高能密度锂存储材料问世
图：新型存储材料含锂（左）和不含锂（右） 锂离子电池是目前应用最广的电池技术。对于像笔记本、手机和相机等设备，它都是必不可少的。现阶段的研究活动主要是要提高锂存储密度来扩大电池容量。此外，锂存储也应该满足高功率设备的快速充电要求，这就需要对锂离子电池的电化学工艺和新电池组件的发展有深入的了解。 锂存储材料目前主要是在由金属氧化物组成的主结构空腔上进行插入式存储锂（所谓的插页式）。这种方法十分有效，但存储密度有限，因为锂在这种结构中不能高密度填充。此外，想在单位单元插入存储多个锂离子一般来说不太可能，因为那样结构将会变得不再稳定，出现结构坍塌现象。因此需要通过在稳定结构中增加锂的填充密度来超越现今的存储密度上限。 一个由卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）的Maximilian Fichtner教授和 Ruiyong Chen博士带领的团队提出了一个新的存储原则和相应的存储材料，该材料能可逆存储每单位单元1.......阅读全文
纳米结构电荷俘获材料及存储项目课题通过验收
9月29日，由中国科学院微电子研究所承担的纳米研究重大科学研究计划2010年项目“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在北京召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士、南京大学郑有炓院士等相关专家、项目主管部门代表以及项目组成员等参加了会议。 项目首
新材料与器件结构用于下一代存储技术
受半导体研究联盟资助，美国加州大学戴维斯分校的研究人员正在开发新型的材料与器件结构，用于发展下一代存储技术。 现有硬盘与固态内存分别基于存储介质的磁状态与电状态。硬盘成本低、数据存储量大，但存储速度慢，且机械零部件会带来不稳定性。固态内存存储速度高，但存储量小，单位比特存储量的成本较高。
高能密度锂存储材料问世
图：新型存储材料含锂（左）和不含锂（右） 锂离子电池是目前应用最广的电池技术。对于像笔记本、手机和相机等设备，它都是必不可少的。现阶段的研究活动主要是要提高锂存储密度来扩大电池容量。此外，锂存储也应该满足高功率设备的快速充电要求，这就需要对锂离子电池的电化学工艺和新电池组件
纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储验收会召开
9月29日，重大科学研究计划“纳米结构电荷俘获材料及高密度多值存储基础研究”课题验收会在中国科学院微电子研究所召开。中国科学院吴德馨院士、解思深院士、李树深院士、高鸿钧院士，南京大学郑有炓院士、施毅教授，国家外国专家局马俊如研究员，北京大学薛增泉教授、朱星教授，国家自然科学基金委员会何杰研究员，
新材料可更好存储甲烷－存储量大幅提升50％
甲烷是天然气的主要成分，但常规条件下甲烷因较难存储而造成运输和使用成本大幅上升。英国剑桥大学等机构的研究人员开发出一种新型材料，能使单位体积内甲烷存储量大幅提升50%，远优于现有材料。 存储甲烷的传统方法是在250个大气压下将其压缩，许多科学家致力开发多孔吸附材料，使甲烷可在较低压强状态下存储
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
新型相变材料突破存储速度极限数据
模拟显示了在600皮秒内的晶核扩展，新相变材料迅速实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。 图片来自《科学》杂志官网 据《科学》杂志官网14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换
日研究不怕消磁的存储新材料
日本理化研究所研究人员在28日的美国《物理评论通讯》杂志网络版上发表论文说，他们发现一种人工合成的镉锇氧化物在特定温度下由导体变为非磁性半导体的原因。这种特性使其能够成为不怕消磁的存储新材料。 根据理化研究所日前发表的新闻公报，多数物质在不同温度下其导电性能并不会发生变化，而有些种类的金属
