我国学者在高迁移率白色有机偏振发光半导体研究中取得进展
图 材料创制与电致发光器件。（a）WOPESSCs中能量和偏振转移示意图；（b）大面积WOPESSCs荧光图片；（c）WOPESSCs荧光发射光谱；（d）WOPESSCs有机偏振发光二极管电致发光图片；（e）性能总结与对比图；（f）宽色域三基色成像 在国家自然科学基金项目（批准号：52233010、52403342、52121002、U21A6002）等资助支持下，中国科学院化学研究所董焕丽研究员课题组与天津大学胡文平教授课题组合作在高迁移率白色有机偏振发光半导体材料研究方面取得新进展，相关研究成果以“本征白色有机偏振发光半导体（Intrinsically white organic polarized emissive semiconductors）”为题，于2025年1月15日在线发表于《自然•光子学》（Nature Photonics）杂志上，论文链接：https://doi.org/10.1038/s41566-024......阅读全文
如何测量半导体材料的光致发光谱
我目前只知道一种仪器，叫TXRF(Total Reflection X-ray Fluorescence)。其原理是用X光激发原子层电子逃逸，导致外层电子跃迁释放出特征X射线，其可以被接收器（EDX）检测形成能量弥散X射线谱。其他的不太清楚，X-ray Fluorescence的仪器用的都是这个原理
稀土LED发光材料及半导体照明技术获突破
中科院长春应用化学研究所与成都四川新力光源股份有限公司合作研发的“发光余辉寿命可控稀土LED发光材料研发及其在半导体照明中的应用”成果，近日在成都通过由中科院组织的成果鉴定。专家组认为，该原创性稀土发光材料有效解决了国际上一直未能攻破的交流LED照明设备频闪问题，并实现了从基础研究到产业化的跨越
洪茂椿课题组在白光圆偏振发光材料研究获进展
具有圆偏振发光（CPL）特性的材料在3D显示、信息存储与处理、CPL激光、生物探针、光催化不对称合成等方面颇具应用前景而受到关注。发展具有多重发射的圆偏振发光材料有望带来白色CPL器件的突破，并为探索手性化合物的多重激发态提供独特的模型。金属-有机配位聚合物具有丰富的手性结构和优异的光学性能，是
我国学者在高迁移率白色有机偏振发光半导体研究中取得进展
图 材料创制与电致发光器件。（a）WOPESSCs中能量和偏振转移示意图；（b）大面积WOPESSCs荧光图片；（c）WOPESSCs荧光发射光谱；（d）WOPESSCs有机偏振发光二极管电致发光图片；（e）性能总结与对比图；（f）宽色域三基色成像 在国家自然科学基金项目（批准号：52233010
动态可控近红外圆偏振发光研究获进展
华东理工大学化学与分子工程学院、费林加诺贝尔奖科学家联合研究中心教授曲大辉课题组在动态化学调控分子发光领域取得新进展，研究成果发表于《德国应用化学》。发光性能可调控的动态圆偏振发光材料在不对称合成、光学器件、生物探针、信息加密等领域具有重要的应用价值。随着超分子科学的发展，具有深度时空动态性的非平衡
首类手性铝氧簇用于圆偏振发光
手性普遍存在于自然界，是生命体系的基本特征之一。从原子级水平上研究手性团簇的手性来源、多重手性，对手性化学和团簇化学具有重要意义。然而，手性金属有机簇合物仅约占手性晶态化合物的7.8%，集中在贵金属、稀土和过渡金属。近期，中国科学院福建物质结构研究所研究员方伟慧采用协同配位合成策略，构筑出首类手
动态可控近红外圆偏振发光研究获进展
华东理工大学化学与分子工程学院、费林加诺贝尔奖科学家联合研究中心教授曲大辉课题组在动态化学调控分子发光领域取得新进展，研究成果发表于《德国应用化学》。发光性能可调控的动态圆偏振发光材料在不对称合成、光学器件、生物探针、信息加密等领域具有重要的应用价值。随着超分子科学的发展，具有深度时空动态性的非平衡
关于半导体的椭圆偏振光谱介绍
椭偏术(椭圆偏振光测量技术)的工作原理虽然建立在经典电磁理论上，但却有原子层级的灵敏度．近年来，椭偏术有了新发展．椭圆偏振光谱把椭偏术从单波长测量扩展成光谱测量，既保存了原有特点： 如非破坏性测量、原子层灵敏度、设备相对简单等，又增加了新内容和能力．第一，它从单波长变到多波长，可定出被测物质的色
什么是半导体材料？常见半导体材料有哪些？
半导体材料是什么？半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1
化学所在新型有机偏振发光晶体管研究中取得进展
有机发光晶体管（OLETs）是兼具有机场效应晶体管（OFETs）和有机发光二极管（OLEDs）功能的小型化光电集成器件，具有制备工艺简单、集成更容易等优势，被认为是实现下一代变革性新型显示技术的重要器件基元。同时，OLETs独特的横向器件结构为有机半导体材料中电荷注入、传输和复合过程的原位研究提供了
福建物构所稀土掺杂半导体纳米发光材料研究取得新进展
稀土掺杂TiO2纳米晶敏化发光和上转换发光示意图 稀土离子和半导体纳米晶(或量子点)本身都是很好的发光材料，二者的有效结合能否生出新型高效发光或激光器件一直是国内外学者关注的科学问题。与绝缘体纳米晶相比，半导体纳米晶的激子玻尔半径要大得多，因此量子限域效应对掺杂半导体纳米晶发光
高压会破坏手性金属有机骨架的镜像圆偏振发光
