亚纳米级孔隙三维图像首次获得
据物理学家组织网6月9日（北京时间）报道，美半导体研究公司与康耐尔大学的研究人员开发出一种新的方法，利用电子断层成像技术首次获得了亚纳米级的孔隙三维图像。科学家相信，对于半导体材料亚纳米级结构的深入了解，将会不断提高集成电路的性能，降低电能的消耗。 揭示信息技术进步速度的摩尔定律是由英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔（Gordon Moore）提出来的。其指出当价格不变时，集成电路上可容纳的晶体管数目，约每隔18个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。 为了不断提高半导体的性能，科学家开始引入低介电常数材料以取代二氧化硅。低介电常数材料通过降低集成电路中使用的介电材料的介电常数，可以降低集成电路的漏电电流，降低导线之间的电容效应，降低集成电路发热等等。低介电常数材料的研究通常是同高分子材料密切相关的，这些材料具有非常复杂的孔隙结构。掌握这些分子水平的孔隙结构，将对未来集成电路的设计产生深远的影响......阅读全文
封装测试展|2024第21届北京国际半导体展览会「集成电路展」
名称：2024中国国际半导体博览会（IC China 2024）时间：2024年9月5日-7日地点：北京北人亦创国际会展中心规模：展览面积 40000 平米参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978（同微）展会背景中国国际半导体博览会（IC China）自20
永新光学：光学产品助力光通讯、半导体晶圆及集成电路检测
永新光学11月13日在互动平台表示，目前公司生产的光刻镜头可应用于PCB光刻设备。此外，公司生产的光学显微镜及光学元组件可用于光通讯、半导体晶圆及集成电路的检测等领域。永新光学： 永新光学股份有限公司成立于1997年，其子公司南京江南永新光学有限公司最早成立于1943年。公司是一家精密光学仪器
实验室通过光子晶体和纳米线组合实现光子集成新突破
LinkedIn与电子一体化的巨大成功故事相反，光子集成技术还处于起步阶段。它面临的最严重的障碍之一是需要使用不同的材料来实现不同的功能，不像电子集成。更复杂的是，许多光子集成所需的材料与硅集成技术不兼容。 到目前为止，在光子电路中放置各种功能纳米线，以达到所需的功能已经表明，虽然完全有可能
基于新型碳纳米管的薄膜晶体管问世
据美国物理学家组织网2月17日（北京时间）报道，最近，科学家研制出了金属性和半导体性之间平衡达到最优化的新式碳纳米管，并使用这种纳米管制造出了薄膜晶体管（TFT），未来有望研制出诸如电子书和电子标签等高性能、透明的柔性设备。 日本名古屋大学的科学家孙东明（音译）和同事以及芬
韩国三星首次研发5纳米半导体工艺
韩国《中央日报》发布消息称，三星电子已成功研发出5纳米(nm)半导体工艺，并于4月中正式量产首个利用极紫外光刻(EUV)的7纳米芯片。对于新一代半导体的精密工艺问题，三星电子与各企业间的技术较量也日趋激烈。 三星电子宣布成功开发的5纳米精密工艺采用了比现有的ArF更优越的EUV技术。与ArF工
复合半导体纳米线成功整合在硅晶圆上
据美国物理学家组织网11月9日报道，美国科学家开发出一种新技术，首次成功地将复合半导体纳米线整合在硅晶圆上，攻克了用这种半导体制造太阳能电池会遇到的晶格错位这一关键挑战。他们表示，这些细小的纳米线有望带来优质高效且廉价的太阳能电池和其他电子设备。相关研究发表在《纳米快报》杂志上。 III—
木材衍生的纳米纤维素纸半导体制成
日本研究人员开发出一种纳米纤维素纸半导体，其展现了3D结构的纳米—微米—宏观跨尺度可设计性以及电性能的广泛可调性。研究结果日前发表在美国化学学会核心期刊《ACS纳米》上。 具有3D网络结构的半导体纳米材料拥有高表面积和大量孔隙，使其非常适合涉及吸附、分离和传感的应用。然而，同时控制电气特性、创
科学家用半导体纳米微管控制神经突生长