新型相变材料实现高速低功耗相变存储
最新一期《科学》杂志发表了中国科学家在相变存储领域的重大突破：中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队研发出一种全新高速低功耗相变材料——钪锑碲合金（ScSbTe），用其制成的相变存储单元实现了700皮秒内（0.7纳秒）的高速可逆擦写操作，操作能耗比现有国际量产锗锑碲合金（GeSbTe）降低了
石墨炔能源存储材料方面取得系列进展
碳素材料与人类生活密切相关，而石墨炔类材料是继富勒烯、碳纳米管、石墨烯之后，一类全新的碳素材料。在结构上讲，它是目前唯一一类通过化学法合成的，同时含有sp和sp2（分别表示两种不同的原子轨道杂化方式）两种杂化形式碳，并具有中国知识产权的二维平面全碳材料。从性能上看，石墨炔类材料具有大的共轭体系、
长鑫存储最新专利：半导体结构及其制作方法、存储器
据国家知识产权局公告，长鑫存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法、存储器“，公开号CN117320438A，申请日期为2022年6月。 专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法、存储器，其中，所述半导体结构包括：多个第一半导体柱、多个第二半导体柱、第一支撑层及存
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光
纳米限制结构相变存储器成功开发
近日，中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究团队基于12英寸集成工艺，开发出纳米限制结构相变存储器。该团队通过优化器件集成工艺，在12英寸晶圆上制备出嵌入式纳米加热电极，实现了超过1.0×1011次的器件循环擦写次数，较传统器件结构提升了1000倍，刷新了蘑菇型结构相变存储器的循环擦写纪录。科研人
氧化铪基铁电存储材料研究取得进展
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电
“新型高密度存储材料与器件”项目启动
10月17日，国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项“新型高密度存储材料与器件”项目启动会在中国科学院微电子研究所召开。 会上，微电子所所长叶甜春和中科院院士、微电子重点实验室主任刘明先后致辞。叶甜春对当前存储器领域的形势和现状进行了总结和展望，表示要集中力量围绕关键技术开展攻关，实现
氧化铪基铁电存储材料研究取得进展
互联网、人工智能等信息技术的快速发展，对存储器的存储密度、访问速度及操作次数提出了更高的要求。氧化铪基铁电存储器具有低功耗、高速、高可靠性等优势，被认为是下一代非易失性存储器技术的潜在解决方案。现在普遍研究的正交相（orthorhombic phase，简称“o相”）HfO2基铁电材料由于自身高铁电
钢铁材料：结构材料王座难保？
最近，中钢协公布了上半年重点钢企的“考试成绩”，倒也在大家意料之中。作为”钢铁摇篮“的毕业生，对钢铁业的关注还是比较多的。上周末，与一位钢铁业从业人士谈起了钢铁材料的。今天，就来聊聊结构材料老大的地位受到挑战的故事吧。 所谓结构材料，是指用其力学性能制作受力物件的材料。它是我们日常生活遇见、接
种子低温低湿存储箱的结构和功能特点
种子低温低湿存储箱定制的箱体采用触摸屏控制整个箱体，并且触摸屏可以显示、设置、记录箱体的所有参数和实验数据，可以实时显示箱体的温湿度曲线，配有专门的控制分析软件，可实现远程控制，具有预约开关机功能，同时显示冷却水水位。 箱内温度、湿度、时间等指标，确保箱内低温低湿LCD液晶显示箱内温度、湿
JACS：新型材料存储甲烷能力创新纪录
可替代能源技术是当前纳米研究的一个热点。科学家最近开发出一种类似海绵的材料，它具有迄今为止最高的存储甲烷能力。相关论文发表在1月23日的《美国化学会志》（JACS）上。 图片说明：新型材料中的一个纳米笼子。（图片来源：Shengqian Ma, Miami University） 一类
