光控电子将改变整个行业
美国密歇根大学研发出一种用激光光直接引导电子运动的半导体器件，无需外加电场或电源，为光电子融合技术打开新大门。问题来自传统电子学的根本局限：电子在材料中流动，通常是因为施加了电场，它们碰撞、漂移穿过材料。该器件主要用以探究基础物理、展示一种从未被观测到的行为，但这一发现最终或可支撑结合光学与电子学的技术，包括先进传感、成像与通信，并带来设备间信号传输与信息编码的更好方式。在美国国家科学基金会支持下，团队证明两种不同颜色的光能在半导体中产生有组织的电子流，还可通过旋转两束光场的偏振（即光波振荡的方向）来改变电流方向。项目参与者、密歇根大学物理系博士生 Yiming Gong 说：“我们在 Lurie 纳米加工设施制造的这个电学器件，有潜力变成测量光各方面特性的工具，但它源自非常基础层面的物理——不同光学吸收过程之间的干涉。”分析其原理：该效应依赖量子干涉。当两种颜色的光让半导体经由不同吸收路径抵达同一终态时，能量以光子（离散的能量......阅读全文
光控电子将改变整个行业
美国密歇根大学研发出一种用激光光直接引导电子运动的半导体器件，无需外加电场或电源，为光电子融合技术打开新大门。问题来自传统电子学的根本局限：电子在材料中流动，通常是因为施加了电场，它们碰撞、漂移穿过材料。该器件主要用以探究基础物理、展示一种从未被观测到的行为，但这一发现最终或可支撑结合光学与电子学的
在半导体量子点系统中实现量子干涉与相干俘获
中国科学技术大学郭光灿院士团队在半导体量子点的量子态调控研究中取得重要进展。该团队教授郭国平、李海欧与中国科学院物理研究所研究员张建军等合作，在锗硅双量子点系统中实现了量子干涉和相干俘获(CPT)。该工作对基于半导体量子点系统的量子模拟和量子计算具有重要的指导意义。研究成果日前在线发表于《纳米快报》
我国实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控
中新社合肥1月13日电 (张俊 张梦怡)记者13日从中国科学技术大学郭光灿院士团队获悉，该科研团队实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控，其自旋翻转速率超过540MHz，是目前国际上已报道的最高值。研究成果11日在线发表在国际知名期刊《自然·通讯》上。 量子计算在原理上可通过特定算法，在一些具有重
著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
超导量子干涉器件
(SQUID) ①直流SQUID：相当于采用超导环路将两个约瑟夫逊结并接起来，形成一种两端器件。在端电压降为零时,它所能通过的最大电流是穿过环路的磁通量的周期函数，周期φ0（等于2.07×10-15韦）称为磁通量子。由于φ0很小，这种周期性的关系为测量磁通提供了极其精密的分度。②射频SQUID:
半导体所在激子声子的量子干涉研究中获进展
近日，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室报道了二维半导体WS2中暗激子与布里渊区边界声学声子之间量子干涉导致的法诺（Fano）共振行为（图1a、b），并揭示了对称性在其中的重要作用。相关研究成果以《少数层WS2中暗激子与边界声学声子的量子干涉》（Quantum interferen
异质结在半导体光电子器件中有哪些作用
半导体异质结构一般是由两层以上不同材料所组成，它们各具不同的能带隙。这些材料可以是GaAs之类的化合物，也可以是Si-Ge之类的半导体合金。按异质结中两种材料导带和价带的对准情况可以把异质结分为Ⅰ型异质结和Ⅱ型异质结两种，两种异质结的能带结构异质结图册，I型异质结的能带结构是嵌套式对准的,窄带材料的
几种半导体材料的光电子能谱研究
ZnO薄膜的光电子能谱研究表明:1)对某些条件下生长的薄膜,光致发光谱中存在的绿光发光峰来源于薄膜中介于Vo和Oi中间价态的氧;2)对首次利用溅射夹层GaAs方法制备的As掺杂的ZnO薄膜,O2下退火比较容易控制As的价态,有利于形成p型掺杂。首次采用ErF3到Alq3中的方法制作了1.53μm电发
中国科研团队实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控
