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新疆理化所硅基光电探测研究取得进展

实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法,而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片,一般氧化层(SiO2层)结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构本身的光电信号。然而,目前该方面的研究却忽略了硅本身作为一种很好的吸光半导体和光电转换的优势。 中科院新疆理化技术研究所环境科学与技术研究室科研人员首次利用硅片表面热氧化层的非高质量特点产生漏电流,从而不但有效利用了硅片的吸光特点,而且实现了将光电转换的光电流有效输出的目的。研究人员通过简单工艺将不同金属(Au、Ag、Al)电极膜构筑在SiO2表面,实现了高效、稳定的光电流输出。研究发现,该方法构筑的光电探测器感光响应时间小于0.1毫秒,而恢复时间仅为0.2毫秒。在很低的驱动电压如1.0毫伏及10毫伏下,光暗电流比分别达到388......阅读全文

新疆理化所硅基光电探测研究取得进展

  实现高效光电探测一直是微电子领域和材料领域研究的热点。硅基探测是众多光电探测器中最实用化的一种方法,而构筑于硅基底上的纳米材料光电探测器研究是目前科研人员高度关注的课题。多数的构筑于硅基底上的纳米结构采用的硅基底为表面热氧化的硅片,一般氧化层(SiO2层)结晶性好、漏电流小、避免影响目标纳米结构

硅基近红外光电转换取得突破

  近日,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所陈沁课题组联合东南大学的王琦龙教授紧密合作,在低成本高效硅基热电子红外光电探测器方面取得了系列进展。他们首先提出了Au纳米颗粒修饰Si金字塔结构的方案,实验证明他们制备的这些器件的性能与那些精心设计、成本高昂的Si基近红外光电探测器性能相当,有望应用在

李灿:硅基光电极中界面特征对性能的影响

  近日,中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、副研究员姚婷婷等在光电催化分解水研究方面取得重要进展,以单晶硅光电极为模型,识别了金属—氧化物—半导体(MOS)结构光阳极中制约其性能的关键界面因素,并针对性地引入相关界面调控策略,有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率,实现了对光电转化器件的理性设计

研究揭示硅基光电极中界面特征对性能的影响

近日,中国科学院大连化学物理研究所李灿院士、副研究员姚婷婷等在光电催化分解水研究方面取得重要进展,以单晶硅光电极为模型,识别了金属—氧化物—半导体(MOS)结构光阳极中制约其性能的关键界面因素,并针对性地引入相关界面调控策略,有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率,实现了对光电转化器件的理性设计和优

我所揭示硅基光电极中界面特征对性能的影响

  近日,我所太阳能研究部(DNL16)李灿院士、姚婷婷副研究员等在光电催化分解水研究方面取得重要进展,以单晶硅光电极为模型,识别了金属—氧化物—半导体(MOS)结构光阳极中制约其性能的关键界面因素,并针对性地引入相关界面调控策略,有效地促进了光生电荷分离提取和利用效率,实现了对光电转化器件的理性设

光电探测器简介

  光电探测器的原理是由辐射引起被照射材料电导率发生改变。光电探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波段主要用于导弹制导、红外热成像、红外遥感等方面。光电导体的另一应用是用它做摄像管靶面。为了避免光生载流子扩散引起图像

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

光电探测器工作原理

看了半天。原来你说的就是同一个东西纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质

什么是光电探测器

电导探测器photoconductive detector利用半导体材料的光电导效应制成的一种光探测器件。所谓光电导效应,是指由辐射引起被照射材料电导率改变的一种物理现象。光电导探测器在军事和国民经济的各个领域有广泛用途。在可见光或近红外波段主要用于射线测量和探测、工业自动控制、光度计量等;在红外波

光电探测器工作原理

纯度更高(纯度决定着他可以接收更少的光子而获得电流,即可以感应更加敏锐),即灵敏度更高的 太阳能电池(即光子伏特电池)就是光电探测器的核心部分。他使用光电池产生的电能,经过放大后,计算,然后得到数值事实上PN结之所以产生,就是在高纯度硅上(单晶硅最容易)加入一些杂质(即其他的材料,比如 锗 等)然后