IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存储器（PCM）兼具速度快、耐用、非挥发性和高密度性等多种优势于一身，其读写数据和恢复数据的速度是现在应用最广泛的非挥发性存储技术闪存的100倍；断电时，其仍拥有高超的存储能力，也不会造成数据丢失；而且，PCM能耐受1亿次写循环，而目前企业级闪存能耐受3万次写循环，消费级闪存仅为3000次。 PCM利用材料（由各种不同元素组成的合金）从低电阻值的结晶态转变到高电阻值的非结晶态中电阻值的变化来存储数据字节。在一个PCM单元中，相变材料被放在上下两个电极之间。科学家可以通过施加不同电压或不同强度的电流脉冲来控制相变。这些电压或脉冲会加......阅读全文
IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存
IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据－成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包
《纳米快报》：美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重，有人以为看到了集成电路技
美科学家开发出宽度5纳米忆阻器
上世纪60年代，英特尔公司创始人之一戈登·摩尔提出了著名的摩尔定律：集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。然而，芯片的进一步小型化遇到越来越多的技术局限。在传统硅芯片技术上所能取得的进步受到物理法则和资金的限制也越来越严重，有人以为看到了集成电
“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目通过验收
8月1日，受科技部国际合作司委托，江苏省科技厅组织专家，对中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所程国胜研究员主持的科技部国际科技合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”进行了验收。 验收专家组由中国电子科技集团公司第58研究所、南京大学、南京工大、中科院上海硅酸盐研究所、复旦大学、上海交大
纳米限制结构相变存储器成功开发
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研人
国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
院企合作突破相变存储器关键技术
今天，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展的相变存储器（PCRAM）研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来，合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破，实现了产业化销售。
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
IBM科学家用12个原子制成世界最小磁存储器
IBM研究中心的科学家成功展示了仅利用12个原子进行计算机信息“0”和“1”的存储，即一个比特位。目前的磁盘驱动器需要动用上百万个原子来存储一个比特位。传统磁盘使用铁磁材料进行数据存储，一个比特位内所有原子的自旋方向相同，用同一磁化方向来表示“0”或“1”。然而，铁磁材料在尺寸方面遇到
“半导体相变存储器”等三个项目结题验收
上海市科学技术委员会、中国科学院前沿科学与教育局： 重大科学研究计划“半导体相变存储器”等3个项目（项目清单见附件）实施期满，根据《国家重点基础研究发展计划管理办法》的要求，应进行结题验收。结题验收工作分为课题验收和项目验收两个阶段。课题验收由项目首席科学家会同项目依托部门组织，于10月20日
相变过程导热系数的研究
相变材料(PCM - Phase Change Material)是指随温度变化而改变物理性质并能提供潜热的物质。转变物理性质的过程称为相变过程，相变材料将吸收或释放大量的潜热，称为相变潜热。相变材料物理状态发生变化时，材料自身的温度在相变完成前几乎维持不变，形成一个宽的温度平台，但吸收或释放的潜热
上海微系统所三维存储器设计取得进展
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所相变存储器课题组在三维存储器设计领域取得进展，研究成果以A Single-Reference Parasitic-Matching Sensing Circuit for 3-D Cross Point PCM为题，发表在IEEE Transaction
具存储与处理功能的人造神经元问世
据物理学家组织网日前报道，IBM公司的科学家使用相变材料，制造出了能存储和处理数据的随机脉冲神经元。科研人员表示，这种神经元集群与人造突触等纳米计算元件联合，或是制造可用于认知计算领域的下一代超密集神经形态计算系统的关键，这一系统可用于认知计算领域。 研究负责人埃万杰洛斯·埃莱夫特里乌说：“十
具有极限操作速度的相变存储器研制方面取得新进展
当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。研究表明，相变存储器的热稳定性越差，
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光
