太赫兹量子级联激光器系列产品成功制备
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器系列产品。 太赫兹（THz）量子级联激光器是一种通过在半导体异质结构材料的导带中形成电子的受激光学跃迁而产生相干极化THz辐射的新型太赫兹光源。半导体材料科学重点实验室经过多年的基础研究和技术开发，目前推出系列太赫兹量子级联激光器产品。频率覆盖2.9~3.3 THz，工作温度10~90 K，功率5~120mW。 太赫兹波介于中红外和微波之间，是一种安全的具有非离化特征的电磁波。它能够穿透大多数非导电材料同时又是许多分子光学吸收的特征指纹光谱范围。它的光子能量低（1 THz对应的能量大约4meV），穿透生物组织时不会产生有害的光电离和破坏，在应用到对生物组织的活体检验时，比X光更具优势。它的波长比微波短，能够被用于更高分辨率成像。THz波在分......阅读全文
美DARPA资助军用级量子激光器研究
据美国趣味科学网站12日报道，美国国防部高级研究计划局（DARPA）向建造“量子光子二聚体激光器”原型的科学家团队提供了100万美元资助。这种激光器利用量子纠缠将光粒子“黏合”在一起，以产生高度聚焦的激光束。这些激光束能够穿透浓雾等恶劣天气，有望在军事应用中展现出优异性能，如在恶劣环境下监视和安全通
美DARPA资助军用级量子激光器研究
图片来源：美国趣味科学网站据美国趣味科学网站12日报道，美国国防部高级研究计划局（DARPA）向建造“量子光子二聚体激光器”原型的科学家团队提供了100万美元资助。这种激光器利用量子纠缠将光粒子“黏合”在一起，以产生高度聚焦的激光束。这些激光束能够穿透浓雾等恶劣天气，有望在军事应用中展现出优异性能，
半导体所制备成功太赫兹量子级联激光器
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器和红外量子级联激光器(QCL)系列产品系列产品。 太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结
太赫兹量子级联激光器和其它重要的半导体源
太赫兹(THz)[1．3]技术涉及电磁学、光电子学、半导体物理学、材料科学以及通信等多个学科。它在信息科学、生物学、医学、天文学、环境科学等领域有重要的应用价值。THz振荡源则是THz频段应用的关键器件。研制可以产生连续波发射的固态半导体振荡源是THz技术研究中最前沿的问题之一。基于半导体的THz辐
半导体研究所成功推出系列太赫兹量子级联激光器产品
近年来，太赫兹技术发展迅速，应用越来越广泛，是当前的热门研究领域。由于太赫兹量子级联激光器是产生太赫兹辐射的重要器件，因此科学家开始钻研太赫兹量子级联激光器的研究中，而就在近日，我国太赫兹量子级联激光器领域有了重大进展，半导体研究所成功研制出系列太赫兹量子级联激光器产品。 中国科学
半导体所设计出大功率量子阱激光器宽谱光源
半导体宽谱光源在传感、光谱学、生物医学成像等方面具有广泛的应用前景，但目前所采用的发光管（LEDs）和超辐射二极管（SLD）因其发射功率低而有所局限，所以研发大功率的宽谱激光器具有重要意义。 最近，中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室潘教青研究员在指导研究生从事大功率激光器研究中，设计并
我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。
3a级激光器与3b级激光器区别
3a一般指功率小于五毫瓦大于一毫瓦，3b指的是大于五毫瓦小于五百毫瓦，这是通常的说法不过还需要看光斑大小
量子级联激光器的原理
量子级联激光器(Quantum Cascade Laser，简称QCL)是一种新型半导体激光器。 QCL原理 传统的半导体激光器，工作原理都是依靠半导体材料中导带的电子和价带中的空穴复合而激发光子，其激射波长由半导体材料的禁带宽度所决定,由于受禁带宽度的限制，使得半导体激光器
什么是半导体激光器？
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。
半导体激光器的特性
半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出色的激光器产品，用于制造zui为的激光器系统。半导体激光器具有高效的光电转换效率，且通过光束整形可直接应用于激光加工等领域，而光纤激光器由于其的光束质量早已已成为国内外研究的热门。但半导体激光器将来有没有可能直接获得高光束质量的激光，从而“打败”光纤激
半导体激光器的应用
半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于)1Gh/。局域网，1300nm -1550
半导体激光器的特性
半导体激光器具有高速调制、功率稳定、线宽窄、体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。半导体激光器具有的光束质量和调制性能，广泛应用于：科学研究，工业仪器开发、OEM系统集成。此外，尾纤半导体激光器、外部光纤耦合模块、小型半导体泵浦固体激光器可供选择。 半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能
半导体激光器的发展
