郝跃代表：手握全球95％镓资源，中国芯片要打“优势牌”
今年全国两会，全国人大代表、中国科学院院士郝跃就集成电路产业发展带来相关建议。郝跃在接受《中国科学报》采访时表示，既要聚焦核心关键的“卡脖子”难题，破解半导体芯片发展中的底层技术瓶颈；更要重视那些我国已处于国际并跑甚至局部领跑位置的领域，通过强化优势，抢占全球产业的前排位置。 “‘十五五’将是我国集成电路产业从跟随转向引领的关键转折期，也是在一些新兴赛道上确立国际领先地位的重要窗口。”郝跃说。 在他看来，第三代半导体（氮化镓、碳化硅等）、第四代半导体（如氧化镓、金刚石、氮化铝等超宽禁带半导体）、光子芯片、低维半导体信息材料与器件等领域，目前我国已具备较好的国际竞争力，只要持续发力，极有可能在细分赛道上实现全球领跑。 郝跃（左四）及团队在实验室。受访者供图 如何把优势真正落地？郝跃认为，必须结合本土资源与产业基础，围绕后摩尔时代的产业趋势，发挥好我国的独特禀赋。 “我国掌握着全球95%以上的镓资源，且对镓、锗等半导体......阅读全文
氮化镓功率芯片的应用领域
1）手机充电器。主要有2 个原因，①手机电池容量越来越大，从以前的可能2 000 mA·H 左右，到现在已经到5 000 mA·H。GaN 可以减少充电时间，占位体积变小。②手机及相关电子设备使用越来越多，有USB-A 口、USB-C 口，多头充电器市场很大，这也是GaN 擅长的领域。2）电源适配器
氮化镓功率芯片的发展趋势分析
GaN 功率芯片主要以2 个流派在发展，一个是eMode 常开型，纳微代表的是另一个分支——eMode 常关型。相比传统的常关型的GaN 功率器件，纳微又进一步做了集成，包括驱动、保护和控制的集成。GaN 功率芯片集成的优势如下。1）传统的Si 器件参数不够优异，开关速率、开关频率都受到极大限制，通
氧化镓和碳化硅功率芯片的技术差异
SiC（碳化硅）商业化已经20 多年了，GaN 商业化还不到5 年时间。因此人们对GaN 未来完整的市场布局并不是很清楚。SiC 的材料特性是能够耐高压、耐热，但是缺点是频率不能高，所以只能做到效率提升，不能做到器件很小。现在很多要做得很小，要控制成本。而GaN 擅长高频，效率可以做得非常好。例如，
我国团队研制出世界首个氮化镓量子光源芯片
4月18日，记者从电子科技大学信息与量子实验室获悉，近日，该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解，量子光源芯片是量子
我国团队研制出世界首个氮化镓量子光源芯片
近日，该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解，量子光源芯片是量子互联网的核心器件，可以看作点亮“量子房间”的“量子灯
我团队研制出世界首个氮化镓量子光源芯片
4月18日，记者从电子科技大学信息与量子实验室获悉，近日，该实验室研究团队与清华大学、中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作，在国际上首次研制出氮化镓量子光源芯片，这也是电子科技大学“银杏一号”城域量子互联网研究平台取得的又一项重要进展，相关成果发表在《物理评论快报》上。据了解，量子光源芯片是量子
郝跃代表：手握全球95％镓资源，中国芯片要打“优势牌”
今年全国两会，全国人大代表、中国科学院院士郝跃就集成电路产业发展带来相关建议。郝跃在接受《中国科学报》采访时表示，既要聚焦核心关键的“卡脖子”难题，破解半导体芯片发展中的底层技术瓶颈；更要重视那些我国已处于国际并跑甚至局部领跑位置的领域，通过强化优势，抢占全球产业的前排位置。 “‘十五五’将是
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
7月8日至10日，首届全国“红旗杯”班组长大赛国防科技工业赛道复赛在江苏南京举行。复赛以“培育卓越班组长，共筑制造强国梦”为主题，共产生个人一等奖1名、二等奖3名、三等奖6名、优胜奖30名，这40名获奖选手将参加在吉林长春举办的全国总决赛。国防科技工业赛道复赛开幕式现场。
镓储备不足－美国国防部决定从“废品”中回收镓