电子水准仪的数据结构和存储格式
作为一种新型的电子水准仪，它改变了传统的野外高差测量靠人工读数和手工记录的现实。电子水准仪采用REC模块存储数据和信息，将模块插入水准仪的插槽中，自动记录外业观测数据，用GIF 10或GIF 12阅读器读取内容并与外设(计算机、打印机)进行数据交换。 数据结构 REC模块存储两种类型的信息单
材料结构分析方法大全
关于材料结构分析的常见的方法有: 热分析法、电子显微方法、X 射线衍射、红外吸收光谱、核磁共振、金相分析等。 1.热分析法 热分析主要是分析样品在高温过程中的结构变化和物理化学变化，分为热重分析法，差热分析法，差式扫描量热法。 2. X 射线衍射分析 X 射衍射线( XRD) 又称X
材料物相结构分析
常用的物相分析方法有X射线衍射分析、激光拉曼分析、傅里叶红外分析以及微区电子衍射分析。X射线衍射分析XRD物相分析是基于多晶样品对X射线的衍射效应，对样品中各组分的存在形态进行分析。测定结晶情况，晶相，晶体结构及成键状态等等。 可以确定各种晶态组分的结构和含量。灵敏度较低，一般只能测定样品中含量在1
英研发分子材料存储装置－可客服闪存空间限制问题
英国新一期《自然》杂志刊载新研究说，科研人员开发出一种分子材料，可克服传统电子元件造成的闪存空间限制问题，使常用的相机、手机等存储卡提升存储能力。 闪存是一种很普遍的数据存储技术，但由于现有的数据单元设计问题，这种存储方式有着物理上的局限性。目前闪存装置采用金属氧化物半导体，而用这种材料很难生
“高密度存储与磁电子材料关键技术”取得突破
阻变存储器、相变存储器、磁存储器、高灵敏度磁传感器和隔离耦合器件等是具有良好应用前景的新型存储和磁电子技术，在移动通信、个人电脑、数码相机、电子标签等领域具有广阔的市场价值。“十二五”期间，863计划新材料技术领域支持了 “高密度存储与磁电子材料关键技术”主题项目。近日，科技部高新司在北京组织专
高效存储氢的纳米复合材料研制成功
据美国物理学家组织网近日报道，美国科学家设计出了一种新的储氢纳米复合材料，它由金属镁和聚合物组成，能在常温下快速吸收和释放氢气，这是氢气储存和氢燃料电池等领域取得的又一个重大突破。 上世纪70年代，人们开始将氢气看成化石燃料的替代品并对其寄予厚望，因为氢气燃烧后得到的副产品
这种新材料为什么能实现稳定波导光存储器
近日，来自中国科技大学量子信息研究所的研究人员们报告了在151Eu3+:Y2SiO5晶体中使用飞秒激光微加工制作II型波导，并验证了基于该波导的光量子存储器的可靠性。图：实验装置示意图。主激光束被分成两部分，分别作为制备模式、控制模式和输入模式。输入模式可以通过自旋波AFC方案中的输入1模式注入
外交部：希望日本解决超量存储核材料国际关切
外交部发言人洪磊３日在例行记者会上表示，希望日本采取切实行动，解决超量存储敏感核材料的国际关切。 据报道，针对日本目前拥有约４８吨可用于核武器的钚，美国卡内基国际和平基金会高级研究员阿克顿日前在东京日本记者俱乐部发表演讲时称，钚的囤积可能加剧亚洲地区紧张和核恐怖风险。其他国家也可能跟风储存核物
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存
美团对研发超薄磁性材料有望用于开发新型存储设备
美国一个科研团队基于二维磁体三碘化铬开发出了超薄磁性材料，有望用于研制新型存储设备，从而大幅提高信息存储密度并减少能量耗损。图片来源于网络 发表在最新一期美国《科学》杂志上的研究显示，研究人员利用新型二维磁性材料三碘化铬，可基于“电子自旋”对电子流动进行调控，从而实现存储信息。 华盛顿大学许
福建物构所多孔MOF存储乙炔材料研究取得新进展
乙炔是一种非常重要的化工原料，广泛用于合成聚酯塑料类材料。然而，当压力超过两个大气压时，即使在室温无氧条件下乙炔也能发生爆炸，因此乙炔的存储和运输依然面临着巨大的挑战。多孔金属-有机框架材料（MOFs）具有较高的比表面积、尺寸可调节的孔道，并且在常规气体的吸附与分离方面表现出优异的性能等优点，因