新型相变材料实现高速低功耗相变存储
最新一期《科学》杂志发表了中国科学家在相变存储领域的重大突破：中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队研发出一种全新高速低功耗相变材料——钪锑碲合金（ScSbTe），用其制成的相变存储单元实现了700皮秒内（0.7纳秒）的高速可逆擦写操作，操作能耗比现有国际量产锗锑碲合金（GeSbTe）降低了90%。 谁能掌握非遗失、高速读写擦存储材料与电路、高密度纳米存储阵列制备工艺，谁就占领了存储技术的国际制高点。宋志棠团队经过十余年的努力，实现了40nm节点相变存储芯片单元99.99%以上的成品率，研制出4Mb、64Mb 不加修正的芯片。而他们这次在《科学》杂志发表的最新成果，以相变八面体基元理论为指导开发出新型相变材料钪锑碲合金，使得相变存储单元的可逆擦写操作速度首次在1纳秒即700皮秒内快速完成，且操作功耗比国际量产的锗锑碲合金降低了90%。 宋志棠表示，新相变材料的这些性能表现，从物理上解决了存储器低功耗与高速擦写问题，配......阅读全文
新型相变材料实现高速低功耗相变存储
最新一期《科学》杂志发表了中国科学家在相变存储领域的重大突破：中科院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队研发出一种全新高速低功耗相变材料——钪锑碲合金（ScSbTe），用其制成的相变存储单元实现了700皮秒内（0.7纳秒）的高速可逆擦写操作，操作能耗比现有国际量产锗锑碲合金（GeSbTe）降低了
新型相变材料突破存储速度极限数据
模拟显示了在600皮秒内的晶核扩展，新相变材料迅速实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。 图片来自《科学》杂志官网 据《科学》杂志官网14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换
“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过验收
12月20日，国家“十一五”863计划新材料领域“相变随机存储器存储材料及关键技术”重点课题通过科技部组织的验收。科技部高技术研究中心材料处处长史冬梅，以及清华大学潘峰教授、南京大学刘治国教授、华东师范大学孙卓教授、中科院上海技术物理所陆卫研究员、吉林师范大学杨景海教授等验收专家出席了会议。课题
国产55纳米相变存储芯片
11月28日，宁波时代全芯科技有限公司在宁波现场发布了自主研发的55纳米相变存储芯片。这一成果的发布，使该公司成为继韩国三星、美国美光之后，世界上第三家、中国第一家拥有相变存储技术自主知识产权的企业，业内人士认为这将有利于打破存储器芯片生产技术被国外公司垄断的局面。 目前静态随机存储技术、
863项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过检查
9月6日，由中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠研究员主持承担的863计划重点课题项目“相变随机存储器存储材料及关键技术”通过中期检查。 国家集成电路研发中心主任赵宇航、国家科技部高技术研究中心处长史冬梅、材料处办公室张芳以及中科院半导体所副所长陈弘达、中科院光
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存
研究获重要发现高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体
国产相变存储器开启产业化应用
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
IBM研发出最新多位相变存储器
