福建物构所光致变色材料研究取得新进展

光致变色物质具有颜色和多种物理性质可逆变化的特征,其中磁性随光刺激发生变化(即所谓光磁效应)的化合物除具有一般光致变色物质的强光防护、光开关等功能外,还可能在磁共振成像、光信息存储等方面发挥重要作用。多氰基配位化合物被认为是最有发展前景的此类材料,多年来备受关注,但是,其光磁效应通常在液氮温度以下发生,而罕见于室温附近。因此,发展具有室温光磁效应的光致变色多氰基配位化合物具有重要的科学意义。 中国科学院福建物质结构研究所结构化学国家重点实验室研究员郭国聪率领的研究团队长期从事无机–有机杂化功能物质的结构化学研究。2003年,他们报道了[NdIII(DMF)4(H2O)3(μ-CN)FeIII(CN)5]·H2O (NdFeDMF)的合成和晶体结构。之后,日本和意大利两个研究小组发现,该化合物及类似的其它3d–4f多氰基配位化合物具有新颖的光磁效应,但光磁转变温度低于50 K,且其内在机制尚存在争议。近期,郭国聪和王明盛研......阅读全文

光磁效应简介

光照射物质后,物质磁性(如磁化率、磁晶各向异性、磁滞回线等)发生变化的现象。早在1931年就有光照引起磁化率变化的报道,但直到1967年R.W.蒂尔等人在掺硅的钇铁石榴石 (YIG)中发现红外光照射引起磁晶各向异性变化之后才引起人们的重视。这些效应多与非三价离子的代换有关,这种代换使亚铁磁材料中出现

光磁效应的概念和应用

光照射物质后,物质磁性(如磁化率、磁晶各向异性、磁滞回线等)发生变化的现象。早在1931年就有光照引起磁化率变化的报道,但直到1967年R.W.蒂尔等人在掺硅的钇铁石榴石 (YIG)中发现红外光照射引起磁晶各向异性变化之后才引起人们的重视。这些效应多与非三价离子的代换有关,这种代换使亚铁磁材料中出现

磁光效应和光磁效应的概念

磁光效应克尔磁光效应的最重要应用就是观察铁磁材料中难以捉摸的磁畴。因不同磁畴区的磁化强度的不同取向使入射偏振光产生方向、大小不同的偏振面旋转,再经过检偏器后就出现了与磁畴相应的明暗不同的区域。利用现代技术,不但可进行静态观察,还可进行动态研究。这些都导致一些重要发现和关于磁畴、磁学参数的有效测量。光

基于化合物半导体材料高速光开关的研究2

 高速光开关及光开关阵列是全光交换的核心器件. 首先给出全内反射型光波导光开关器件的理论分析模型, 并基于GaAs 材料中的载流子注入效应, 采用GaAs-AlGaAs 双异质结结构,研制了工作波长在1.55 μm 的X 结全内反射型和马赫曾德干涉型两种结构的光开关. 测试结果表明, 开关的消光比均

福建物构所光致变色材料研究取得新进展

  光致变色物质具有颜色和多种物理性质可逆变化的特征,其中磁性随光刺激发生变化(即所谓光磁效应)的化合物除具有一般光致变色物质的强光防护、光开关等功能外,还可能在磁共振成像、光信息存储等方面发挥重要作用。多氰基配位化合物被认为是最有发展前景的此类材料,多年来备受关注,但是,其光磁效应通常在液氮温度以

磁性金属测定仪应用纤维材料磁体磁化的退磁效应

      现在的磁性金属纤维材料的应用在磁性金属测定仪是一个比较理想和好的发展方向,但是对于该材料的制备和一些特征功能的表征还是比价少的。提出使用磁场来指导水溶性降低磁性金属纤维由的新思想,分析了用这种方法制备的磁性金属纤维的机理和动力学过程。磁性金属检测仪给出了实验结果表明,磁场引导水溶性还原法

