科学家将能够为大脑抹去或植入记忆
科学家发现最精确描述大脑如何回想记忆信息的“方程式”，有望未来进行记忆清除或改变。 据国外媒体报道，目前，科学家发现大脑记忆事件的“方程式”，证实这是迄今描述记忆事件最精确的方程式，未来有一天医生能够利用这项技术对创伤性事件进行记忆清除或者改变。 瑞士洛桑联邦理工学院科学家沃尔夫拉姆-格斯特纳(Wolfram Gerstner)带领一支研究小组研究分析大脑突触如何形成记忆，突触具有很大的可塑性，使神经细胞改变信息传输速度和强度，并对记忆信息进行改变。 格斯特纳聚焦分析“记忆集成区域”，这是一个神经细胞网络，通过突触连接在一起，能够存储特殊的记忆片断。当一个记忆被回想时，这种记忆方程式能够集成记忆片断，组合成一个完整的记忆内容。 研究人员的模拟实验表明，记忆形成和恢复遵循于一个“组织严密的方程式”。科学家能够设计一个复杂算法，精确表达复杂的记忆信息。同时，记忆方程式还是一个“开发工具”，能够触发大脑记忆，或者完全消除......阅读全文
离子方程式
用实际参加反应的 离子符号表示离子反应的式子。它不仅表示一定物质间的某个反应，而且表示了所有同一类型的离子反应的基本步骤为： ①、写出有关反应的 化学方程式。 ②、可溶性的强 电解质(强酸、强碱、可溶性盐)用离子符号表示，其它难溶的物质、 气体、水等仍用分子式表示。微溶的强电解质应看其是否主
离子方程式配平
离子方程式配平，在离子方程式中，除了难溶物质、气体、水外，其它的都写成离子形式，首先让方程两端的电荷相等，再用观察法去配平水、气体等。
硝酸分解的方程式
硝酸见光分解的化学方程式为4HNO3=4NO2↑+O2+2H2O。稀硝酸见光一般不分解，浓度越稀，就越稳定。浓硝酸见光分解产生的二氧化氮溶解在浓硝酸中，会使溶液呈现黄色。硝酸是一种强酸，具有酸的通性。常见的需要避光存放在棕色瓶中的试剂有浓硝酸、硝酸银、溴水等。
有氧呼吸的方程式的介绍
第一阶段 ：糖酵解（反应场所：细胞质基质） ①：1 葡萄糖+2ADP+2Pi +2[NAD] → 2丙酮酸+2[NADH+H+]+2ATP 第二阶段 ：柠檬酸循环（三羧酸循环）（反应场所：线粒体基质） ②：2丙酮酸+2[NAD]+2辅酶A → 2乙酰CoA+2[NADH+H+]+2CO2
氯乙烷的水解的方程式
像这种卤代烃的水解反应一般都在氢氧化钠的水溶液中加热反应，反应原理是水中的氢氧根与卤代烃中的卤原子相互取代，生成的卤化氢再与碱发生中和反应！因此反应的化学方程式为：CH3CH2CL+NAOH=H2O(加热）=CH3CH2OH+NACL（温馨提示：注意水解反应和消去反应条件的异同，后者为NAOH的醇溶
乙醇和氧气反应电极方程式
这种电池一般是碱性电池。负极反应的电极方程式是：C2H5OH-12e-+16OH-=2CO32-+11H2O正极反应的电极方程式是：O2+4e-+2H2O=4OH-正极反应的电极方程式也可以写成：3O2+12e-+6H2O=12OH-
总稳定常数的推导方程式
推导总稳定常数，要先了解累计稳定常数(cumulative stability constant)的定义。在处理酸碱平衡时，要考虑酸度对酸碱各种存在形式分布的影响，同样，在配位平衡中必须考虑配位体浓度对金属离子的各级配合物存在形式分布的影响。配合物各型体的分布情况用 来表示。假设溶液中金属离子的总浓
超导体新定律——温度方程式
基础物理向前迈出一小步，商业科技向前迈出一大步。超导体的实际应用一直很难打破极限温度的界限，美国麻省理工学院发现了一种支配薄膜超导体的定律，最重要的参数也许是关键温度──也就是材料会转变成超导体的温度；不过虽然该温度值能藉由MIT新发明的方程式来优化，遗憾的是还无法降低到室温……超导体(superc
乙醛的反应方程式及原理