据美国物理学家组织网近日报道，IBM的科学家演示了最新的多位相变存储器，其每个存储格都能长时间可靠地存储多个字节的数据。最新技术让人们朝成本更低、速度更快、更耐用的存储技术前进了一大步，可广泛应用于包括手机在内的消费电子设备、云存储以及对性能要求更高的企业数据存储中。 相变存
我国学者揭示相变材料新阶段
清华大学物理系于浦研究组及其中外合作者，首次在单一材料中实现了双离子的电场可控结构相变，并揭示了基于三态相变过程中光、电和磁学特性调控的器件应用。相关成果近日在线发表于《自然》。该刊同期发表的题为《凝聚态物理：功能材料的转瞬之间》的评述文章对此做出高度评价。 电场控制离子导致的结构相变在物理及
我所提出时空相变材料的概念
原文地址：http://www.dicp.cas.cn/xwdt/kyjz/202303/t20230301_6687090.html 近日，我所氢能与先进材料研究部热化学研究组（DNL1903组）史全研究员团队基于热能长期存储与可控释放的理念，提出了时空相变材料（Spatiotemporal P
院企合作突破相变存储器关键技术
今天，记者从中科院上海微系统与信息技术研究所获悉，该所联合中芯国际集成电路制造（上海）有限公司开展的相变存储器（PCRAM）研究，在130纳米技术节点相变存储器技术方面取得重大突破。近四年来，合作双方与珠海艾派克微电子有限公司合作开发的打印机用PCRAM芯片取得工程应用突破，实现了产业化销售。
膨胀石墨相变储热材料的应用介绍
相变储热材料的导热性能不好,换热性能差,影响其储能和释能效率。同时复合相变材料中多孔介质的孔隙率较小,内含相变材料少,导致其储能量低,这些缺点都限制了该材料的应用和发展。膨胀石墨丰富的孔隙结构、高导热性能，可以很好的弥补这些缺陷。 张正国等直接将膨胀石墨吸附石蜡,制备出了粉末状的石蜡/膨胀石墨
“相变存储芯片关键技术的合作研发”项目通过验收
8月1日，受科技部国际合作司委托，江苏省科技厅组织专家，对中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所程国胜研究员主持的科技部国际科技合作项目“相变存储芯片关键技术的合作研发”进行了验收。 验收专家组由中国电子科技集团公司第58研究所、南京大学、南京工大、中科院上海硅酸盐研究所、复旦大学、上海交大
我国学者在相变存储异质结研究方面取得重要进展
在国家自然科学基金优秀青年科学基金项目（批准号：61622408）、面上项目（批准号：61774123）等资助下，深圳大学材料学院饶峰教授与西安交通大学金属材料强度国家重点实验室张伟教授、美国约翰霍普金斯大学马恩教授等合作，在相变存储材料与器件研究方面取得重要进展。相关成果以“Phase-cha
科学家开发出新型时空相变材料
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/3/518936.shtm
IBM相变存储技术实现每单元存3比特数据－成本接近闪存
据物理学家组织网报道，IBM苏黎世研发中心的科学家17日宣布，他们在相变存储（PCM）技术领域取得重大突破——首次实现了单个相变存储单元存储3个比特的数据。最新研究有助降低PCM的成本，并有望加快其产业化步伐，最终为物联网时代呈指数级增长的数据提供一种简单且快速的存储方式。 目前的存储器种类包
“半导体相变存储器”等三个项目结题验收
上海市科学技术委员会、中国科学院前沿科学与教育局： 重大科学研究计划“半导体相变存储器”等3个项目（项目清单见附件）实施期满，根据《国家重点基础研究发展计划管理办法》的要求，应进行结题验收。结题验收工作分为课题验收和项目验收两个阶段。课题验收由项目首席科学家会同项目依托部门组织，于10月20日
大连化物所研发出柔性相变储能材料膜
近日，中国科学院大连化学物理研究所氢能与先进材料研究部热化学研究组（DNL1903）研究员史全团队，与催化基础国家重点实验室二维材料化学与能源应用研究组（508组）研究员吴忠帅团队合作，通过简单易行的合成策略，开发出一种柔性相变储能材料膜，并将其与柔性石墨烯膜相结合应用于可穿戴热管理器件。该相变
自调温相变保温材料简介及优点分析
