科研人员开发出基于AlScN/pinGaN异质结的紫外光电突触器件

随着人工智能和互联网技术的发展,对高性能计算和智能视觉系统的需求日益增长。然而,传统的冯·诺依曼架构在处理大规模图像数据时面临着数据传输瓶颈和高能耗等问题,限制了系统的效率和性能。近年来,忆阻器作为新型非易失性存储器件,因在存储和处理单元中集成探测、存储和计算功能而备受关注。AlScN作为优秀的半导体铁电材料,具有强剩余极化、高居里温度以及与主流半导体制造工艺兼容等优点。但是,由于AlScN光敏性的限制,实现光控的多阻态调节成为研究难点。 近日,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所研究员黎大兵和孙晓娟团队,开发出基于AlScN/p-i-n GaN异质结的紫外光电突触器件。研究通过器件设计,利用AlScN的铁电极化特性和GaN的优异光电性能,基于异质结处空穴的俘获与解俘获机制,构建了新型的紫外光电突触器件。该器件具备出色的非易失性存储特性,开关比可达9.36×105;能够模拟生物视觉系统中的突触功能,进行多阻态调节,如长时......阅读全文

宽光谱光电突触器件研究取得进展

  随着计算机视觉技术在自动驾驶、智能机器人和智能制造等领域的应用,传统的视觉系统因串行处理方式导致功耗增加和信息延迟等问题,逐渐难以满足日益增长的算力需求。  神经形态视觉系统因低功耗、高数据处理速度等优势,成为计算机视觉领域的研究热点。当前,一体化神经形态器件在宽谱探测、弱光检测和数据保持等方面

宽光谱光电突触器件研究取得进展

随着计算机视觉技术在自动驾驶、智能机器人和智能制造等领域的应用,传统的视觉系统因串行处理方式导致功耗增加和信息延迟等问题,逐渐难以满足日益增长的算力需求。神经形态视觉系统因低功耗、高数据处理速度等优势,成为计算机视觉领域的研究热点。当前,一体化神经形态器件在宽谱探测、弱光检测和数据保持等方面存在不足

科研人员开发出基于AlScN/pin-GaN异质结的紫外光电突触器件

  随着人工智能和互联网技术的发展,对高性能计算和智能视觉系统的需求日益增长。然而,传统的冯·诺依曼架构在处理大规模图像数据时面临着数据传输瓶颈和高能耗等问题,限制了系统的效率和性能。近年来,忆阻器作为新型非易失性存储器件,因在存储和处理单元中集成探测、存储和计算功能而备受关注。AlScN作为优秀的

神经突触仿生器件研制成功

  记者日前从东北师范大学获悉,在国家自然科学基金及国家重大科学研究计划的资助下,该校刘益春研究组利用InGaZnO材料,构造了具有自主学习和记忆能力的神经突触仿生器件,在单一无机器件中实现了多种生物突触功能。相关成果发表在国际学术期刊《先进功能材料》上,并被选为标题页文章进行了重点报道。   据

光电发射器件功能介绍

光电发射阴极光电发射阴极是光电发射探测器中的光电发射体,是完成光电转换的重要部件,主要作用是吸收光子能量发射光电子,它的性能好坏直接影响整个光电发射器件的性能。主要特性参数:1.灵敏度;2.量子效率(量子效率和光谱灵敏度是一个物理量的两种表示方法);3.光谱响应(用光谱响应特性曲线描述光电发射阴极的

高可靠性人工突触半导体器件问世

韩国科学技术研究院(KIST)神经形态工程中心研究团队宣布开发出一种能进行高度可靠神经形态计算的人工突触半导体器件,解决了神经形态半导体器件忆阻器长期存在的模拟突触特性、可塑性和信息保存方面的局限。研究成果近日发表在《自然·通讯》杂志上。 模仿人脑的神经拟态计算系统技术应运而生,克服了现有冯诺依

MOF薄膜在光电导人工突触领域的应用

  近年来,人工突触成为了国内外关注的热点。基于钙钛矿、有机聚合物、无机半导体等材料的人工突触器件已经被广泛的研究。但材料的稳定性是阻碍人工突触器件进一步发展的瓶颈。因此,开发高稳定性新型材料是实现人工突触走向应用的理想途径。  二维导电金属有机框架薄膜(metal-organic framewor