乙醛的反应方程式：CH3CHO+2[Ag(NH3)2]OH CH3COONH4+2Ag↓+3NH3+H2O（化合态银被还原，乙醛被氧化）原理：银氨溶液具有弱氧化性。现象：在洁净的试管里加入1mL2%的硝酸银溶液，然后加入10%氢氧化钠水溶液2滴，振荡试管，可以看到白色沉淀。再逐滴滴入2%的稀氨水，直
苯甲酸的制备方程式绘制方法
制备方法一:高锰酸钾制备苯甲酸的重要方法是芳烃的侧链氧化来制备芳香族羧酸,常用氧化剂有铬酸(乙酸、硫酸)、重铬酸盐(高锰酸盐、硝酸)。工业上制备苯甲酸是在钴、锰等催化剂条件用空气氧化甲苯制得,或由邻苯二甲酸酐水解脱羧制得。反应流程是甲苯+高锰酸钾+水——苯甲酸钾+氢氧化钾+二氧化锰+水(前面的水是提
铵根离子的检验方程式
铵根离子的检验方程式为：(NH4)++(OH)-=NH3+H2O。铵根离子的检验方法为：向铵根离子中加入氢氧化钙固体并加热，之后用湿润的红色石蕊试纸检验生成的气体。若红色的石蕊试纸变成蓝色，则代表生成的气体为氨气，说明体系中含有铵根离子。
实验室制氯气离子方程式
1实验室常见的方法有 （1）二氧化锰与浓盐酸共热：MnO2＋4HCl（浓）=MnCl2＋Cl2↑＋2H2O （2）高锰酸钾与稀盐酸反应：2KMnO4＋16HCl（稀）＝2KCl＋2MnCl2＋5Cl2↑＋8H2O （3）食盐和二氧化锰的混合物与浓硫酸共热：2NaCl＋3H2SO4＋MnO2
溴离子和氯气反应方程式
氟.氯.溴.碘氧化性由高到低为氟>氯>溴>碘所以他们的反应为Cl2+2Br-=2Cl-+Br2Cl2+2I-=2Cl-+I2Br2+2I-=2Br-+I2由于氟气氧化性非常强.....所以在溶液中不会有F2存在
溴离子和氯气反应方程式
氟.氯.溴.碘氧化性由高到低为氟>氯>溴>碘所以他们的反应为Cl2+2Br-=2Cl-+Br2Cl2+2I-=2Cl-+I2Br2+2I-=2Br-+I2由于氟气氧化性非常强.....所以在溶液中不会有F2存在
阿伦尼乌斯方程式定律定义
在1889年，阿伦尼乌斯在总结了大量实验结果的基础上，提出下列经验公式：微分形式，k——温度T时的反应速度常数；A——指前因子，也称为阿伦尼乌斯常数，单位与k相同；Ea——称为实验活化能，一般可视为与温度无关的常数，其单位为J·mol-1或·kJ·mol-1；T——绝对温度，单位K；R——摩尔气体常
科学家将能够为大脑抹去或植入记忆
科学家发现最精确描述大脑如何回想记忆信息的“方程式”，有望未来进行记忆清除或改变。 据国外媒体报道，目前，科学家发现大脑记忆事件的“方程式”，证实这是迄今描述记忆事件最精确的方程式，未来有一天医生能够利用这项技术对创伤性事件进行记忆清除或者改变。 瑞士洛桑联邦理工学院科学家沃尔夫拉姆-格斯
免疫记忆的记忆T细胞的相关介绍
大量研究表明,现在很清楚记忆CD4+T细胞和记忆CD8+T细胞可以在缺乏抗原的情况下持续生存。这也表明记忆T细胞不是静态的；他们通过通过自我增生来补充其数量，并且这种增值更新不需要抗原或MHC的刺激。近来工作的焦点集中在细胞浆移动在建立和维护T细胞记忆过程中所担负的角色上。I1－15和I1－7在
大脑记忆读取研究揭示记忆突然“卡壳”之谜
如果不能正确地回想起过去的事情，那会怎样？记忆的形成好比把一个人的面孔和名字等信息联系在一起，然后储存起来；而记忆的读取好比你再次遇到这个人时，能想起来他叫什么。如果你突然想不起来他是谁，这可能是一种暂时性回忆障碍。 人们的各种精神现象离不开生理基础的支持
三氯化硼和水反应的方程式
2BCl3+3H2O=加热=2B(OH)3↓+6HCl↑双水解反应
铝制品被食盐腐蚀原理方程式
铝制品放在液氯中一段时间后,铝被腐蚀,这种腐蚀叫做_化学腐蚀______,反应的化学方程式是_2Al+3Cl2==2AlCl3__.铝制品若放在食盐水中一段时间后,铝亦被腐蚀,这种腐蚀叫做_电化学腐蚀________,反应的原理是__食盐起的是电解质溶液的作用,会发生原电池反应.