在该项研究中，科学家设计出各种尺寸和形状的微管，其大小刚好够单个神经突进入，但又不会让整个神经细胞嵌入微管，然后他们将小鼠神经细胞覆盖在微管周围，并观察这些细胞会如何反应。结果研究人员发现，神经细胞开始将树突伸入微管中，仿佛在探路一般。其中有些树突会顺着微管的轮廓生长，这也意味着神经细胞可按一定结构
高导性碳纳米管可转换为半导体
据英国皇家化学学会网站18日报道，美国科学家开发出一种简单、可行的碳纳米管混合物的净化方式。其可借助紫外线和空气中的氧生成净化的半导性纳米管，这对发展下一代计算机芯片具有非凡价值。相关文章发表于近期的《纳米快报》网络版。 由于碳纳米管具有独特的形状和电子性能，极有希望成为未来电子元件制造的
天大首次用物理方法取得纳米级别半导体材料
4年前实验室人员的一个疏忽，却导致了一个意外发现，最终成就了一个世界首创的工艺。最近，天津大学材料学院量子点材料与器件研究组开发出了环保高效的单分散量子点合成新工艺，成果发表在《Nature Communications》(《自然通信》)杂志上，这是世界上首次报道用物理方法合成单分
俄学者发现空气对纳米电子半导体有致命影响
俄罗斯托木斯克理工大学发布消息称，该校与德国、委内瑞拉的科学家最近证实了二维半导体硒化镓在空气中的易损性，该重要发现有助于制造硒化镓基超导纳米电子产品。研究结果发表在《Semiconductor Science and Technology》(IF 2.305, Q2)杂志上。 现代材料学中
挪威研制最新半导体新材料砷化镓纳米线
挪威科技大学的研究人员近日成功开发出一种新型半导体工业复合材料“砷化镓纳米线”，并申请了技术ZL，该复合材料基于石墨烯，具有优异的光电性能，在未来半导体产品市场上将极具竞争性，这种新材料被认作有望改变半导体工业新型设备系统的基础。该项技术成果刊登在美国科学杂志纳米快报上。 以Helge W
澳大利亚研制纳米电子束曝光系统
据澳大利亚莫纳什大学网站报道，澳大利亚研究人员正在研制世界最强大的纳米设备之——电子束曝光系统(EBL)。该系统可标记纳米级的物体，还可在比人发直径小1万倍的粒子上进行书写或者蚀刻。 电子束曝光技术可直接刻画精细的图案，是实验室制作微小纳米电子元件的最佳选择。这款耗资数百万美元的曝光系统将
卫星捕捉纳米比亚沿岸硫化氢喷发景象
卫星捕捉纳米比亚沿岸硫化氢喷发 北京时间6月21日消息，据美国宇航局官网报道，2010年6月中旬，在纳米比亚海岸附近，硫化氢呈泡沫状不断向上升起，而尘埃则呈羽状物向西南方向的大西洋上空吹去。6月17日，美国宇航局“Terra”卫星上的中分辨率成像光谱仪捕捉到纳米比亚沿岸硫化氢和尘埃
最大伽马射线望远镜或落户纳米比亚
CTA将从南北两个半球对伽马射线展开观测。 本报讯 纳米比亚南部一片灌木茂密的地区已经被挑选出来作为建造全球最大伽马射线望远镜主要部分的最佳候选地址。科学家在日前于波兰华沙召开的会议上将纳米比亚列为切伦科夫望远镜阵列(CTA)南方阵列的5个选址中最棒的一个。CTA将由分别位于赤道两侧的两个
2024第14届上海国际半导体器件及集成电路生产设备展览会
2024上海国际电子制造设备展览会 时间： 2024年11月18-20日 地点： 上海新国际博览中心主办：中国电子器材有限公司协办：香港贸易发展局 台湾区电机电子工业同业公会 韩国电子产业振兴会 日本电子展协会 中国电子元件行业协会展会背景：电子
2024中国上海国际集成电路与半导体产业展览会_材料_制造_
上海半导体展，半导体产业展，半导体设备展，上海半导体设备展，上海半导体产业展，上海集成电路展，集成电路展2024上海国际半导体产业展览会时间：2024年11月18-20日 参展咨询：021-5416 3212大会负责人：李经理 136 5198 3978地点：上海新国际博览中心展会介绍：2024上
上海半导体展会/2024中国国际集成电路产业与应用博览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
我国研发成功一种超陡垂直晶体管技术
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517724.shtm随着集成电路制造工艺下探亚5纳米技术节点，传统的晶体管尺寸微缩路线无法像过去一样使“器件-芯片”性能提升并控制成本。“在此背景下，学术界与工业界近年来提出多种创新器件技术，以期克服常规