自调温相变节能材料，近年来在外墙保温施工中得到推广应用。此材料与传统的保温板材料相比，具有良好的粘结性、隔声、A级阻燃及环保性，并降低住户用能成本，减少能源浪费，达到建筑节能，具有可观的社会和经济效益。适用于工业与民用建筑与各类建筑的外墙外保温(涂料或贴装等饰面)，外墙内保温、屋面等需要 隔
单相变压器和三相变压器的区别
1、定义不同单相变压器：变压器利用电磁感应的原理来改变交流电压的装置，主要构件是初级线圈、次级线圈和铁心（磁芯）。在电器设备和无线电路中，常用作升降电压、匹配阻抗，安全隔离等。三相变压器：为了输入不同的电压，输入绕组也可以用多个绕组以适应不同的输入电压。同时为了输出不同的电压也可以用多个绕组。三个
拓扑相变研究中国也很强
一块碲化铋石头,普通人把它归类为“固体”,但它的准确分类应该是“拓扑绝缘体”。“拓扑”二字一加,物质的存在方式极大丰富。10月4日,三位美国人因为“拓扑相变”研究被授予2016年度诺贝尔物理学奖。而中国科学家近几年也在这一领域大放异彩。 “我读着他们的文章开始了研究,对他们的工作非常敬佩,他们
生物大分子的“相变”
编者按：生物大分子的“相变”或者说“相分离”应该说近几年来生命科学领域里面发展非常迅速的热门领域。然而很多同行却表示自己还没搞清楚“相分离”到底是怎么回事它就已经火了。为什么说火了？除了同行私底下交谈关于最新学术进展可以约莫了解一些之外，另一个风向标是观察以CNS为代表的杂志发表相关论文的情况。截止
光电所结合相变材料与超表面实现可调波前调控
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室近期在《先进科学》上发表封面学术论文，该研究结合相变材料与超表面实现了可调的光子自旋轨道相互作用，解决了目前基于超表面的平面光子器件功能固定不具备可调谐特性的难题，为未来动态可重构光子器件的实现提供了可行的方案。 超表面可以实现对光束波前的
光电所结合相变材料与超表面实现可调波前调控
中国科学院光电技术研究所微细加工光学技术国家重点实验室近期在《先进科学》上发表封面学术论文，该研究结合相变材料与超表面实现了可调的光子自旋轨道相互作用，解决了目前基于超表面的平面光子器件功能固定不具备可调谐特性的难题，为未来动态可重构光子器件的实现提供了可行的方案。 超表面可以实现对光束波前的
大连化物所开发柔性导热电绝缘复合相变材料膜
中国科学院大连化学物理研究所研究员史全团队通过简单易行的合成方法，开发出一种具有高导热、电绝缘且热驱动形状记忆特性的柔性复合相变材料膜，在可穿戴电子器件热管理领域具有应用前景。相关研究成果近日发表于《纳米能源》。 相变材料在相变温度范围内能够吸收或释放大量潜热，可作为理想的储热控温介质，应用于
具有极限操作速度的相变存储器研制方面取得新进展
当今，电脑系统采用层次化存储架构：缓存、内存和闪存。离CPU越近，对存储器存储速度需求越高，如内存的速度为纳秒级别，而缓存则需要皮秒级别。作为下一代存储器的有力竞争者，相变存储器的速度决定了其应用领域，而相变存储器速度主要由相变材料的结晶速度（写速度）所决定。研究表明，相变存储器的热稳定性越差，
有望听见核物质相变的“声音”
近期，一支国际联合研究团队利用双中子星并合过程中的引力波辐射特性研究核物质转变，取得了重要进展。10月26日，相关研究成果发表在《物理评论快报》（Physical Review Letters）上，并被美国物理学会《物理》杂志作为亮点报道。中国科学院紫金山天文台（以下简称紫金山天文台）博士研究生黄永
单相变压器的分类
变压器的最基本型式，包括两组绕有导线的线圈，并且彼此以电感方式称合一起。当一交流电流（具有某一已知频率）流于其中的一组线圈时，于另一组线圈中将感应出具有相同频率的交流电压，而感应的电压大小取决于两线圈耦合及磁交链的程度。
影响生物膜相变的原因
①脂肪酸链的长度,长度越长,膜的相变温度越高.②脂肪酸链的不饱和度,越高,相变越低.③固醇类,他们可使液晶相存在温度范围变宽.④蛋白质,影响与固醇一样.