半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。 中红外2-3.5μm波段激光器在气体检测、环境监测、激光制导、红外对抗、激光雷达等诸多领域有着十分广泛而重要的应用。与其它中红外波段传统半导体材料体系相比，窄带隙的InGaAsSb锑化物材料与衬底晶格匹配其禁带宽度可以覆盖1.7到4.4μm波段。锑化物光电器件的独特优势日益受到广泛重视成为目前国际前沿和热点研究方向。 半导体所纳米光电子实验室和超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组首先深入系统地研究了InGaAsSb、AlGaAsSb等异质结和量子阱材料的分子束外延生长，通过优化生长温度、V/III族......阅读全文
分子束外延（MBE)
分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂，要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看，当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体，而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体，最近正转向针对Si半导体器件的应用
分子束外延（MBE）装置
MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开，以确保生长室的超高真空与清洁。 根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求，3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样： (1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1
EpiQuest真空互联分子束外延系统(半导体）共享应用
仪器名称：真空互联-分子束外延系统(半导体）仪器编号：21028773产地：日本生产厂家：EpiQuest Inc型号：RC2100Se出厂日期：购置日期：2021-11-18所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：010-62784044
分子束外延要点解析
一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy，MBE)简介 在超高真空环境下， 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ，在衬底表面发生反应的过程，由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ，以分 子束的形式射向衬底 ，进行外延生长， 故此而得名。
分子束外延（MBE）的特点
（1）生长速率极慢，大约1um/小时，相当于每秒生长一个单原子层，因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术，因此MBE特别适于生长超晶格材料。 （2）外延生长的温度低，因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。
影响分子束外延（MBE）的因素
1、外延温度 为了引起外延，基片的温度应达到某一温度值，即有必要加热到外延温度以上，当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关，不同条件下的外延温度是不同的。 2、基片结晶的臂开 在过去的常规研究方面，基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制
分子束外延（MBE）解析及原理
分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术，它是在超高真空条件下，类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子)，以一定的热运动速度，按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法 分子束外延，就是在超高真空系统中把所需要
分子束外延（MBE）的发展前景
分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来，发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源，构成所谓化学束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料，或将金属有机化合物引入分子束源形成所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE
EpiQuest真空互联分子束外延系统(金属）共享
仪器名称：真空互联-分子束外延系统(金属）仪器编号：21028618产地：日本生产厂家：EpiQuest Inc型号：RC2100Me出厂日期：购置日期：2021-11-18所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>真空互联放置地点：微电子学研究所南平房实验室108号固定电话：010-62784044固
分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究
HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下，可将Void缺陷密度降
涡轮分子泵分子束外延－MBE－与扫描隧道显微镜－STM－联用
Pfeiffer 分子泵应用于分子束外延 MBE 与扫描隧道显微镜 STM 联用系统 --分析生长晶体表面结构 分子束外延 MBE 是一种晶体生长技术, 将半导体衬底放置在超高真空腔体中, 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能
南方科技大学采购激光氧化还原分子束外延联合系统
公告信息：采购项目名称物理系激光-氧化-还原分子束外延联合系统采购项目（重新采购第1次品目货物/通用设备/仪器仪表/其他仪器仪表采购单位南方科技大学行政区域广东省公告时间2022年11月21日 16:40获取招标文件时间2022年11月22日至2022年11月28日每日上午:8:00 至 12:00
