纳米存储芯片逆袭物理学极限:越小性能越好将改变可穿戴设备和AI格局

你的手机在重度使用后发热,或在最糟糕的时刻电池电量骤降,一个主要原因是内部的电子电路和存储器在运行时消耗能量并释放热量。如果科学家能够设计出所需电流极少的存储器,这可能会大幅减少电子设备的能量需求。现在,东京科学大学的一个研究团队向着这个目标迈出了关键一步,他们制造出了一种随着缩小而性能提升的存储设备,推翻了电子学中长期以来的一个假设。氧化铪实现25纳米超小型存储铁电隧道结(FTJ)的概念可以追溯到1971年。这种存储器依赖于铁电性,即材料内部电极化可以被切换的特性,从而控制电流流动并存储数据。然而,传统FTJ材料在设备缩小时性能通常下降。关键突破出现在2011年,科学家发现氧化铪即使在极薄的情况下也能保持其电极化。Yutaka Majima教授团队利用这一发现,着手开发一种仅25纳米大小的存储设备,大约是人类头发厚度的三千分之一。解决纳米尺度的漏电问题将存储器缩小到这一尺度会引入一个重大挑战。电流倾向于通过材料中微小晶体之间的......阅读全文

纳米存储芯片逆袭物理学极限:越小性能越好将改变可穿戴设备和AI格局

你的手机在重度使用后发热,或在最糟糕的时刻电池电量骤降,一个主要原因是内部的电子电路和存储器在运行时消耗能量并释放热量。如果科学家能够设计出所需电流极少的存储器,这可能会大幅减少电子设备的能量需求。现在,东京科学大学的一个研究团队向着这个目标迈出了关键一步,他们制造出了一种随着缩小而性能提升的存储设

科学家开发出三维垂直场效应晶体管

科技日报北京6月14日电 (记者张梦然)通过铁电栅极绝缘体和原子层沉积氧化物半导体通道,日本科学家制造了三维垂直场效应晶体管,可用来生产高密度数据存储器件。此外,通过使用反铁电体代替铁电体,他们发现擦除数据只需要很小的净电荷,从而提高了写入的效率。发表在2022年IEEE硅纳米电子研讨会上的该

我国科学家开发出超低功耗铁电存储器新技术

北京大学电子学院邱晨光研究员-彭练矛院士团队日前成功研制出“纳米栅超低功耗铁电晶体管”,通过引入纳米栅极电场汇聚增强效应将铁电晶体管工作电压降低至0.6V,能耗降低至0.45 fJ/μm,是目前国际上尺寸最小、功耗最低的铁电晶体管。该研究成果近日在线发表于Science Advances。研究成果在

AI芯片展会|2024上海国际存储器芯片展览会「上海半导体展」

2024年第二十一届中国国际半导体博览会(IC CHINA)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会,自 2003 年起已连

氧化铪基铁电存储材料研究取得进展

互联网、人工智能等信息技术的快速发展,对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势,被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相(orthorhombic phase,简称“o相”)HfO2基铁电材料由于自身高铁电

氧化铪基铁电存储材料研究取得进展

互联网、人工智能等信息技术的快速发展,对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势,被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相(orthorhombic phase,简称“o相”)HfO2基铁电材料由于自身高铁电

我国科学家在铁电隧道结存储器研究中获进展

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519161.shtm

AI芯片展会|2024上海国际物联网芯片展览会「上海半导体展」

2024年第二十一届中国国际半导体博览会(IC CHINA)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)作为中国半导体行业协会主办的唯一展览会,自 2003 年起已连

金属所通过外延应变调控铁电极化 实现巨大隧穿电致电阻效应

铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。铁电隧道结利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应以获得不同电阻态,从而实现数据存储功能。由于铁电极化亚纳秒尺度的超快翻转以及紧凑的交叉阵列结构,铁电隧道结具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点,近年来在信息存储领域备受关注。隧穿电致电阻 (或开关比)是

