亚纳米级孔隙三维图像首次获得
据物理学家组织网6月9日（北京时间）报道，美半导体研究公司与康耐尔大学的研究人员开发出一种新的方法，利用电子断层成像技术首次获得了亚纳米级的孔隙三维图像。科学家相信，对于半导体材料亚纳米级结构的深入了解，将会不断提高集成电路的性能，降低电能的消耗。 揭示信息技术进步速度的摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其指出当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 为了不断提高半导体的性能，科学家开始引入低介电常数材料以取代二氧化硅。低介电常数材料通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究通常是同高分子材料密切相关的，这些材料具有非常复杂的孔隙结构。掌握这些分子水平的孔隙结构，将对未来集成电路的设计产生深远的影响......阅读全文
SERS、TERS－谁能实现拉曼亚纳米分辨？
纳米尺度上的化学识别对于微观结构的设计与功能调控至关重要，而实现相邻不同分子的化学识别则代表着识别技术的一种极限挑战。最近，中国科学技术大学微尺度物质科学国家实验室单分子科学团队董振超研究组朝着这一极限目标又迈出了重要一步——他们继2013年成功实现亚纳米分辨的单分子拉曼光谱成像之后，又在国际上
PEI亚纳米多孔分离膜研究获进展
近期，中国科学院近代物理研究所材料研究中心与中山大学、河北大学等，利用重离子束辐照技术制备出具有优异离子分离性能的聚醚酰亚胺（PEI）亚纳米多孔分离膜。相关研究成果以Efficient ion sieving and ion transport properties in sub-nanoporou
北科大等打造1纳米制程集成电路新赛道
近日，“中国半导体行业协会2024（第十六届）半导体市场年会暨紫光集团品牌焕新发布会”在北京举办。北京科技大学与新紫光集团签约战略合作协议，双方将聚焦先进制程集成电路的前瞻技术和关键核心技术研究开展科技创新、成果转化人才培养等全方位合作。本次战略合作是在中国科学院院士、北京科技大学前沿交叉科学技术研
国家纳米中心在亚纳米材料普适性制备方面取得进展
与材料组成和结构一样，尺寸（维度和尺度）同样可以调控材料性能。例如，2010年和2023年的诺贝尔物理和化学奖分别授予二维材料和胶体量子点方面的开创性工作，凸显了材料维度和尺度的重要性。 中国科学院国家纳米科学中心张勇团队致力于极小尺度材料的物理制备及性能研究。前期，提出了二元协同球磨方法，将
微波等离子体亚深微米刻蚀
利用微波电子回旋共振（ECR）可以产生高密度的等离子体，选择不同的活性种粒分别对硅、砷化镓等半导体，Al, Cu, W, Ti 等金属，SiO2, Si3N4, Al2O3等无机物质和聚酰亚胺等有机物质，进行选择性刻蚀，制备大规模集成电路的芯片。现在的刻蚀技术，主要是采用电子束或同步辐射束曝光后，用
半导体集成电路失效分析检测装备之高低温试验箱
半导体集成电路失效分析检测装备之高低温试验箱。电子产品失效分析是一门新兴发展中的学科，在提高产品质量，技术开发、改进，产品修复及仲裁失效事故等方面具有很强的实际意义！ 高低温交变湿热试验箱与恒温恒湿试验箱属同类产品，只是叫法不同，高低温交变湿热试验箱是航空、汽车、家电、科研等领域必备的测试设备，用
征求意见|涉及《半导体集成电路－隔离器》等129项标准
根据我部标准化工作的总体安排，现将申请立项的《半导体集成电路 隔离器》等66项行业标准、《锂离子电池梯次利用分类规范》等63项推荐性国家标准计划项目予以公示（见附件1、2），截止日期为2024年6月19日。如对拟立项标准项目有不同意见，请在公示期间填写《标准立项反馈意见表》（见附件3）并反馈至我司，
2024上海国际半导体器件及集成电路生产设备展览会
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
2024越南集成电路及半导体产业展将于10月31日开幕！