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。
太赫兹量子级联激光器实现激射
中科院上海技术物理研究所科研人员采用分子束外延技术和半导体微纳加工平台，自主完成了太赫兹量子级联激光器的结构设计、材料生长和器件制备，成功实现太赫兹量子级联激光器激射。这标志着我国科学家依靠自主创新在太赫兹量子级联激光器领域进入世界前列。 太赫兹量子级联激光器(THz-QCL)是太赫
太赫兹量子级联激光器实现激射
中科院上海技术物理研究所科研人员采用分子束外延技术和半导体微纳加工平台，自主完成了太赫兹量子级联激光器的结构设计、材料生长和器件制备，成功实现太赫兹量子级联激光器激射。这标志着我国科学家依靠自主创新在太赫兹量子级联激光器领域进入世界前列。 太赫兹量子级联激光器（THz-QCL）是太赫兹频段最具
自主创新－太赫兹量子级联激光器实现激射
中科院上海技术物理研究所科研人员采用分子束外延技术和半导体微纳加工平台，自主完成了太赫兹量子级联激光器的结构设计、材料生长和器件制备，成功实现太赫兹量子级联激光器激射。这标志着我国科学家依靠自主创新在太赫兹量子级联激光器领域进入世界前列。 太赫兹量子级联激光器（THz-QCL）是太赫兹频段最具
我国科学家研制出新型锑化物半导体量子阱激光器
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国
锑化物量子阱激光器的刻蚀与钝化等核心工艺技术新突破
锑化物半导体材料在红外制导、海洋监测、深空探索等领域具有重要应用前景，随着锑化物多元素复杂低维材料分子束外延技术的不断进步，国际上锑化物半导体相关的材料与光电器件技术创新发展十分迅速，美、日、德等发达国家竞相开展研究，广为人们瞩目。 在国家973计划、国家自然科学基金委重大项目等支持下，中国科
上海微系统所镓砷铋量子阱激光器研究获进展
近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所镓砷铋（GaAsBi）量子阱激光器研究取得新进展。研究员王庶民领导的研究团队采用分子束外延方法生长了镓砷铋量子阱材料，并成功制备出目前发光波长最长（1.142微米）的电泵浦镓砷铋室温（300 K）量子阱激光器，突破之前1.06微米的世界纪录，脉冲激射最大
半导体所等在半导体材料“异构外延”研究中获进展
半导体产业经过长期发展，已进入“后摩尔时代”，“超越摩尔定律”迎来了高潮，未来半导体产业的发展需跳出原有框架寻求新的路径。面对这些机遇和挑战，宽禁带先进半导体等基础材料的制备也在孕育突破，新材料、新工艺和异构集成等将成为后摩尔时代的重要技术路线（图1）。 近期，中国科学院半导体研究所照明研发中
半导体所制备出近全组分可调的高质量GaAs1xSbx纳米线
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员赵建华团队及合作者在《纳米快报》(Nano Letters)上发表了制备出近全组分可调的高质量GaAs1-xSbx纳米线的成果。 作为重要的三元合金半导体，GaAs1-xSbx具有禁带宽度从1.42 eV (GaAs)到0.72 eV
布什为华人科学家卓以和颁发美国家技术奖章
卓以和为著名材料科学家，美科学院院士和中科院外籍院士 美国总统乔治·W·布什7月27日在白宫为过去两年间在科技领域取得突破性进展的科学家颁发美国国家科学奖章与国家技术奖章。美籍华裔著名科学家卓以和是30位获奖者之一。 当天获奖科学家的研究成果涉及天体物理学、激光技术、气候学和组织工程等各个领域。
科学家开发新型异质外延半导体材料及器件
上海应用技术大学材料科学与工程学院教授房永征、刘玉峰团队与国科大杭州高等研究院及美国麻省理工学院等单位的科研人员合作，在二维半导体材料异质外延方面取得新进展。12月4日，相关研究发表于《先进材料》。随着我国高性能探测技术领域应用需求的持续增长，新型光探测材料的发展也有了更高要求。作为光电探测技术最核
什么是半导体激光器？
半导体激光器是以一定的半导体材料做工作物质而产生受激发射作用的器件。
半导体激光器的特性
半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能出色的激光器产品，用于制造zui为的激光器系统。半导体激光器具有高效的光电转换效率，且通过光束整形可直接应用于激光加工等领域，而光纤激光器由于其的光束质量早已已成为国内外研究的热门。但半导体激光器将来有没有可能直接获得高光束质量的激光，从而“打败”光纤激
半导体激光器的应用
半导体激光器是成熟较早、进展较快的一类激光器，由于它的波长范围宽，制作简单、成本低、易于大量生产，并且由于体积小、重量轻、寿命长，因此，品种发展快，应用范围广，目前已超过300种，半导体激光器的最主要应用领域是Gb局域网，850nm波长的半导体激光器适用于)1Gh/。局域网，1300nm -1550
半导体激光器的特性
半导体激光器具有高速调制、功率稳定、线宽窄、体积小、结构紧凑、驱动电路集成化的特点。半导体激光器具有的光束质量和调制性能，广泛应用于：科学研究，工业仪器开发、OEM系统集成。此外，尾纤半导体激光器、外部光纤耦合模块、小型半导体泵浦固体激光器可供选择。 半导体激光器能够给科研或者集成用户提供性能
半导体激光器的发展
半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光器，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯
半导体激光器的技术发展
半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材料作为工作物质的特性所以被称为半导体激光器。半导体激光器由光纤耦合半导体激光器模块、合束器件、激光传能光缆、电源系统、控制系统及机械结构等构成，在电源系统和控制系统的驱动和监控下实现激光输出。一、半导体激光器简介半导体激光器俗称激光二极管，因为其用半导体材
半导体激光器与氦氖激光器的比较
导体激光器与氦氖激光器的比较总体来讲，红光半导体激光器与氦氖激光器相比各有其优势和劣势。本文对氦氖激光器与半导体激光的优缺点进行一些简述，希望对不同应用的客户在选择激光器时产生些许帮助。激光功率稳定性对比半导体激光器模块的核心部件为半导体激光管，即LD（Laser Diode），绝大多数半导体激光器