研究开发出仿生光嗅觉共感人工突触器件

近日,陕西科技大学物理与信息科学学院材料原子分子科学研究所尉国栋团队开发出基于BP-C/CNTs (2D/1D)异质结构滤膜的仿生光嗅觉共感人工突触器件,集成了光调制、气体检测和生物突触功能,模拟了多感觉神经元特征。该研究成果发表于Advanced Science上。此器件不仅模拟了电和光刺激下的基

光电导效应在基础光电器件中的应用

(1)在探测器中的应用利用光电导效应原理工作的探测器称为光电导探测器。作为半导体材料的一种体效应,光电导效应无须形成p-n结。光照越强,光电导材料的电阻率越小,故光电导材料又称为光敏电阻。不含杂质的光敏电阻一般在室温下工作,适用于可见光和近红外辐射探测,含杂质的光敏电阻通常必须在低温条件下工作,常用

光电导效应在基础光电器件中的应用

在基础光电器件中的应用(1)在探测器中的应用利用光电导效应原理工作的探测器称为光电导探测器。作为半导体材料的一种体效应,光电导效应无须形成p-n结。光照越强,光电导材料的电阻率越小,故光电导材料又称为光敏电阻。不含杂质的光敏电阻一般在室温下工作,适用于可见光和近红外辐射探测,含杂质的光敏电阻通常必须

Nano-Energy:一种全透明的可见光响应的光敏神经突触器件

  薄膜晶体管(Thin-Film Transistors,TFTs)是半导体工业中最基础、最重要的三端电子元器件,已在平板显示、射频标签等消费类产品中广泛应用。近年来,TFTs在光电探测和光敏神经突触等领域已逐渐引起了人们的重视。与传统两端器件相比,光电TFTs具有以下突出优势:利用TFTs的栅压

集成光电子器件的发展

如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价

集成光电子器件的发展

如同电子器件那样,光电子器件也要走向集成化。虽然不是所有的光电子器件都要集成,但会有相当的一部分是需要而且是可以集成的。目前正在发展的PLC-平面光波导线路,如同一块印刷电路板,可以把光电子器件组装于其上,也可以直接集成为一个光电子器件。要实现FTTH也好,ASON也好,都需要有新的、体积小的和廉价

研究人员在单一器件中实现人工突触模拟

日,山西师范大学许小红教授团队利用电压幅值调节CuInP2S6(CIPS)中离子导电和铁电极化反转,在单一器件中实现了非易失性数字型存储和人工突触模拟,该研究成果发表于Advanced Functional Materials上。团队通过控制由铁电极化反转和Cu+长程迁移主导的导电模式,在Au/CI

研究人员在单一器件中实现人工突触模拟

近日,山西师范大学许小红教授团队利用电压幅值调节CuInP2S6(CIPS)中离子导电和铁电极化反转,在单一器件中实现了非易失性数字型存储和人工突触模拟,该研究成果发表于Advanced Functional Materials上。团队通过控制由铁电极化反转和Cu+长程迁移主导的导电模式,在Au/C

南开团队利用人工突触器件实现大脑的感官功能

近日,国际著名学术期刊《自然—通讯》刊登了南开大学电子信息与光学工程学院最新研究成果。研究人员利用柔性人工突触器件,开发了一种神经形态运动感知系统,在硬件层面成功实现了大脑的多感官整合功能,并获得了卓越的运动感知性能。南开大学电子信息与光学工程学院蒋博士程鹏为第一作者,南开大学电子信息与光学工程学院

媲美人脑能效表现的类脑突触原型器件问世

  中国科学技术大学李晓光教授团队在前期研究基础上,基于对铁电畴形态和翻转动力学的设计,在铁电量子隧道结中实现了亚纳秒电脉冲下电导态可非易失连续调控的类脑突触器件,可用于构建人工神经网络类脑计算系统,研究成果日前发表于《自然通讯》杂志上。  以神经网络为代表的类脑人工智能技术正深刻影响人类社会。但目

媲美人脑能效表现的类脑突触原型器件问世

   记者从中国科学技术大学获悉,该校李晓光教授团队在前期研究基础上,基于对铁电畴形态和翻转动力学的设计,在铁电量子隧道结中实现了亚纳秒电脉冲下电导态可非易失连续调控的类脑突触器件,可用于构建人工神经网络类脑计算系统,研究成果日前发表于《自然通讯》杂志上。  以神经网络为代表的类脑人工智能技术正深刻

