科研团队实现埃米级原子滑移撬动千万倍电阻变化
只需埃米级，也就是0.1纳米尺度的原子层微小滑移，就能撬动千万倍电阻变化。中国科学院半导体研究所科研团队通过二维范德华异质结界面工程，攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的行业难题。 铁电隧穿结被视作下一代高密度存储、存算一体芯片的重要候选器件。器件的隧穿电阻开关比，直接决定存储芯片的读取信号质量、功耗表现。近年来出现的二维滑移铁电材料，依靠原子层之间的相对滑动实现铁电效应，抗反复读写能力远超传统氧化物铁电材料。但短板同样突出：这类材料自身极化强度偏弱，很难在器件中产生足够大的电阻信号，读出效果不理想。如何同时达到高开关比、超长循环寿命，这长期制约着这项技术走向实用。 为破解这一矛盾，科研人员搭建起Cr/h‑BN/3R‑MoS2/单层石墨烯滑移铁电隧穿结，还把这套方案拓展到1T′‑ReS2材料体系。六方氮化硼h‑BN充当一层致密“薄墙”，抑制漏电，让电流实现可控隧穿；3R‑MoS2二维材料依靠层间埃米级滑移翻转电......阅读全文
科研团队实现埃米级原子滑移－撬动千万倍电阻变化
只需埃米级，也就是0.1纳米尺度的原子层微小滑移，就能撬动千万倍电阻变化。中国科学院半导体研究所科研团队通过二维范德华异质结界面工程，攻克滑移铁电隧穿结高开关比与高耐久性难以兼顾的行业难题。 铁电隧穿结被视作下一代高密度存储、存算一体芯片的重要候选器件。器件的隧穿电阻开关比，直接决定存储芯片的
复制滑移的概念
滑移出现在亲代分子复制过程中，在一个子代分子的新合成聚核苷酸中添加了一个重复单位。子代分子复制时产生了一个子二代分子，其微卫星序列较其原亲本多出一个重复单位。
细胞化学词汇复制滑移
滑移出现在亲代分子复制过程中，在一个子代分子的新合成聚核苷酸中添加了一个重复单位。子代分子复制时产生了一个子二代分子，其微卫星序列较其原亲本多出一个重复单位。
滑移铁电：无限次读写不疲劳
近年新兴的铁电材料，因为具有超快的读写速度，断电后数据不丢失，以及超低功耗和很好的抗辐射能力，越来越多被应用于卫星存储器等复杂场景。但也因制造成本高、存储密度低等劣势，这种材料的商业发展前景颇为受限。其中的疲劳失效问题，则导致铁电材料存储器的读写次数仅为几万次。为此，中国科学院宁波材料技术与工程研究
量子器件中的纳米电阻器
此图是用电子显微镜拍摄，显示了通过量子相位滑移纳米丝链接的两个小型氧化铬电阻器的串联电路。(纳米丝太微小以至于在此尺度无法显示) 2014年12月9日华盛顿--伦敦纳米技术中心的研究者们最近为量子电路制作出了一种新型小巧的高阻电阻器。 这种电阻器推动了量子器材在计算和基础物理研究领域方
英开发出可用于纳米级量子电路的紧凑型高值电阻器
英国伦敦纳米技术研究中心的科学家在《应用物理学杂志》上报告说，他们研制出了可用于纳米级量子电路的紧凑型高值电阻器，这种薄膜电阻有望推动量子计算器件和基础物理研究的发展。 需要应用到高值电阻的一个例子就是量子相滑移（quantum phase-slip）电路。量子相滑移电路是用超导材料制作的狭窄
武汉岩土所深部开挖诱发断层滑移机理研究取得进展
深部岩石工程面临复杂的地质环境和工程灾害风险。深部能源开采及地下工程（如隧道、巷道等）开挖过程中，围岩应力场扰动诱发工程区临近断层/结构面失稳滑动，从而导致诱发地震或结构面岩爆的情况屡有发生。研究地下工程开挖诱发断层滑动地震机理，一方面有益于该类型突发灾害的预测及防控，另一面能够验证实验室观测到
“百人计划”陈立东携手德国学者发现柔性半导体材料αAg2S
金属和陶瓷/半导体具有迥然不同的力学性能，如金属具有良好的延展性、塑性、易加工等特性，而陶瓷和半导体则表现为脆性、塑性差、不易加工等特性。人类的生存和发展离不开这些基础材料的研究，目前金属和陶瓷/半导体已走进了人们生产和生活的方方面面，但它们力学性能的差异导致了两者几乎孑然相反的应用领域。特别由
金属所等Laves相金属间化合物位错滑移机制研究取得进展
