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管，可用来生产高密度数据存储器件。此外，通过使用反铁电体代替铁电体，他们发现擦除数据只需要很小的净电荷，从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该
美研制新型非易失性铁电存储设备
据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家们正在研制一种新的计算机存储设备——铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM），其将比现在的商用存储设备更快捷，且比占主流的闪存能耗更低。研究发表在美国化学学会的《纳米快报》杂志上。 这种最新的存储设备将由硅纳米线和铁电聚合物集合而成。铁
美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重，有人以为看到了集成电
《纳米快报》：美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重，有人以为看到了集成电路技
Nand－Flash的特性及其烧录关键点详解（一）
为什么烧录Nand Flash经常失败？为什么烧录成功了，一部分Nand芯片贴板之后系统却运行不起来？…，等等，问了那么多为什么，那我反问一个问题：你了解Nand Flash的特性及其烧录关键点吗？ 一、Nand flash的特性 1、位翻转 在 NAND 闪存是通过对
高价值ZL：竞争力的源头活水
高水平创新是企业发展的灵魂和生命力。京信通信系统控股有限公司的“一种超宽带双频合路器”不仅打破国外技术垄断、为国家节省了近千亿元的采购资金，而且已实现销售额近17亿元，用ZL创造了企业发展的奇迹。 放眼当今世界，知识产权对于企业发展的战略意义不言而喻。而高价值ZL在支撑企业创新发展方面发挥了
图技GL240数据温度记录仪特点
日本图技GRAPHTEC GL220数据温度记录仪：10个隔离通道通道间是隔离的，这样如果是由于接线错误或过载造成的通道损坏就不会对周围其他通道造成任何影响。图技GL220温度记录仪GRAPHTEC GL220数据采集仪搭载小型10ch 2GB存储器的真正数据记录器图技GL220温度记录仪GRAPH
2008年个人技术十大趋势
每过一年，从手机、小设备到媒体播放器的个人技术都会变得性能更好、尺寸更小、价格更低。 基于闪存的超便携电脑 目前，谁是笔记本电脑和手机市场的领头羊一目了然。但手机和笔记本电脑之间的地盘仍有待争夺。虽然去年出现了数百款产品，从超移动电脑、超便携电脑到平板电脑，但都没有吸引主流顾客的注意力。 这一切将在