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中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。 石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异特性，使其在电子学、太阳能电池、传感器等领域有着众多潜在应用。虽然需求巨大，但其制备速度缓慢，利用率一直徘徊在25%左右，成为制约其进入实际应用的瓶颈之一。目前制备高质量石墨烯的方法，除胶带剥离法、碳化硅或金属表面外延生长法外，主要是化学气相沉积法。但通过CVD技术生产单晶石墨烯薄膜仍然需要耗费很长的时间，制备一块厘米见方的单晶石墨烯薄膜至少需要一天的时间，十分缓慢。 在新的研究中，中国北京大学和香港理工大学的研究人员开发出一种新技术，能将这一过程从每秒0.4微米加速到每秒60微米，速度提升150倍。而其中的诀窍，就是在参与反应的铜箔......阅读全文
中国科学家在《自然·纳米技术》杂志上发表论文称，他们在单晶石墨烯制备上取得了一项突破。通过对化学气相沉积法（CVD）的调整和改进，他们将石墨烯薄膜生产的速度提高了150倍。新研究为石墨烯的大规模应用奠定了基础。 石墨烯是由碳原子构成的只有一层原子厚度的二维晶体材料，在电、光、机械强度上的优异
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和
因为在半导体工业中具有良好的集成兼容性以及低廉的成本优势，铜基表面化学气相沉积(CVD)法被认为是最有潜力实现大规模制备高质量石墨烯的方法。通过近10年的努力(2007-2017)，铜基CVD法已经在大批量、高质量和快速制备三个方向分别取得了一系列的突破进展。然而，对于能够同时实现快速、大批量和