突破极限！复旦大学研发纳秒级超快闪存技术
在人工智能技术迅猛发展的今天，对高速非易失存储技术的需求日益增长。当前，主流非易失闪存技术的编程速度大多停留在百微秒级，难以满足应用需求。近日，复旦大学周鹏-刘春森团队在二维半导体结构领域取得了重大突破，实现了纳秒级超快存储闪存技术。 据悉，该研究团队基于界面工程技术，首次在国际上实现了1Kb纳秒超快闪存阵列的最大规模集成验证，并通过《自然-电子学》杂志发布了其研究成果。该项技术不仅证明了超快特性能够延伸至亚10纳米级别，而且通过严格的直流存储窗口、交流脉冲存储性能测试，证实了二维新机制闪存在1Kb存储规模中，纳秒级非易失编程速度下良率高达98%。 复旦大学的研究团队还研发了一种不依赖先进光刻设备的自对准工艺，结合原始创新的超快存储叠层电场设计理论，成功实现了沟道长度为8纳米的超快闪存器件，刷新了当前国际最短沟道闪存器件记录，并突破了硅基闪存的物理尺寸极限。 该研究得到了科技部重点研发计划、基金委重要领军人才计划、上海......阅读全文
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片将计算机运行速度提高一百倍科技日报北京3月26日电（记者刘霞）据美国《每日科学》网站25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片
据美国《每日科学》网站25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。 北京大学现代光学所陈建军研究员对科技日报记者说，到目前为止，研制
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片
据科技日报报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。分析称，新研究有助科学家研制出新的、功能更强大的无线设备，大幅提高数据传输速度——这是改变
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片应用案例一
闪存技术有望带来太赫兹频率光子芯片根据科技日报消息，据美国《每日科学》网站报道，以色列科学家利用金属氧化氮氧化硅（MONOS）结构设计出一种新型集成光子回路制备技术。该技术在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将目前标准的8—16千兆赫计算
固态硬盘闪存颗粒是什么
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。因其，体积小，耐抗性强，存储稳定等优势，目前开始大规模运用在电子产品中。其中，固态硬盘产品的由来，就得益于闪存颗粒的大发展而诞生。与此同时，近年来手机、平板等电子
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（一）
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架构/颗粒/接口/可靠性全面解析 闪存最明显特点就是稳定性能，低时延和高随机IOPS。对于闪存，在评估性能时，我们一般主要关注90% IO落入规定的时延范围(性能是一个线性范围，而不是某一个点)。数据保护等追求所有软件特性都基于Inlin
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
SSD接口技术 我们知道闪存磁盘是在HDD以后出现的，由于SSD优异的随机性能、越来越大的容量和越来越低的成本等优势，使得闪存热度上升、乃至替换HDD的趋势。由于历史继承性等原因，SSD在设计是也是借鉴了部分HDD技术，包含接口技术，现在绝大多数SSD都是采用SATA/SAS接口。SATA接口
突破极限！复旦大学研发纳秒级超快闪存技术
在人工智能技术迅猛发展的今天，对高速非易失存储技术的需求日益增长。当前，主流非易失闪存技术的编程速度大多停留在百微秒级，难以满足应用需求。近日，复旦大学周鹏-刘春森团队在二维半导体结构领域取得了重大突破，实现了纳秒级超快存储闪存技术。 据悉，该研究团队基于界面工程技术，首次在国际上实现了1Kb
新研究将推动超快闪存技术的产业化应用
8月12日，复旦大学微电子学院教授周鹏，集成芯片与系统全国重点实验室、芯片与系统前沿技术研究院研究员刘春森团队，在国际上首次实现最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米，将推动超快颠覆性闪存技术的产业化应用。相关研究发表于《自然-电子学》。随着人工智能的飞速发展，
闪存技术大餐——架构/颗粒/接口/可靠性全面解析架（二）
Flash颗粒解析 学习过模拟电路的同学都知道，在模电原理里三极管分两种，一种是双极性三极管，主要基于载流子用来做电流放大，另一种叫做CMOS场效应三极管，通过电场控制的金属氧化物半导体。NAND Flash就是基于场效应P/N沟道和漏极、栅极技术通过浮栅Mosfet对栅极充电
IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据－成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片－将计算机速度...