集成电路制造展会|2024上海集成电路应用展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
集成电路制造展会|2024上海集成电路制造展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
科学家用天然棉纤维造出晶体管
据美国物理学家组织网10月27日报道，美国、法国和意大利科学家组成的国际科研团队使用天然棉纤维制造出了晶体管，为在不远的将来制造出整合有电子产品的、更智能功能更强大而多样的服装铺平了道路。 该研究由美国康奈尔大学的纤维科学家、意大利博洛尼亚大学的物理学家和意大利卡利亚里大学的工程师们以及法
光学的“纳米尺度”进化，将拉开“消费光子”的序幕
目前最为可行的发展方式，是融合光学与半导体工艺，用半导体的思路做纳米级光元件。图片来源网络 单个晶体管到集成电路的进化，直接了促成人类信息革命的爆发，拉开了消费电子的序幕，造就了近50年来无数的科技奇迹和无数伟大的企业。基于对半导体行业长期发展的统计，半导体行业归纳出了所谓的“摩尔定律”——
科学家突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术
近日，我国科学家在科技部重点研发计划、国家自然科学基金委等项目的支持下，突破单层二硫化钼8英寸晶圆外延技术。相关成果发表于《先进材料》（Advanced Materials）。由松山湖材料实验室、中国科学院物理研究所、北京大学、华南师范大学组成的联合研究团队在松山湖材料实验室研究员张广宇的指导下，基
美制造出全石墨烯无缝集成电路架构
据物理学家组织网近日报道，美国科学家研制出了一种新的集成电路架构并做出了模型。在这一架构内，晶体管和互连设备无缝地结合在一块石墨烯薄片上。发表在《应用物理快报》杂志上的这项最新研究将有助于科学家们制造出能效超高的柔性透明电子设备。 目前，用来制造晶体管和互联设备的都是大块材料，因此很难让集
集成电路制造展会|2024上海模拟集成电路展览会「上海集成电路展」
展会概况展会名称：2024中国（上海）集成电路产业与应用博览会展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18日-19日展会地点：上海新国际博览中心展会规模：50,000平方米、800家展商、90,000名专业观众 中国集成电路将顺势而为，逆势崛起 “十四五”期间，我国半导体
全球首个单原子层沟道的鳍式场效应晶体管问世
中科院金属研究所沈阳材料科学国家研究中心与国内外多家单位合作，首次演示了可阵列化、垂直单原子层沟道的鳍式场效应晶体管，相关成果于3月5日在《自然—通讯》在线发表。 过去几十年来，微电子技术产业沿摩尔定律取得了突飞猛进的发展，按照摩尔定律的预测，集成电路可容纳晶体管数目大约每两年增加一倍。为了避
科学家发现具明亮基态激子的半导体纳米晶体
件 来自美国海军研究实验室（NRL）和瑞士苏黎世联邦理工学院（ETH）的科学家表示，他们发现了一类具有明亮基态激子的新型半导体纳米晶体。这一发现标志着光电子领域的一项重大进步，可能会彻底改变高效发光器件等技术的发展。相关论文发表于新一期《美国化学学会·纳米》杂志。研究示意图。图片来源：《美国化学学会
科研人员用碳纳米管制成碳基半导体
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/519344.shtm碳纳米管最早发现于20世纪90年代初，因卓越的性能而独树一帜。碳纳米管在导电和导热方面的表现令人惊讶，在研发更快、更小、更高效的电子产品的过程中，一直被认为是硅的潜在替代品。但是，生产
苏州纳米所有机半导体合成与官能化研究取得进展
有机芳香共轭化合物尤其是含氧族元素(如硫、硒等)的杂稠环芳香化合物由于其显著的光电特性而备受研究者重视。二氧杂蒽嵌蒽(PXX)是目前报道的为数不多的含氧族元素的全六元杂芳共轭小分子，其结构中引入了氧桥联结构，极大增加了分子间作用力和分子的环境稳定性，此外，由于氧杂原子是以六元环的方式引入，使分子