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/7/504963.shtm
手性超分子组装及其圆偏振发光应用方面取得进展
近年来，圆偏振发光材料受到极大关注，成为手性发光材料领域新的研究热点。圆偏振发光(CPL)是指手性发光体系发射出具有差异的左旋和右旋圆偏振光的现象。相较于研究基态手性结构信息的圆二色性(CD)不同，CPL反映的是手性发光体系的激发态结构信息，它在3D 显示、信息存储与处理、CPL 激光、生物探针
什么是半导体材料？
半导体材料（semiconductormaterial）是导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。半导体材料是一类具有半导体性能、可用来制作半导体器件和集成电的电子材料，其电导率在10（U-3）～10（U-9）欧姆/厘米范围内。
半导体材料的定义
半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
半导体材料的概念
半导体材料（semiconductor material）是一类具有半导体性能（导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内）、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。
半导体热电材料
半导体热电材料（英文名：semiconductor thermoelectric material）指具有较大热电效应的半导体材料，亦称温差电材料。它能直接把热能转换成电能，或直接由电能产生致冷作用。 1821年，德国塞贝克（see—beck）在金属中发现温差电效应，仅在测量温度的温差电偶
半导体材料的特性
半导体材料的特性：半导体材料是室温下导电性介于导电材料和绝缘材料之间的一类功能材料。靠电子和空穴两种载流子实现导电，室温时电阻率一般在10-5～107欧·米之间。通常电阻率随温度升高而增大；若掺入活性杂质或用光、射线辐照，可使其电阻率有几个数量级的变化。此外，半导体材料的导电性对外界条件（如热、光、
2025深圳半导体展会|半导体材料展会|半导体设备展会|
「官网」2025深圳13届国际半导体技术展「半导体展会」展会时间：2025年4月9日-11日论坛时间：2025年4月9日-11日举办地点：深圳福田会展中心 (深圳市福田中心区福华三路)展会规模： 面积10万平米，展商1800余家，展位3600多个，观众近10万人次展会报名：136 （李先生）中间四位
半导体展会2024半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
分子尺度圆柱面手性增强圆偏振发光研究获进展
11月11日，国际学术期刊《德国应用化学》以Selective Synthesis of Conjugated Chiral Macrocycles as Sidewall Segments of (-)/(+)-(12,4) Carbon Nanotube with Strong Circul
半导体展会2024上海半导体展|半导体设备展|2024半导体材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
化合物半导体材料的材料优势
化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。以GaAs为例，通过比较可得：1.化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度，因此，可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。2.肖特基势垒特性优越，容易实现良好的栅控特性的MES结构。3.本征电阻率高，为半绝缘衬底。电路工艺中便
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半导体材料的特性参数
半导体材料虽然种类繁多但有一些固有的特性，称为半导体材料的特性参数。这些特性参数不仅能反映半导体材料与其他非半导体材料之间的差别，而且更重要的是能反映各种半导体材料之间甚至同一种材料在不同情况下特性上的量的差别。常用的半导体材料的特性参数有：禁带宽度、电阻率、载流子迁移率(载流子即半导体中参加导电的
常见的半导体材料介绍
常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，硅是各种半导体材料应用中最具有影响力的一种。
半导体材料的基本特性
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。
半导体材料的应用介绍
制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
半导体材料的基本特性
自然界的物质、材料按导电能力大小可分为导体、半导体和绝缘体三大类。半导体的电阻率在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因角标不可用，暂用当前描述）。在一般情况下，半导体电导率随温度的升高而降低。