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片 将计算机速度提高百倍据科技日报报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。分析称，新研究有助科学家研制出新的
固态硬盘闪存颗粒分哪几类
分为三种颗粒，MLC,TLC,SLCSLC = Single-Level Cell ，即1bit/cell，速度快寿命长，价格超贵（约MLC 3倍以上的价格），约10万次擦写寿命MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000
闪存技术有望带来太赫兹量级光子芯片,将速度提高百倍
据美国《每日科学》网站3月25日报道，以色列科学家提出了一种新型集成光子回路制备技术——在微芯片上使用闪存技术，有望使体型更小、运行速度更快的光子芯片成为现实，运算频率达太赫兹量级，从而将计算机和相关通信设备的运行速度提高100倍。
石墨烯联手辉钼矿催生新型闪存
据物理学家组织网近日报道，瑞士洛桑联邦理工学院的科学家通过将石墨烯和辉钼矿(分子式为MoS2)两种具有优越电性能的材料相结合，制成了新型闪存的原型，在性能、尺寸、柔性和能耗等方面都很具前景。相关研究报告发表在近期出版的《美国化学学会・纳米》杂志上。 辉
复旦团队实现纳秒级编程闪存规模集成
本报讯（记者颜维琦）人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队的前期研究表明，二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战
复旦团队实现纳秒级编程闪存规模集成
人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术。当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒级，无法支撑应用需求。复旦大学周鹏-刘春森团队的前期研究表明，二维半导体结构能够将其速度提升1000倍以上，实现颠覆性的纳秒级超快存储闪存技术。然而，如何实现规模集成、走向真正实际应用仍极具挑战。 记者获悉，
“记忆闪存法”或可增强孤独症患者学习能力
以色列政府新闻办公室1日发布公报称，该国近期一项研究发现“记忆闪存法”或能增强孤独症患者的视觉识别及学习能力，相关论文已发表在美国《当代生物学》杂志上。 孤独症（也称自闭症）患者常常存在感知和记忆障碍，改善孤独症患者的认知能力一般需要长期繁琐的训练。由以色列特拉维夫大学和内盖夫本-古里安大学合作
“记忆闪存法”或可提高孤独症患者学习能力
以色列政府新闻办公室1日发布公报称，该国近期一项研究发现“记忆闪存法”或能增强孤独症患者的视觉识别及学习能力，相关论文已发表在美国《当代生物学》杂志上。孤独症（也称自闭症）患者常常存在感知和记忆障碍，改善孤独症患者的认知能力一般需要长期繁琐的训练。由以色列特拉维夫大学和内盖夫本-古里安大学合作完成的
中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺
9月11日，中芯国际集成电路制造有限公司（以下简称中芯国际）宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪，中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发，可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求，使中芯国际占据该领域的领先地位。
英研发分子材料存储装置－可客服闪存空间限制问题
英国新一期《自然》杂志刊载新研究说，科研人员开发出一种分子材料，可克服传统电子元件造成的闪存空间限制问题，使常用的相机、手机等存储卡提升存储能力。 闪存是一种很普遍的数据存储技术，但由于现有的数据单元设计问题，这种存储方式有着物理上的局限性。目前闪存装置采用金属氧化物半导体，而用这种材料很难生
关于嵌入式闪存的一些错误观念（一）
多年来，汽车行业的发展和创新一直推动着半导体行业的发展。根据IHS的数据可知，汽车半导体市场的年收入已经超过300亿美元，而随着ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，这一数字还将不断上升。目前，每辆豪华车内部半导体元件的总价值约为1000美元，而中档车内部半导体元件的总价值约为350美元，
关于嵌入式闪存的一些错误观念（二）
嵌入式闪存支持EEPROM功能传统的EEPROM架构支持字节写操作，因而常常被需要频繁更新数据的应用程序所用。通常，嵌入式闪存是按一定规则排列的一组存储单元，又称为扇区。扇区需要在写入新数据前完全擦除。幸运的是，我们可以使用SRAM缓冲器在整个嵌入式闪存区的一小部分上模拟EEPROM功能，既
复旦团队实现纳秒编程闪存规模集成和8纳米极限微缩
8月13日，记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发，在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术，当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒
复旦团队实现纳秒编程闪存规模集成和8纳米极限微缩
8月13日，记者从复旦大学获悉，该校周鹏-刘春森团队从界面工程出发，在国际上首次实现了最大规模1Kb纳秒超快闪存阵列集成验证，并证明了其超快特性可延伸至亚10纳米。相关研究成果12日发表于国际期刊《自然·电子学》。人工智能的飞速发展迫切需要高速非易失存储技术，当前主流非易失闪存的编程速度普遍在百微秒
2D－NAND和3D－NAND间有哪些区别和联系？
如果用一个词来描述2016年的固态硬盘市场的话，那么闪存颗粒绝对是会被提及的一个关键热词。在过去的2016年里，围绕着闪存颗粒发生了一系列大事，包括闪存颗粒的量产引发固态涨价，闪存颗粒的制程问题引发的厂商竞争，以及“日经贴”般的MLC/TLC颗粒的优劣问题。那么，到底什么是闪存颗？2D NA
破解垄断－我国首批32层3D－NAND闪存芯片年内将量产
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层３ＤＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，从而填补我国主流存储器领域空白。图片来源于网络 目前，我国通用存储器基本全部依赖进口，国家存储器基
一文解析SLC、MLC和TLC三者的区别
X3(3-bit-per-cell)架构的TLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸，最早期NAND Flash技术架构是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1个存储器储存单元(cell)中存放1位元(bit)的资料，直到MLC(Multi-Level Cell)技术
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强...
为什么在NAND闪存存储系统中实现低故障率不仅需要强大的ECC代码？ 该行业非常重视单个ECC代码的强度：但经常被忽视的是错误预防的强度，这在纠正甚至发挥作用之前是重要的我们如何在基于NAND闪存的系统中实现最低的故障率？您可能已在工程团队或存储系统供应商之间进行过此次讨论。正在采取哪些措施来