上海光电子器件展2024中国(上海)光电子器件展览会—官网

电子元器件展,电子仪器仪表展,电子仪器仪表展,电子元器件展,电子设备展,电子设备展,电子元器件展览会,电子仪器展,电子仪器展,电仪器展览会,继电器展,电容器展,连接器展,集成电路展2024上海国际电子元器件材料设备展览会地点:上海国际博览中心2024年11月18-20日参展咨询:021-5416 3

光电子器件的可靠性检测

物理特性测试项目1、内部水汽:确定在金属或陶瓷封装的光电子器件内部气体中水汽含量。2、密封性:确定具有内空腔的光电子器件封装的气密性。3、ESD阔值:确定光电子器件受静电放电作用所造成损伤和退化的灵敏度和敏感性。4、可燃性:确定光电子器件所使用材料的可燃性。5、剪切力:确定光电子器件的芯片和无源器件

化学所在印刷光电逻辑器件研究方面获进展

光电逻辑器件因高速信息传输、高带宽和低功耗等优势被认为是下一代逻辑电路的理想模型。得益于钙钛矿材料的可调带隙和溶液处理等优势,钙钛矿异质结构可以对不同波长入射光产生差异化的光电响应信号,并可与印刷技术兼容,具有低成本和大规模制造等优点,可用于制备光电逻辑器件。然而,目前的光电逻辑器件通常由两个以上的

氮化镓半导体材料光电器件应用介绍

GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料,GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后,InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前,Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批

主办EXPO-2024上海光电器件展官网」

展会概况展会名称:2024中国(上海)集成电路产业与应用博览会展会时间:2024年11月18-20日 论坛时间:2024年11月18日-19日展会地点:上海新国际博览中心展会规模:50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众  中国集成电路将顺势而为,逆势崛起 “十四五”期间,我国半导体

宁波材料所在人工智能超灵敏突触器件研究中取得进展

  近日,谷歌研发的新版人工智能程序AlphaGo Zero从空白状态,在无任何人类输入的条件下迅速自学围棋,并以100:0的战绩击败“前辈”AlphaGo,再次引起了人们对人工智能的关注。基于人类大脑的神经形态工程是人工智能的重要发展方向之一。人脑是由多达1011-1012个神经元组成的复杂网络系

实现自驱动柔性器件神经刺激和突触可塑性度量

  日前,中国科学院深圳先进技术研究院脑认知与脑疾病研究所詹阳课题组同电子科技大学薛欣宇、张岩课题组合作,构建出基于摩擦电效应的柔性电子皮肤,可以实现无电池、自驱动的电刺激并引起神经响应。相关研究成果Self-powered, wireless-control, neural-stimulating

碳纳米管光电传感存储器件问世

  电荷耦合器件(CCD)与电荷存储器件(Memory)作为现代电子系统中两个独立分支分别沿着各自的路径发展,同时具备光电传感和存储功能的碳基原型器件尚未见报道。近日,中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心联合中科院苏州纳米所、吉林大学,于《先进材料》(Advanced Materials)在

“光电成像器件抗辐射性能检测设备”通过验收

  7月2日,中国科学院计划财务局组织验收专家对新疆理化技术研究所承担的中科院科研装备研制项目——“光电成像器件抗辐射性能检测设备”进行了验收。   该设备由光电响应性能检测分系统、光谱传递函数与光谱响应度检测分系统、辐射定标分系统、控制与数据处理分系统及试验辅助装置等部分组成。该设备具

有它助阵,集成光电子器件加工不再难

兰州大学物理科学与技术学院教授田永辉课题组与澳大利亚皇家墨尔本理工大学教授阿南?米切尔课题组及上海交通大学教授苏翼凯课题组合作,通过在薄膜铌酸锂晶圆表面沉积一层氮化硅,利用传统的刻蚀技术仅仅刻蚀氮化硅层形成亚波长光栅波导,有效应对了薄膜铌酸锂集成光电子器件难以加工制作的挑战,降低了器件尺寸、提升了芯

光电纳米材料及元器件重大专项通过验收

  中国科学院福建物质结构研究所承担的福建省科技重大专项新颖光电纳米材料及其原型器件研发日前通过了省级验收。   据介绍,该项目主要研发应用于显示和发光中的强荧光纳米高聚物材料、低核有机金属电致发光纳米材料、蓝光/紫外激光材料等纳米光电材料与器件。在强荧光纳米高聚物材料研发方面,获得10多种在紫外

异质结在半导体光电子器件中有哪些作用

半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成,它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物,也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种,两种异质结的能带结构异质结图册,I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的