化合物半导体材料的材料优势

化合物半导体集成电路的主要特征是超高速、低功耗、多功能、抗辐射。以GaAs为例,通过比较可得:1.化合物半导体材料具有很高的电子迁移率和电子漂移速度,因此,可以做到更高的工作频率和更快的工作速度。2.肖特基势垒特性优越,容易实现良好的栅控特性的MES结构。3.本征电阻率高,为半绝缘衬底。电路工艺中便

新材料“吃进”低能光“吐出”高能光

美国得克萨斯大学奥斯汀分校研究人员领衔的团队创造了一种新型材料,可吸收低能量光并将其转化为高能量光。这种新材料由超小硅纳米粒子和有机分子组成,能有效地在其有机和无机成分之间移动电子,可用于更高效的太阳能电池板、更精确的医学成像和更好的夜视镜。研究成果发表在最新一期《自然·化学》杂志上。新型材料将有机

新材料“吃进”低能光“吐出”高能光

原文地址:http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/6/502814.shtm美国得克萨斯大学奥斯汀分校研究人员领衔的团队创造了一种新型材料,可吸收低能量光并将其转化为高能量光。这种新材料由超小硅纳米粒子和有机分子组成,能有效地在其有机和无机成分之间移动电子,可

化合物液体旋光的测定方法

1.比旋度的测定先将测定管用供试品溶液冲洗数次,缓缓注入供试品溶液适量(注意勿使产生气泡),置于旋光计内检测读数,即得供试品溶液的旋光度。使偏振光向右旋转者(顺时针方向)为右旋,以“+“符号表示;使偏振光向左旋转者(反时针方向)为左旋“—”符号表示。同法读取旋光度3次,取3次的平均数,按照式(1)和

山东大学团队:电控磁效应调控二维磁性材料物性新进展

  近日,山东大学微电子学院教授王以林团队及合作者在电控磁效应调控二维磁性材料物性研究中取得新进展,相关成果发表在材料领域权威期刊《先进功能材料》。  二维磁性材料由于其超薄厚度和弱层间范德华相互作用,其磁性能如居里温度(奈尔温度)、磁各向异性、矫顽力等可以通过载流子浓度、层间距、应力应变、界面等多

光介质材料的功能介绍

光介质材料是传输光线的材料。入射的光线经过折射、反射会改变光线的方向、位相和偏振态;还可经过吸收或散射改变光线的强度和光谱成分。传统上常把光学材料限定为晶态(光学晶体)、非晶态(光学玻璃)、有机化合物(光学塑料)。

光伏材料试验机

光伏材料试验机技 术 参 数光伏材料试验机配  置1.规格:QX-W400D2.精度等级:1级3.大负荷:5000N4.有效测力范围:1/500-100/%;5.测力精度 :示值的±1%以内;6.试验力分辨率,大负荷50万码;内外不分档,且全程分辨率不变。7.有效试验宽度:150mm8.有效拉伸空间

光伏材料拉力检测设备

一、光伏材料拉力检测设备使用范围及技术说明:1、适用范围:可进行金属线材与非金属、高分子材料等的拉伸、剥离、压缩、弯曲、剪切、顶破、戳穿、疲劳等项目的检测。可根据客户产品要求按GB、ISO、ASTM、JIS、EN等标准编制,能自动求取zui大试验力,断裂力,屈服力,抗拉强度,抗压强度,弯曲强度,弹性

化合物半导体材料的应用

化合物半导体材料已广泛应用:在军事方面可用于智能化武器、航天航空雷达等方面,另外还可用于手机、光纤通信、照明、大型工作站、直播通信卫星等商用民用领域 。

化合物半导体材料的定义

化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。

化合物半导体材料的分类

化合物半导体材料种类繁多,性质各异,如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料,Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料,也有高电子迁移率材料;有直接带隙材料,也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来,有更广泛的用途。