新型材料有望大幅提升计算机存储芯片的性能

用于存储数据的“闪存”芯片,如今占据着每年700亿美元的市场。同时,闪存也面临着许多与限制其他计算机芯片改进相同的微型化瓶颈。但一种名为铁电体的材料有望使数据密度再次实现数量级的提升。铁电体还能以更快的速度读写数据,且功耗仅为传统闪存的几分之一。韩国三星先进技术研究院Duk-Hyun Choe团队报

助力开发超快人工神经网络存算一体系统

  中国科学技术大学李晓光团队基于铁电隧道结量子隧穿效应,实现了具有亚纳秒信息写入速度的超快原型存储器,并可用于构建存算一体人工神经网络,该成果近日在线发表于《自然—通讯》。  在大数据时代,海量数据的低能耗、快速存储处理是突破和完善未来人工智能、物联网等技术发展的关键之一。为此,迫切需求一种既能匹

《组委会》「通知」芯片展2025深圳国际存储器芯片展

2025深圳半导体展暨中国电子信息博览会(CITE)即将于4月9日至11日在深圳会展中心盛大开幕。本届博览会以“深化交流与合作,推动产业创新发展”为主题,通过九大展馆的全面展示,为全球半导体行业带来一场交流与合作的盛宴。本届展会将重点打造半导体产业链馆和新型显示及应用馆,全面展示IC设计、半导体材料

铪基薄膜铁电变体研究获重要进展

在国家自然科学基金等项目的资助下,松山湖材料实验室大湾区显微科学与技术研究中心团队在铪基薄膜铁电变体的调控研究中取得重要进展。该团队在单晶外延Hf0.5Zr0.5O2薄膜中成功稳定具有铁电性的新型单斜相,使材料呈现出卓越的抗铁电疲劳性能,为铪基薄膜中铁电性的稳定与增强开辟了新路径。相关成果10月3日

我国科学家成功开发人造蓝宝石介质晶圆

支撑 经过多年研究攻关,我国科学家成功研制出一种人造蓝宝石作为绝缘介质的晶圆,为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。这一成果8月7日在国际学术期刊《自然》发表。随着电子设备不断小型化和性能要求的提升,芯片中的晶体管数量持续增加,尺寸日益缩小,同时也带来了新的技术挑战,尤其是在介质材料方面。电子芯片中

我国科学家成功开发人造蓝宝石介质晶圆-为低功耗芯片提供技术支撑

经过多年研究攻关,我国科学家成功研制出一种人造蓝宝石作为绝缘介质的晶圆,为开发低功耗芯片提供了重要的技术支撑。这一成果8月7日在国际学术期刊《自然》发表。随着电子设备不断小型化和性能要求的提升,芯片中的晶体管数量持续增加,尺寸日益缩小,同时也带来了新的技术挑战,尤其是在介质材料方面。电子芯片中的介质

碳纳米管有望实现存储器微型化

  耗电量极低 能以高速记录信息   英国科学家发现,将两根碳纳米管套在一起将能够最终产生使用二进制编码保存信息所需的“1”或“0”状态。   自从1958年发明集成电路以来,计算机产业的发展趋势就是使硬件体积越变越小。如今,英国科学家正在尝试用性能独特的碳纳米管来生产低成本、小体积的存储器

2024北京锗硅材料展|2024第21届北京半导体展览会

2024第二十一届中国国际半导体博览会(IC China)时 间:2024 年 9 月 5 一 7 日地 点:中国·北京 · 北人亦创国际会展中心参展咨询:021-5416 3212大会负责人:李经理 136 5198 3978(同微)(IC China)自2003年起已连续成功举办二十届,是我国半

2024北京洁净室设备展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京电源管理芯片展|2024第21届北京半导体展览会

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半导体展会|2024第二十一届北京国际半导体博览会「官网」

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北京·2024半导体博览会「官网」

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2024北京5G芯片展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京混合电路展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京国际半导体展览会|北京半导体展_(CHIANExpo)

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2024北京测试设备展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京通信芯片展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京半导体博览会「官网」

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2024北京人工智能芯片展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京显示芯片展|2024第21届北京半导体展览会

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2024北京清洗设备展|2024第21届北京半导体展览会

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