中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室固体原子像研究部叶恒强院士、杜奎研究员、博士生章炜与清华大学朱静院士、于荣副教授等合作研究，利用球差校正电镜发现在Laves相金属间化合物中，位错通过反复地在上下两个不同的滑移面间来回跳跃，从而以波浪形状的路径向前滑移。这种位错滑移机
晶体线缺陷的主要类型介绍
位错主要有两种：刃型位错和螺型位错。刃型位错其形式可以设想为：在一完整晶体，沿BCEF晶面横切一刀，从BCAD，将ABCD面上半部分，作用以压力δ，使之产生滑移，距离（柏氏矢量晶格常数或数倍）滑移面BCEF，滑移区ABCD，未滑移区ADEF，AD为已滑移区交界线—位错线。滑移上部多出半个原子面，就象
insitu－TEM技术实现观察镁合金样品中的锥面位错滑移
近日，重庆大学材料科学与工程学院教授、电子显微镜中心主任聂建峰与西安交通大学单智伟教授和美国内华达大学雷诺分校李斌教授合作，在国际顶级学术期刊Science发表题为“Large plasticity in magnesium mediated by pyramidal dislocations”
金属所研究发现工程合金形变过程中第二相分解新机制
早在上世纪三十年代，凝聚态物理学家就提出了晶体中有关位错的理论，并把位错与晶体在生长当中的某些特定现象以及材料的力学行为定性地联系起来。然而，对位错的直接观察和实验验证直到1956年当时新一代透射电子显微镜的出现才得以实现。 工程合金大都是由多组元合金相构成。弥散分布的析出相强
高强度螺栓紧固轴力是什么意思
指的是高强度螺栓的预拉力。紧固高强度螺栓应分初柠、终拧。初拧应达到螺栓预拉力标准值的50%左右。终拧后，螺栓预拉力应符合下列规定：一、 对装有压力传感器或贴有电的高强度螺栓，采用电阻应变仪实测控制试件每个螺栓的预拉力值在0.95P-1.05 P（P为高强度螺栓设计预拉力值）之间;二、不进行实测时，扭
Nature：浙大学者破解高熵合金强度与塑性兼得奥秘
《周易》有云：“尺蠖之屈，以求信也；龙蛇之蛰，以存身也”。所谓丈夫之志，能屈能伸，坚强与坚韧并存，是历史和自然对一个完美事物的重要标准之一。金属材料的制备和使用渊源千年，是我们建设和改变世界所用的最大量和最重要的材料之一。然而完美难以企及，金属材料的强与韧往往不可兼得。 因此从几千年前冷兵器时
什么是输入电阻、输出电阻、输出电阻
输入电阻是从放大电路输人端看进去的等效电阻，是用来衡量放大器对信号源影响的一个性能指标。输人电阻越大，表明放大器从信号源取的电流越小放大器输人端得到的信号电压也越大.即信号源电压衰减的越少Us=Rs+Ri*IoRs，为信号源内阻，RI为放大器输人电阻。因此作为测量信号电压的示波器、电压表等仪器的放大
三明治分子隐藏状态正成为有机金属化学新风口：双环滑移首获表征
自20世纪50年代被发现以来，金属茂（metallocenes）化合物在有机金属化学中发挥了基石般的作用——二茂铁的发现者甚至因此获得1973年诺贝尔化学奖。这些化合物以一个金属原子夹在两个碳环之间，形成了独特的"三明治"结构。但几十年来，研究人员一直难以完全理解这些分子是如何形成的，因为许多关键
晶体线缺陷的定义和形成原因
实际晶体在结晶时，受到杂质，温度变化或振动产生的应力作用或晶体由于受到打击，切割等机械应力作用，使晶体内部质点排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶体的有序排列，形成线状缺陷。位错直观定义：晶体中已滑移面与未滑移面的边界线。这种线缺陷又称位错，注意：位错不是一条几何线，而是一个有一定宽度的管道
Nature：浙大学者破解高熵合金强度与塑性兼得奥秘
因此从几千年前冷兵器时代武器制造开始，人们就一直在追求坚强与坚韧并存的金属材料，也是从那个时候开始，人们已经意识到，金属材料的不同处理过程一定在改变着什么，因为它会带来强韧性的显著变化。随着我们认知世界的能力逐步提高，我们已经知道，这个“什么”，就是材料的结构。所谓“千锤百炼”也就是说的这个改变
二维双层材料层间滑移可实现对能谷自由度调控
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519211.shtm
加拿大科学家发现引起负微分电阻效应的精确原子结构