财联社7月27日讯 美国国防部计划在年底前首次与美国或加拿大公司签订有关回收镓的合同，镓是一种用于半导体和军用雷达的矿物。 7月3日，中国商务部、海关总署宣布，为维护国家安全和利益，决定自2023年8月1日起对镓和锗两种关键金属实行出口管制。 本月早些时候，在被问及这两种关键金属的储备情况时
锑化镓的应用
锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSbChemicalbook具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激
镓是什么意思
镓的意思是金属元素，符号Ga（gallium）。镓（Gallium）是灰蓝色或银白色的金属，符号为Ga，原子量69.723。镓熔点很低，但沸点很高，在空气中易氧化，形成氧化膜，纯液态镓有显著的过冷的趋势，可由铝土矿或闪锌矿中提取，最后经电解制得纯净镓，适合使用塑料瓶（不能盛满）储存。布瓦博得朗没有意
EDTA络合滴定法测定金镓合金中的镓
一、方法要点试样用盐酸和硝酸溶解，加盐酸蒸发驱除硝酸，用亚硫酸还原金。加一定过量的EDTA溶液络合镓，在pH5．8的六亚甲基四胺缓冲溶液中，以二甲酸橙作指示剂，用锌标准溶液返滴定以测定镓量。本法适用于分析金镓合金中3％～5％的镓。二、试剂(1)氯化钠、六亚甲基四胺。(2)二甲酚橙：0.2％溶液。(3
砷化镓的结构特性
砷化镓（gallium arsenide）是一种无机化合物，化学式为GaAs，为黑灰色固体，熔点1238℃。它在600℃以下能在空气中稳定存在，并且不被非氧化性的酸侵蚀。
氮化镓的的电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1
锑化镓的生产方法
把20g镓、34.94g锑放进石墨盘中，装入石英管内，并用氢气流充分置换掉空气之后，然后在氢气流中加热石英管至720～730℃使其化合。为了制得GaSb单晶，可Chemicalbook以从石英管中慢慢取出，使熔融状态的GaSb从盘的一端开始固化形成结晶。如欲制成半导体用GaSb时，所用原料盘及石英管
镓是什么化学物质
氢氧化镓是化学物质，分子式是Ga(OH)₃。中文名氢氧化镓外文名galliumhydroxide化学式Ga(OH)₃分子量120.74502CAS登录号12023-99-3目录1简介2性质3用途简介编辑语音gallium hydroxide分子式： Ga(OH)3性质编辑语音白色胶状物。两性氢氧化物
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
砷化镓的毒理资料
GaAs的毒性没有被很完整的研究。因为它含有As，经研究指出，As是剧毒的。但是，因为GaAs的晶体很稳定，所以如果身体吸收了少量的GaAs，其实是可以忽略的。当要做晶圆抛光制程（磨GaAs晶圆使表面微粒变小）时，表面的区域会和水起反应，释放或分解出少许的As。
氮化镓的的结构特性
结构特性GaN纤锌矿结构图GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。
氮化镓的的光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
砷化镓的安全术语
S20/21：When using do not eat, drink or smoke.使用时，不得进食，饮水或吸烟。S28：After contact with skin, wash immediately with plenty of ... (to be specified by the m
砷化镓生产方式介绍
GaAs属于III-V族化合物半导体材料，其能隙为1.4eV，正好为高吸收率太阳光的值，与太阳光谱的匹配较适合，且能耐高温，在250℃的条件下，光电转换性能仍很良好，其最高光电转换效率约30%，特别适合做高温聚光太阳电池。砷化镓生产方式和传统的硅晶圆生产方式大不相同，砷化镓需要采用磊晶技术制造，这种
砷化镓材料的材料特性
GaAs拥有一些较Si还要好的电子特性，使得GaAs可以用在高于250 GHz的场合。如果等效的GaAs和Si元件同时都操作在高频时，GaAs会产生较少的噪音。也因为GaAs有较高的崩溃压，所以GaAs比同样的Si元件更适合操作在高功率的场合。因为这些特性，GaAs电路可以运用在移动电话、卫星通讯、