记者13日从中国科学技术大学郭光灿院士团队获悉，该科研团队实现硅基半导体自旋量子比特的超快操控，其自旋翻转速率超过540MHz，是目前国际上已报道的最高值。研究成果11日在线发表在国际知名期刊《自然·通讯》上。 量子计算在原理上可通过特定算法，在一些具有重大社会和经济价值的问题方面获得比经典计
全国光电子与量子电子学技术大会在京召开
由中国电子学会主办，量子电子学与光电子学分会联合北京航空航天大学、中国电子科技集团公司11所等单位承办的全国光电子与量子电子学技术大会(NCOQE2011)于2011年3月18日在北京召开，来自全国以及美国的共200余名代表参加了本次会议。大会开幕式由中国电子学会量子电子学与光电子学分会秘书长章
单晶硅纳米白光光源又发《自然》
华南师范大学信息光电子科技学院教授兰胜课题组与中山大学物理学院教授李俊韬、电子与信息工程学院教授佘峻聪合作，在单晶硅纳米白光光源的研究中取得突破性进展。相关研究发表于《自然—通讯》（Nature Communications）。博士研究生潘麦铭成和向进为该论文共同第一作者，兰胜教授和李俊韬教授为共同
厦大团队研制成功拓扑自旋固态光源芯片
厦门大学半导体研究团队教授康俊勇、张荣、吴雅苹提出轨道调控的拓扑自旋保护新原理，首次生长出室温零场下本征稳定、长程有序的磁半子（Meron）晶格，并研制成功拓扑自旋固态光源芯片（T-LED）。7月13日，相关研究成果在《自然—电子学》上发表，该成果首次实现了从拓扑保护准粒子到费米子乃至玻色子的手性传
中红外光电子学材料与器件国际会议首次在中国召开
9月6日至8日，由中科院上海微系统与信息技术研究所和信息功能材料国家重点实验室主办的第十届中红外光电子学：材料与器件国际会议（The 10th International Conference on Mid-Infrared Optoelectronics:Materials a
原子—光子量子操控研究获得进展
华东师大物理系系主任、精密光谱科学与技术国家重点实验室长江学者张卫平领衔的研究团队，在原子—光子量子操控领域取得重要的实验研究进展，最新成果日前发表在美国物理学会杂志《物理评论快报》（Physical Review Letters）上。 该实验研究表明，利用基于拉曼
武汉物数所在冷原子研究方面取得新进展
激光冷却为研究量子光学、量子信息和量子模拟中的物理问题建立了实验平台。在对中性原子进行冷却过程中，为了简化实验装置和获得数目多的冷原子，半导体锥形放大器(Tapered Amplifier ,TA)是当今普遍利用的激光工具。当多个频率的激光成分同时注入到半导体锥形放大器时，由于固体材料的
胶体量子点激光二极管问世
新墨西哥州洛斯阿拉莫斯国家实验室的科学家已将精心设计的胶体量子点结合到一种新型LED中，该新型LED包含集成的光学谐振器，从而使LED能够充当激光器。研究人员展示了一种可操作的LED，该LED还可以用作光泵浦的低阈值激光器。为了实现这些目标，他们将光谐振器直接集成到LED架构中，而不会阻碍电荷载
超导量子干涉仪简介
SQUID实质是一种将磁通转化为电压的磁通传感器,其基本原理是基于超导约瑟夫森效应和磁通量子化现象.以SQUID为基础派生出各种传感器和测量仪器,可以用于测量磁场,电压,磁化率等物理量.被一薄势垒层分开的两块超导体构成一个约瑟夫森隧道结.当含有约瑟夫森隧道结的超导体闭合环路被适当大小的电流偏置后
科研人员实现片上时空等离激元涡旋的可控合成与超快成像
近日，南方科技大学物理系、粤港澳大湾区量子科学中心副教授戴亚南团队与合作者在《物理评论快报》发表最新研究成果。研究团队提出了“时空工程”策略，在金属芯片表面合成出一类新型片上拓扑近场——时空等离激元涡旋，并利用干涉式时间分辨光发射电子显微镜技术，对其纳米空间和飞秒时间尺度上的演化过程进行直接成像，揭
印度开发出具有量子光电子学性质的材料
据《印度教徒报》近日消息，二烯化钨和二烯化钼等材料光电子特性（光学和电子学的结合）受到广泛研究，其一个关键特性是光致发光，材料吸收光并以光谱形式重新发射。印度理工学院（马德拉斯分校）研究人员发现一种方法，通过在二维薄膜上滴注金纳米颗粒，可使二烯化钨的光电子性能提高约30倍。相关研究成果在《应用物
半导体所制备成功太赫兹量子级联激光器