高氯酸与硝酸的反应方程式
在非水介质或者水量很少的介质中，高氯酸是一种极其强的酸，硝酸在高氯酸中会得到质子而显示碱性，反应方程式为：HNO3+HClO4---->NO2+（硝基正离子）+H2O+ClO4-有些理论认为先生成了H2NO3+（硝酸合质子），然后再分解为硝基正离子，这种理论有待具体的光谱学证据来证明。硝基正离子是一
免疫记忆概述
用同一抗原再次免疫时，可引起比初次更强的抗体产生，称之为再次免疫应答或免疫记忆，无论在体液免疫或细胞免疫均可发生免疫记忆现象。在体液免疫时，对TD抗原的再次应答可表现为抗体滴度明显上升，免疫球蛋白类别可由IgM转换为IgG，而且抗体亲和力增强。提示再次应答不仅发生抗体量的变化，而且也发生了质的
大脑不会储存记忆，因为它本身就是记忆
据国外媒体报道，你最愉快的回忆是什么：你赢得最爽的一局比赛？你与孩子初次见面的那一刻？你意识到自己坠入爱河的那天？这些都不仅仅是简单的画面，是不是？在回忆的过程中，你还能记起当时的气味、色彩、某人说的趣事、你心中的感觉……等等。 这些片段仅有几毫秒长。大脑收集、联系并创造这些片段的能力便构成了
免疫细胞如何记忆？研究揭示抗病毒记忆B细胞的表观遗传记忆
近日，中国科学院生物物理研究所侯百东研究组和朱冰研究组在《先进科学》杂志合作发表研究论文，在研究抗病毒记忆B细胞（MemB）中的表观遗传信息时，发现其同时具有适应性免疫记忆和天然免疫记忆的特征。随着近年对表观遗传在细胞命运决定及代际稳定遗传中作用的研究，人们逐渐开始探索表观遗传在天然免疫记忆形成中的
棕色环实验反应的化学方程式
[Fe(NO)]SO4 硫酸亚硝酰合铁(II)为棕色,是一种可溶性的络合物,利用硫酸亚硝酰铁(II) 棕色的生成,可用于鉴定NO3-和NO2-(棕色环实验)。(1)NO3-的鉴定;生成棕色的硫酸亚硝酰铁(II) (当酸为醋酸时不反应)。(2)NO2-的鉴定;:生成棕色的硫酸亚硝酰铁(II) (当酸为
醋酸钠和稀硫酸反应方程式
这个反应基本上是不存在的。在稀溶液中，发生复分解反应的成立条件是1、生成气体物质2、生成弱电解质3、生成难溶性物质。醋酸虽然不是强电解质，但其易溶于水，在稀溶液中只有少数以分子形式存在。所以，该反应一般是不存在的。但真的要反应方程式的话，2CH3COONa+H2SO4=2CH3COOH+Na2SO4
碘与碘化钾的反应方程式
I2+KI=KI3 形成络合物，这就是为什么能通过加少量的KI增加I2在水中的溶解度的原因。
晶体缺陷符号及缺陷反应方程式
缺陷符号 以二元化合物MX为例（1）晶格空位：正常结点位没有质点，VM，VX（2）间隙离子：除正常结点位置外的位置出现了质点，Mi ，Xx（3）错位离子：M排列在X位置，或X排列在M位置上，若处在正常结点位置上，则MM，XX（4）取代离子：外来杂质L进入晶体中，若取代M，则LM，若取代X，则LX，若
氮化镓半导体材料的反应方程式
GaN材料的生长是在高温下，通过TMGa分解出的Ga与NH3的化学反应实现的，其可逆的反应方程式为：Ga+NH3=GaN+3/2H2生长GaN需要一定的生长温度，且需要一定的NH3分压。人们通常采用的方法有常规MOCVD(包括APMOCVD、LPMOCVD)、等离子体增强MOCVD（PE—MOCVD
醛基与银氨溶液反应方程式
醛基与银氨溶液反应方程式：CH3CHO+2Ag（NH3）2OH→CH3COONH4+H2O+2Ag↓+3NH3。银氨溶液一般指氢氧化二氨合银，氢氧化二氨合银的化学反应实质其实是氢氧化银发生反应，实际上就是AgOH·2NH3，氢氧化二氨合银溶液中存在以下组分：[Ag（NH3）2]+离子、NH3分子、N