化合物半导体材料的概念

化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。

化合物半导体材料的种类

化合物半导体材料种类繁多,性质各异,如Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体及其固溶体材料,Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体(SiC)和氧化物半导体(Cu2O)等。它们中有宽禁带材料,也有高电子迁移率材料;有直接带隙材料,也有间接带隙材料。因此化合物半导体材料比起元素半导体来,有更广泛的用途。

化合物半导体材料的性质

多数化合物半导体都含有一个或一个以上挥发性组元,在熔点时挥发性组元会从熔体中全部分解出来。因此化合物半导体材料的合成、提纯和单晶制备技术比较复杂和困难。维持熔体的化学计量比,是化合物半导体材料制备的一个重要条件。

化合物液体旋光的注意事项

1.物质比旋度与测定光源,测定波长、溶剂、浓度和温度等因素有关。因此表示物质出发度应测定条件。2.测定前应以溶剂做空白校正,测定后再校正次以确定在测定时零点有无变动如2次正发现零点有变动,则应重新测定旋光度。3.供式品溶液应充分溶解、澄清。配制供试品溶液以及测定时,应调节温度至或品种项下规定的温度。

化合物半导体材料的制备方法

通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶,用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。

化合物半导体材料的组成介绍

化合物半导体材料是由两种或两种以上元素以确定的原子配比形成的化合物,并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为化合物半导体材料。

化合物半导体材料的制备方法

通常采用水平布里奇曼法(HB)、液封直拉法(LEC)、高压液封直拉法(HPLEC)、垂直梯度凝固法(VGF)制备化合物半导体单晶,用液相处延(LPE)、气相处延(VPE)、分子束外延(MBE)、金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。

基础材料关系光伏电站未来

  由青海省发改委联合中国可再生能源学会国际合作中心、中国可再生能源学会光伏专业委会共同主办"国内电站高效可靠运营与光伏材料技术研讨会"于2013年 8月13日在青海西宁隆重召开。此次会议邀请了来自政府、行业协会、研究机构、金融机构、电力公司和杜邦公司在内的20余位行业专家和代表出席,共同探讨大

光介质材料的定义和特性

光介质材料是传输光线的材料。入射的光线经过折射、反射会改变光线的方向、位相和偏振态;还可经过吸收或散射改变光线的强度和光谱成分。传统上常把光学材料限定为晶态(光学晶体)、非晶态(光学玻璃)、有机化合物(光学塑料)。

化合物半导体材料的基本性质

多数化合物半导体都含有一个或一个以上挥发性组元,在熔点时挥发性组元会从熔体中全部分解出来。因此化合物半导体材料的合成、提纯和单晶制备技术比较复杂和困难。维持熔体的化学计量比,是化合物半导体材料制备的一个重要条件。

锂电材料石墨层间化合物的介绍

  石墨晶体是碳原子以共价键结合成的六角环形(碳原子间距为0.142nm)片状体的层叠结构,层面与层面之间距离较大(0.335nm),利用化学或物理的方法在石墨晶体的层面间插入各种分子、原子或离子,而不破坏其二维结构,只是使其层面间距增大,形成一种石墨特有的化合物称之为石墨层间化合物(也称石墨插层化

轨道光研究促光捕获材料新应用

  有一种微小的晶体材料能把光困在内部,成为闭合的周期性轨道光(orbiting light),这种光捕获材料正吸引科学家越来越多的关注。最近,美国加利福尼亚大学圣地亚哥分校科学家详细阐述了被捕获的光在纳米晶体内的表现。相关论文发表在《纳米快报》上。   据物理学家组织网近日报道,该校物理学教授迈克

光伏原材料将划准入“硬杠杠”

  8月28日,工信部电子信息司对《光伏制造行业规范条件(征求意见稿)》公开征求意见。硅产业绿色发展战略联盟秘书长白洪强接受采访时表示,《条件》对项目规模和光电转换效率给出了“硬杠杠”,其中晶硅类项目指标处于行业中高水平,新增了薄膜电池组件相关内容;企业研发投入设立最低限。   白洪强表示,《条件