加拿大阿尔伯塔大学国家纳米中心的研究团队近日发现了引起负微分电阻（NDR）效应的精确原子结构，解开了困扰科学家几十年的难题。相关研究成果发表在2016年12月30日的《物理评论快报》（Physical Review Letters）杂志上。 NDR效应是一种奇怪的效应。通常情况下，当电子在
电阻器电阻作用相关介绍
小功率电阻器通常为封装在塑料外壳中的碳膜构成，而大功率的电阻器通常为绕线电阻器，通过将大电阻率的金属丝绕在瓷心上而制成。 如果一个电阻器的电阻值接近零欧姆（例如，两个点之间的大截面导线），则该电阻器对电流没有阻碍作用，并联这种电阻器的回路被短路，电流无限大。如果一个电阻器具有无限大的或很大的电
高熵合金既强又韧的关键“基因”获突破！浙大再发Nature
高熵合金（HEA）是合金家族近年来出现的新成员，因其独特而优越的性能而广受科学界关注。自它诞生之日起，一个问题就始终伴随左右：高熵合金的本质是什么？最新的科学研究发现，与传统合金相比，高熵合金内部的各元素分布存在明显的浓度起伏，这对它的高强塑性起到了决定性作用。 在相关论文Tuning ele
识得“庐山”真面目－高熵合金强度与塑性可兼得
《周易》有云：“尺蠖之屈，以求信也；龙蛇之蛰，以存身也”。所谓丈夫之志，能屈能伸，坚强与坚韧并存，是历史和自然对一个完美事物的重要标准之一。金属材料的制备和使用渊源千年，是我们建设和改变世界所用的最大量和最重要的材料之一。然而完美难以企及，金属材料的强与韧往往不可兼得。因此从几千年前冷兵器时代武
什么是碳膜电阻，金属膜电阻和线绕电阻
碳膜电阻器是用有机粘合剂将碳墨、石墨和填充料配成悬浮液涂覆于绝缘基体上，经加热聚合而成。气态碳氢化合物在高温和真空中分解，碳沉积在瓷棒或者瓷管上，形成一层结晶碳膜。改变碳膜厚度和用刻槽的方法变更碳膜的长度，可以得到不同的阻值。碳膜电阻成本较低，电性能和稳定性较差，一般不适于作通用电阻器。但由于它容易
我国学者联合揭示纳米线中晶界结构的尺寸效应
晶界是晶体材料中重要的缺陷之一。人们普遍认为在块体晶体材料中小角晶界（取向差小于15°）由位错墙构成，而大角晶界（取向差大于15°）则以结构单元而不是位错的形式存在。随着晶体材料的尺寸逐渐减小，大量存在的表面对材料的结构和变形行为会产生显著影响。图1 (a-d) 位错型晶界(DGB)和(e-h)
量子电阻测量中的次级电阻基准
使用的产品：VHA518－11， K－foil， 12K9 Ohm， 密封四脚电阻VHA518－11， K－foil， 6K45 Ohm， 密封四脚电阻面对的挑战：量子霍尔电阻（QHR）标准是国际认可的电阻的初级量子标准，其阻值为12．9 KΩ和6．45 KΩ。作为次级电阻基准，VSL需要一
制动电阻箱电阻工作制
电阻工作制 1、短时工作制(单次制动）t:对于制动电阻的短时工作制,指施加额定功率，电阻 未达到最大温升 63.3%所需的时间。 tB≤τ=200s 2、长时工作制（单次制动）t：施加额定功率，超过电阻最大温升63.3% tB>τ=200s 3、断续工作制（重复制动）ED%:电阻通电时
色环电阻和贴片电阻的读数方法
电阻是电子行业最常见、应用最广泛的元器件之一，其英文名字叫做Resistor，常用R来表示。它的单位是欧姆，用符号“Ω”来表示。在物理学中，电阻表示导体对电流阻碍作用的大小，电阻越大，对电流的阻碍作用越大。电阻元件是对电流呈现阻碍作用的耗能元件。 对于一个电阻，我们最直观的认识是这个电阻是多大
绝缘电阻测量绝缘电阻接线和方法
绝缘电阻测量绝缘电阻接线和方法 ①测量照明或电力线路对地的绝缘电阻，E接线端可靠接地，L接线端与被测线路相连。 ②测量电动机的绝缘电阻，将绝缘电阻表的接地端E接机壳，L接线端接电机的绕组，然后进行摇测。 ③测量电缆的绝缘电阻，测量电缆的线芯和外壳的绝缘电阻时，除将外壳接
什么是绝缘电阻，如何测量绝缘电阻
绝缘电阻：是绝缘物在规定条件下的直流电阻，即加直流电压于电介质，经过一定时间极化过程结束后，流过电介质的泄漏电流对应的电阻称绝缘电阻。是电气设备和电气线路最基本的绝缘指标。绝缘电阻的测定：1、按照兆欧表测量的方法连接各处线路。测量导线与管道的连接比较适合采用磁性接头或者夹子，而且连接点必须要除去锈迹