SEMICON VIETNAM 20242024越南国际集成电路及半导体产业展览会 时间：2024年10月31日-11月02日地点：越南胡志明SECC国际会展中心组织机构主办单位：越南胡志明市工业配套促进中心、越南胡志明市高新技术开发区管委会支持指导：越南工贸部、越南科技部、越南胡志明市人民委员会协
2024深圳半导体芯片展览会|集成电路展|电子元器件展
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2024中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2024 China (Shenzhen)
彭练矛院士：没有芯片，就没有中国未来的现代化
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/511473.shtm当前，云、大数据、人工智能、个性化医疗和健康监控领域，未来数字化和智慧化的发展，都离不开芯片。毫不夸张地说，芯片就是现代技术的驱动力，中国未来如果没有芯片，就没有中国未来的现代化。集
北京碳纳米管集成电路研制取得重大进展
碳纳米管器件和集成电路因速度、功耗等方面优势，被认为是未来最有可能替代现有硅基集成电路，延续摩尔定理的信息器件技术之一。经过近20年的研究，碳纳米管电子学在器件物理、器件制备和优化、简单集成电路和系统演示方面取得长足进展。 然而，受限于材料和加工工艺问题，碳纳米管晶体管的制备规模、成品率和均匀
王占国：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，在家电、通
美开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜
据物理学家组织网8月21日(北京时间)报道，美国麻省理工学院的研究人员利用电子束光刻技术和剥离过程开发出无缺陷半导体纳米晶体薄膜。这是一种很有前途的新材料，可广泛应用并开辟潜在的重点研究领域。相关报告发表在近期出版的《纳米快报》杂志网络版上。 半导体纳米晶体的大小决定了它们的电子和光学性质
我国学者在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展
在国家自然科学基金创新研究群体项目（项目编号：61621061）等资助下，北京大学电子学系、纳米器件物理与化学教育部重点实验室张志勇教授团队与彭练矛教授团队合作，在高能效新型晶体管研究领域取得重要进展。研究成果以“Dirac-source Field-effect Transistors
纳米所在高纯度半导体型碳纳米管分离应用方面获进展
半导体型单壁碳纳米管（s-SWNTs）具有独特的电学、力学和光学特性，被认为是最有希望取代硅延续摩尔定律的半导体材料之一。但是，目前通过常规制备手段所制备的SWNTs均是不同导电属性的SWNTs混合物，极大地阻碍了其优异电子性能的发挥及在诸多高端科技领域里的潜在应用。因此，如何有效地获得高纯度、
2024中国上海国际集成电路与半导体产业展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
2025半导体与集成电路展览会深圳成都上海三展联动
深圳电子元器件展，电子仪器仪表展，深圳电子仪器仪表展，电子元器件展，深圳电子设备展，电子设备展，电子元器件展览会，电子仪器展，深圳电子仪器展，电仪器展览会，深圳继电器展，深圳电容器展，深圳连接器展，深圳集成电路展2025中国（深圳）国际半导体与封装设备展览会2025 China (Shenzhen)
苏州纳米所在半导体超晶格研究领域取得进展
超晶格概念自1970年一提出，就被认为是半导体物理领域一个具有里程碑意义的进展，在上世纪80年代和90年代成为半导体物理十分热门的研究领域。超晶格中微带输运和量子阱之间的级联共振隧穿会导致负微分电导效应，这使得超晶格成为一个理想的具有多个自由度的非线性系统。许多与空时非线性效应相关的物理现象都能
王占国院士：半导体材料将走向“纳米化”
半导体照明5年后进入千家万户、上百位的密码几秒钟就计算出来、人类进入变幻莫测的量子世界……日前，在中国科技馆数百位参加科学讲坛的听众前，中科院院士、中科院半导体研究所研究员王占国展示了半导体材料的惊人魅力。 半导体是介于导体和绝缘体之间的材料。自1947年12月23日正式发明后，