研究阐明砷在双向阈值开关中的作用机制
砷（As）是高毒性元素，但长期以来被广泛用于半导体制造，即通过将砷注入硅衬底制造N型半导体。同时，砷是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程具有重要的作用。相变存储器是新兴的存储器技术，可填补现代计算机中闪存和内存之间的性能鸿沟。1964
研究阐明砷在双向阈值开关中的作用机制
砷（As）是高毒性元素，但长期以来被广泛用于半导体制造，即通过将砷注入硅衬底制造N型半导体。同时，砷是第二代半导体的标志性材料砷化镓的主要成分。砷在相变存储器（PCM）的发现、开发和最终商业化过程具有重要的作用。相变存储器是新兴的存储器技术，可填补现代计算机中闪存和内存之间的性能鸿沟。1964 年，
苏州纳米所在3D打印豆荚结构光热相变储能微格上获进展
将太阳光转化成热能并进行有效存储是太阳能利用的重要方式，相变材料（PCM）光热能量捕获和储存因其具有高能量储存和释放能力、相变时温度变化小、可重复利用、长期稳定等特点，在太阳能的高效转换与开发方面有巨大应用潜力。PCM的有效和可靠封装是实现高性能光热能量捕获和储存的关键。然而，传统PCM封装技术
浅析SRAM和DRAM的真正区别（三）
AI 、5G渴望新内存材料的支持对于所有类型的系统设计者来说，新兴存储技术都变得极为关键。AI和物联网IoT芯片开始将它们用作嵌入式存储器。大型系统已经在改变其架构，以采用新兴的存储器来替代当今的标准存储器技术。这种过渡将挑战行业，但将带来巨大的竞争优势。今天，业界仍在寻找通用存储器，随着S
研究设计出具有电磁屏蔽性能的多功能相变复合材料
近日，中北大学先进能源材料与系统研究院黄鹊团队设计了一种新型的CuS复合碳基Ni Al-LDH（水滑石）多功能相变复合材料（MPC@Ni Al-LDH/CuS），展现出了多种优异的功能，如高相变焓、热导率、电磁屏蔽和电导率等，相关研究成果发表在Chemical Engineering Journal
研究设计出具有电磁屏蔽性能的多功能相变复合材料
近日，中北大学先进能源材料与系统研究院黄鹊团队设计了一种新型的CuS复合碳基Ni Al-LDH（水滑石）多功能相变复合材料（MPC@Ni Al-LDH/CuS），展现出了多种优异的功能，如高相变焓、热导率、电磁屏蔽和电导率等，相关研究成果发表在Chemical Engineering Journal
模拟AI芯片将语音识别能效提升14倍
美国IBM研究实验室的科学家报告了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器，该技术或能打破当前AI开发中因对算力性能和效率的需求而遇到的瓶颈。相关研究近日发表于《自然》。 随着AI技术的崛起，对能源和资源的需求也随之上升。在语音识
模拟AI芯片将语音识别能效提升14倍
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/8/507362.shtm美国IBM研究实验室的科学家报告了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器，该技术或能打破当前AI开发中因对算力性能和效
新型相变材料实现高速低功耗相变存储
最新一期《科学》杂志发表了中国科学家在相变存储领域的重大突破：中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队研发出一种全新高速低功耗相变材料——钪锑碲合金（ScSbTe），用其制成的相变存储单元实现了700皮秒内（0.7纳秒）的高速可逆擦写操作，操作能耗比现有国际量产锗锑碲合金（GeSbTe）降低了
AI模拟芯片能效达传统芯片14倍
《自然》23日发表的研究报道了一种能效为传统数字计算机芯片14倍的人工智能（AI）模拟芯片。这一由IBM研究实验室开发的芯片在语音识别上的效率超过了通用处理器。该技术或能突破当前AI开发中因算力性能不足和效率不高而遇到的瓶颈。随着AI技术的崛起，对能源和资源的需求也随之上升。在语音识别领域，软件升级
2019－IEDM：IBM和Leti（二）
Leti在我的Leti访谈中，我们讨论了他们与IBM的合作论文，“ Imaging， Modeling and Engineering of Strainin Gate－All－Around Nanosheet Transistors ”。在这项工作中，他们再次专注于纳米片／纳米线，他们
2019－IEDM：IBM和Leti（一）
IBM和Leti在今年IEDM上分别发表了若干篇论文，其中包括一篇合作的Nanosheet论文。我有机会采访到与IBM高级逻辑与内存技术总监卜惠明和IBM高级工程师Veeraraghavan Basker，之后又分别采访了Leti advanced CMOS实验室负责人Francois Andr
英特尔3D－XPoint内存封装逆向
TechInsights的研究人员针对采用XPoint技术的英特尔Optane内存之制程、单元结构与材料持续进行深入分析与研究。英特尔(Intel)和美光(Micron)在2015年8月推出了3D XPoint，打造出25年以来的首款新型态内存技术。2016年，英特尔发布采用3D XPoin
“超级光盘”存储器问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517834.shtm上海理工大学光子芯片研究院顾敏院士、中国科学院上海光学精密机械研究所阮昊研究员、上海理工大学光电信息与计算机工程学院文静教授等合作，在国际上首次利用双光束调控聚集诱导发光超分辨光存储技