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布什为华人科学家卓以和颁发美国家技术奖章

卓以和为著名材料科学家,美科学院院士和中科院外籍院士 美国总统乔治·W·布什7月27日在白宫为过去两年间在科技领域取得突破性进展的科学家颁发美国国家科学奖章与国家技术奖章。美籍华裔著名科学家卓以和是30位获奖者之一。 当天获奖科学家的研究成果涉及天体物理学、激光技术、气候学和组织工程等各个领域。 国家技术奖章的获奖者中包括美籍华裔著名材料科学家卓以和(Alfred Y. Cho),他因对分子束外延技术和高级电子光子设备发展所做的贡献而获奖。卓以和1937年生于北京,1955年赴美,现任美国朗讯科技公司贝尔实验室半导体研究室主任。 卓以和是国际公认的分子束外延与人工微结构材料生长的奠基人与开拓者。他是美国科学院院士和中国科学院外籍院士,被称为“分子束外延技术之父”。他用研制的新材料最先研究成功10多种极为重要、性能优异的新型微波高速电子器件和光电子器件。 “我们的研究者有的研究冰河,有的分......阅读全文

布什为华人科学家卓以和颁发美国家技术奖章

卓以和为著名材料科学家,美科学院院士和中科院外籍院士 美国总统乔治·W·布什7月27日在白宫为过去两年间在科技领域取得突破性进展的科学家颁发美国国家科学奖章与国家技术奖章。美籍华裔著名科学家卓以和是30位获奖者之一。 当天获奖科学家的研究成果涉及天体物理学、激光技术、气候学和组织工程等各个领域。 

分子束外延(MBE)

  分子束外延设备有很多种。但就其主要结构而论是大同小异的。分子束外延的设备较其他外延技术的设备复杂,要包括超高真空系统努森箱及各种分析仪器。从MBE技术的发展过程看,当初主要是为开发以GaAs为中心的Ⅲ-V族化合物半导体,而后是针对Ⅱ-Ⅵ族和Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体,最近正转向针对Si半导体器件的应用

分子束外延(MBE)装置

  MBE装置由样品进样室、预处理分析室和牛K窜等组成。窜间用闸扳阀隔开,以确保生长室的超高真空与清洁。  根据MBE系统的几何结构相应地配置真空系统。根据要求,3个室的真空配置的配置泵的系统并非一样:  (1)进样室。真空度为1.33 x10-6~1 33 x10-8Pa。在l 33×10-6~1

分子束外延要点解析

  一、分子束外延 (Molecular Beam Epitaxy,MBE)简介  在超高真空环境下, 使具有一定热能的一种或多种分子 (原子) 束流喷射到晶体衬底 ,在衬底表面发生反应的过程,由于分子在 "飞行"过程中几乎与环境气体无碰撞 ,以分 子束的形式射向衬底 ,进行外延生长, 故此而得名。

分子束外延(MBE)的特点

  (1)生长速率极慢,大约1um/小时,相当于每秒生长一个单原子层,因此有利于实现精确控制厚度、结构与成分和形成陡峭的异质结构等。实际上是一种原子级的加工技术,因此MBE特别适于生长超晶格材料。  (2)外延生长的温度低,因此降低了界面上热膨胀引入的晶格失配效应和衬底杂质对外延层的自掺杂扩散影响。

影响分子束外延(MBE)的因素

  1、外延温度  为了引起外延,基片的温度应达到某一温度值,即有必要加热到外延温度以上,当温度低于外延温度时则不能引起外延。而且外延温度还与其他条件有关,不同条件下的外延温度是不同的。  2、基片结晶的臂开  在过去的常规研究方面,基片结晶是在大气下臂开(机械折断产生结晶面)而后放入真空装置中来制

分子束外延(MBE)解析及原理

  分子束外延技术是在半导体工艺中近十几年来发展起来的一项新技术,它是在超高真空条件下,类似于真空蒸发镀把构成晶体的各个组分和予掺杂的原子(分子),以一定的热运动速度,按一定的比例从喷射炉中喷射到基片上去进行晶体外延生长而制备单晶膜的一种方法。简称MBE法  分子束外延,就是在超高真空系统中把所需要

分子束外延(MBE)的发展前景

  分子束外延自20世纪60年代末在真空蒸镀的基础上产生以来,发展十分迅速。其中之一是引入气态的分子束源,构成所谓化学束外延(CBE)。用砷烷(AsH3)和磷烷(PH3)生长InGaAsP等四元材料,或将金属有机化合物引入分子束源形成所谓金属有机化合物分子束外延(MOMBE)。这两项新技术是把MBE

分子束外延碲镉汞薄膜中VOID缺陷的研究

HgCdTe薄膜中的Void缺陷严重影响面阵器件的有效元数。对用分子束外延法在GaAs衬底上生长的HgCdTe薄膜中的Void缺陷进行了形貌、剖面观测和能谱分析。衬底表面状况和HgCdTe生长过程中的Hg/Te束流比及衬底温度决定了Void缺陷的密度和尺寸。在比较优化的条件下,可将Void缺陷密度降

涡轮分子泵分子束外延 MBE 与扫描隧道显微镜 STM 联用

  Pfeiffer 分子泵应用于分子束外延 MBE 与扫描隧道显微镜 STM 联用系统 --分析生长晶体表面结构   分子束外延 MBE 是一种晶体生长技术, 将半导体衬底放置在超高真空腔体中, 和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中, 由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能