纳米所与索尼联合研发半导体材料与器件
6月23日下午，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与索尼公司半导体材料与器件合作项目启动签约仪式在苏州纳米所举行。研究所所长杨辉代表苏州纳米所与索尼公司高级副总裁熊谷签订合作协议，同时，索尼公司将向苏州纳米所提供分子束外延（MBE）装置的免费使用权。中科院副院长施尔畏，苏州工业园
半导体所在锑化物纳米线研究中取得系列进展
III-V族半导体纳米线凭借其独特的准一维结构和物理特性在纳米晶体管、纳米传感器和纳米光电探测器等方面有着重要潜在应用，是当前国际研究的热点。特别是，三元合金InAsSb纳米线除了具有超高的载流子迁移率和极小的有效质量外，其可调的带隙以及电、光学性能使其成为红外探测器的理想材料。目前，国际上广泛
为量子计算开路－半导体纳米设备还能这么用
日本理化学研究所（理研）近日宣布，利用由广泛用于工业领域的天然硅制成的半导体纳米设备，实现了具有量子计算所必需的高精度的“量子比特”(qubit)。由于可以使用现有的半导体集成化技术安装量子比特元件，因此，这次的成果将是实现大规模量子计算机的重要一步。 本次研究中使用的样本的电子显微镜
1mm/s扫描速度！－EMPIR研发出全球最快计量原子力显微镜
欧洲计量创新与研究计划（EMPIR）的项目“制造3D堆叠集成电路的计量”及其后续项目“可溯源的三维纳米计量学”研发出了全球最快的计量原子力显微镜。 原子力显微镜是一种超高分辨率的扫描探针显微镜，能够测定亚纳米或微米级别的样品表面特征。 该项目研发的显微镜由一个末端有尖探针的悬臂组成，能够“感
纳米比亚发生丝状支原体感染疫情
据世界动物卫生组织（OIE）消息，2019年6月26日，纳米比亚农林水利部向OIE紧急报告，纳米比亚发丝状支原体感染疫情。 本次疫情于2019年5月27日得到确认。疫情源头为非法运输动物。疫情发生地为奥卡万戈区恩库雷恩库鲁镇的一处农场中。 经临床与实验室检测发现，具体发病情况如下： 受影响
亚纳米尺度单自旋信息点读写实现
日前，北京大学信息科学技术学院特聘研究员王永锋与国内外学者合作，在单分子结构双稳态的原位可逆调控研究方面取得进展，成功实现1平方纳米尺度的单自旋信息点读写，相关成果发表于《物理评论快报》。 据悉，双稳态分子通常具有不同的结构形态，可用作信息存储的基元。然而，实现这种信息存储功能的前提是须将单分
亚纳米催化材料精准合成及催化取得系列进展
亚纳米尺度（单原子和团簇）催化材料具有独特的物理化学性质和极高的原子利用率，有望突破传统催化剂的限制，获得更高的催化效率和选择性。近年来，山西煤化所陈朝秋副研究员和覃勇研究员团队通过对原子层沉积过程动力学进行优化和调控，精确控制原子层沉积金属成核及生长行为，在亚纳米催化材料的精准设计合成和原子尺度揭
聚醚酰亚胺亚纳米多孔分离膜研究获进展
近期，中国科学院近代物理研究所材料研究中心与中山大学、河北大学等，利用重离子束辐照技术制备出具有优异离子分离性能的聚醚酰亚胺（PEI）亚纳米多孔分离膜。相关研究成果以Efficient ion sieving and ion transport properties in sub-nanoporou
聚焦离子束（FIB）原理及其在失效分析中的应用
随着集成电路技术的不断发展，其芯片的特征尺寸变得越来越小，器件的结构越来越复杂，与之相应的芯片工艺诊断、失效分析、器件微细加工也变得越来越困难，传统的分析手段已经难以满足集成电路器件向深亚微米级、纳米级技术发展的需要。FIB技术的出现实现了超大规模集成电路在失效分析对失效部位的精密定位，是大规模集成
真空互联技术可实现新型半导体材料和器件创新
日前，由中科院苏州纳米所牵头承办的第608次香山科学会议在苏州举行，来自国内外的40多位专家学者参会。本次大会的主题为“化合物半导体器件的异质集成与界面调控”，中科院院士李树深、黄如、中科院苏州纳米所所长杨辉、香港大学教授谢茂海担任本次大会的执行主席。 半导体与集成电路在人类社会各领域的应用