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯
太赫兹技术里程碑
1994年Federico Capasso和同事卓以和等人在贝尔实验室率先发明量子级联激光器。这被视为半导体激光领域的一次革命。2000年，我国科学家李爱珍（现任美国科学院院士）的课题组在亚洲率先研制出5至8微米波段半导体量子级联激光器，从而使中国进入了掌握此类激光器研制技术的国家行列。 量子级联
半导体激光器与氦氖激光器的比较
导体激光器与氦氖激光器的比较总体来讲，红光半导体激光器与氦氖激光器相比各有其优势和劣势。本文对氦氖激光器与半导体激光的优缺点进行一些简述，希望对不同应用的客户在选择激光器时产生些许帮助。激光功率稳定性对比半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器
西安光机所孵化企业成功推出千瓦级光纤输出半导体激光器
依托中国科学院西安光学精密机械研究所高新科技成果孵化成立的高新技术产业公司——西安中科梅曼激光科技有限公司近日成功推出千瓦级光纤输出半导体激光器，该激光器具有体积小、寿命长、稳定性高等优点，其电光转换效率近50%，聚焦光斑小于2mm，可适用于金属熔覆、金属表面硬化、表面修复等激光材料处理与科学研
半导体激光器的工作原理
工作原理是，通过一定的激励方式，在半导体物质的能带(导带与价带)之间，或者半导体物质的能带与杂质(受主或施主)能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种，即电注入式，光泵式和高能电子束激励式。电注入式半导体
半导体激光器的发展概况
半导体激光器又称激光二极管(LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够
半导体激光器的技术特点
(1) 体积小，重量轻；(2) 驱动功率和电流较低；(3) 效率高、工作寿命长；(4) 可直接电调制；(5) 易于与各种光电子器件实现光电子集成；(6) 与半导体制造技术兼容；可大批量生产。由于这些特点，半导体激光器自问世以来得到了世界各国的广泛关注与研究。
半导体激光器的常用参数
半导体激光器的常用参数可分为：波长、阈值电流Ith 、工作电流Iop 、垂直发散角θ⊥、水平发散角θ∥、监控电流Im。（1）波长：即激光管工作波长，可作光电开关用的激光管波长有635nm、650nm、670nm、激光二极管690nm、780nm、810nm、860nm、980nm等。（2）阈值电流I
半导体激光器测试方法标准
本标准规定了半导体激光器主要光电参数的测试方法。本标准适用于半导体激光器主要光电参数的测试。半导体激光器组件可参考执行。下载链接：https://www.antpedia.com/standard/7060196.html
半导体激光器的特性测量
概述半导体激光器特性的测量可以被分成5大类，如表1所示：表1半导体激光器特性测量的五大类电性能测量光输出，压降以及PD的监测电流，还有对这些测量数据的衍生分析。空间性近场和远场的光强分布。光谱特性通过光谱数据计算光谱宽度和中心波长。光学性能测量光的发散以及波前畸变。动态性能测量噪声，互调失真，上升时
半导体激光器的产品分类
（1）异质结构激光器（2）条形结构激光器（3）GaAIAs/GaAs激光器（4）InGaAsP/InP激光器（5）可见光激光器（6）远红外激光器（7）动态单模激光器（8）分布反馈激光器（9）量子阱激光器（10）表面发射激光器（11）微腔激光器
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用
半导体激光器在半导体激光打标机中的应用：半导体激光器因其使用寿命长、激光利用效率高、热能量比YAG激光器小、体积小、性价比高、用电省等一系列优势而成为2010年热卖产品，e网激光生产的国产半导体激光器的出现，加速了以半导体激光器为主要耗材的半导体激光机取代YAG激光打标机市场份额的步伐。
关于氦氖激光器与半导体激光器的对比
波长越短测量精度越高。氦氖激光波长632.8纳米，显然优于半导体激光635纳米和650纳米。 氦氖激光线宽窄稳定性高在诸多激光器中是首屈一指的，这已经是光学界的共识。 半导体激光器的线宽在各种激光器中是最宽的，可以达到几十至几百cm-1，也就是说半导体激光器的单色性是最差的。
半导体激光器的关键技术有哪些
半导体激光器的关键技术有哪些 半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易
量子通信概念再遭热炒：量子点激光器成核心
上周五，量子通信概念突然受到资金追捧，神州信息、福晶科技、华工科技、三力士、盛洋科技等多只个股齐齐涨停，其中神州信息表现最强，早盘便封住涨停。本周一，上述概念股表现分化，除神州信息继续涨停外，其余个股普遍高开低走，不过多数个股仍然是上涨的。昨日，该题材再度受到资金追捧，神州信息、福晶科技、华工科
半导体激光器的关键技术
半导体激光器是激光器中可以说是较为实用重要的激光器种类，也广泛应用于印刷业和医学领域，也因此成为了热卖产品，加快了以取代激光打标机市场份额的步伐，非常值得人深思。它是电流注入型半导体PN结光发射器件，具有体积小、重量轻、直接调制、宽带宽，转换效率高、高可靠和易于集成等特点，产品波长覆盖范围从40