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室、低维半导体材料与器件北京市重点实验室，在科技部、国家自然科学基金委及中科院等项目的支持下，经过努力探索，制备成功太赫兹量子级联激光器和红外量子级联激光器(QCL)系列产品系列产品。 太赫兹(THz)量子级联激光器是一种通过在半导体异质结
中国科学院院士、著名半导体光电子学家王圩逝世
1月26日，中科院半导体所发布王圩院士讣告。 以下为讣告全文：讣告 中国共产党优秀党员、中国科学院院士，中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体光电子学家王圩先生因病医治无效，不幸于2023年1月26日18点11分在北京逝世，享年86岁。 王圩院士1937年12月25日生于河北文安，1
谁将改变我们的生活？盘点十项具有变革潜质的前沿技术
你开着混动汽车，通过导航仪找到了特色参观，你在坚固温暖的房子里用手机查看着一周的天气预报，你足不出户就能通过电商买到国外的牛奶，你坐在影院里一边吃着爆米花一边看着最新的3D大片…… 虽已习以为常，但我们的生活已确实都被这些曾经的先进技术改变了。在2015年的关口猜想，下一次是谁要改变我们？
超快光场调控拍赫兹光电流研究获进展
近日，中国科学院上海光学精密机械研究所研究团队，在利用超快光场调控二维材料器件中的拍赫兹（PHz）光电流方面取得理论突破，揭示了多体相互作用在驱动拍赫兹光电流产生过程中的关键性影响。随着摩尔定律逐渐失效，传统半导体技术正逼近其物理极限。在此背景下，“光波电子学”应运而生。该领域利用超强超快激光的振荡
4月，富阳等您！闪光科技诚邀您参加中国光学十大进展高峰论坛暨颁奖典礼
2023年4月19-21日在杭州富阳举办的中国光学十大进展高峰论坛暨颁奖典礼，这是一场光学领域备受瞩目的科研成果盛会，本次论坛由中国激光杂志社、杭州光学精密机械研究所和杭州市富阳区人民政府联合主办，范滇元院士、祝世宁院士、崔铁军院士和罗先刚院士等诸多光学领域大咖加入，是一次全新的学术观点和科研成果动
半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(MBE)课题组合作，采用分子束外延技术生长的InGaSb/ AlGaAsSb应变量子阱激光器，实现了高工作温度(T=80℃)连续激射，激射波长2μm出光功率63.7mW，达到国内领先水平。
二维钙钛矿材料的电子性质－促进光电子领域发展
由洛斯•阿拉莫斯国家实验室和莱斯大学领衔的一个科研团队创造了一种通用的缩放比例法来帮助调整用于光电子器件的二维钙钛矿材料的电子性质，这可能会促进低成本钙钛矿光电子领域的发展。图片来源：洛斯阿拉莫斯国家实验室 他们的研究可以创建一个规模化尺度器件，通过这个器件，实验室可以确定任何厚度的钙钛矿量子
激光干涉仪怎样调光
激光干涉仪，关键字是激光和干涉。干涉（interference）是两列或两列以上的波在空间中重叠时发生叠加从而形成新的波形的现象。对光源有一定的要求，而激光的三个特性能够较好的发生干涉。所以就出现了用激光干涉实现某种应用的仪器。一般性应用都是测面型，距离，速度等。因为两束满足特定要求的激光能够产生干
激光干涉仪怎样调光
调整半导体准直光源，使小孔光束在通过导轨中心线的垂面并与导轨表面平行。调节全反射腔镜的四维调整架，使小孔光束通过其中心，并让反射光束沿原路返回小孔。装好聚光腔体，调节其支架，使小孔光束通过激光棒两端面的中心，并让其前端面的反射光点返回小孔。调节输出境和反射镜。调节偏振片和调Q晶体。垂直光路的调节
双频激光干涉仪原理
干涉仪是以激光波长为已知长度、利用迈克耳逊干涉系统测量位移的通用长度测量工具。 激光干涉仪有单频的和双频的两种。单频的是在20世纪60年代中期出现的，最初用于检定基准线纹尺，后又用于在计量室中精密测长。双频激光干涉仪是1970年出现的，它适宜在车间中使用。激光干涉仪在极接近标准状态(温度为20℃、大
激光干涉仪检测图谱
这要看交叉多大。有交叉不是说就不好。他是地位精度。你要看哪上边的数值，这是不是在一定范围，然后检完要要进行补偿，然后再捡，一般的不好的都是三遍每一遍到最后线越来越宽的。叫喇叭口，这种的不好。只要在系统的补偿值范围内就没事，机械不要做得太次，要不没法过。