辽宁成功运用“氧剪刀”制备悬浮硅原子单层
近日，大连理工大学与澳大利亚伍伦贡大学合作，在硅烯材料的氧化和单原子层剥离方面取得重要突破，成功利用氧分子作为“剪刀”，将硅烯原子层从金属基底上剥离，为硅烯器件研究提供了解决方案。相关成果发表在《科学》子刊《科学进展》上。 硅烯在由实验室走向工业化应用的道路上依然面临着很多的困难。最大的挑战在于：如何将硅烯原子层从金属基底上剥离，进行后续的器件加工。2014年起，澳大利亚伍伦贡大学、大连理工大学、中科院物理所和中科院高能物理所研究人员合作，提出了利用活性气体分子作为“手术刀”，将外延生长的硅烯从金属基底上剪切下来的实验方案，并最终确定利用氧分子作为“化学剪刀”插入外延的硅烯和金属基底之间，成功将硅烯从金属基底上剥离，首次得到了准自由硅烯单层的原子结构像、电子能带结构以及声子特征谱等一系列极其重要的信息，并通过理论计算还原了氧分子剪裁剥离硅烯的整个过程。这一突破，为未来硅烯器件的研发提供了重要的科学和技术基础。......阅读全文
石墨烯晶界输运性质研究取得系列进展
以石墨烯为代表的二维原子晶体材料的准粒子（如激子、狄拉克费米子等）由于量子限域效应，显示出室温量子霍尔效应等新奇量子特性，也促进了相关新型电子、光电子器件的应用等相关研究。获得本征的电学输运特性、光电特性等物理性质乃至最终的器件应用的关键在于大面积、高质量样品的生长。近年来，中国科学院物理研究所
添加氢气可使石墨烯更纯净
美国科学家在最新一期的《自然·化学》杂志上撰文指出，他们发现，氧化石墨烯进行还原反应后出现的不纯净石墨烯，可以通过向其中添加氢气而变得更加纯净，以更好地发挥石墨烯的特性。 石墨烯是仅由一层碳原子构成的二维晶体，超薄石墨烯拥有巨大的应用潜力，可以替代现在的液晶显示材料，与目前
单原子分子包括哪些
单原子分子通常情况下只有稀有气体单质（目前只有氦（He）、氖（Ne）、氩（Ar）、氪（Kr）、氙（Xe）、氡（Rn），不考虑没有得到聚集形态的118号元素（Uuo），固态非金属及一般金属都不属于单原子分子，但一些金属蒸汽由于原子基本独立存在，可认为是单原子分子，金属是直接由原子构成的，由原子键相
2024硅片及硅基材料展2024上海国际硅片及硅基材料展
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
硅片及硅基材料展|2024年上海硅片及硅基材料展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
“石墨烯之父”仍然埋头实验室－发现惊人
石墨烯发现者之一、英国曼彻斯特大学教授安德烈˙海姆不久前在2016中国国际石墨烯创新大会上，向公众讲述自己获得2010年诺贝尔物理学奖之后，仍投入90%的时间在实验室做基础研究的情况。他演讲所迸发的创新思维，令人耳目一新、脑洞大开。 开启二维材料新世界 长期以来，人们对二维结构的晶体了解不多
原子层沉积系统（ALD）的介绍
是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处。但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子。
原子层沉积系统（ALD）的应用
原子层沉积技术由于其沉积参数的高度可控型（厚度、成份和结构） 原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），最初称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），也称为原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Depo
原子层沉积系统（ALD）的原理
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法（技术）。当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应。在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。由此可知沉积反应前驱体物质能否在被沉积材料表面化学吸附是实现原子层
PICOSUN－原子层沉积系统共享
仪器名称：PICOSUN 原子层沉积系统仪器编号：16041497产地：中国生产厂家：PICOSUN型号：R200 Advanced出厂日期：201709购置日期：201612所属单位：集成电路学院>微纳加工平台>薄膜工艺放置地点：微电子所新所一楼109固定电话：固定手机：固定email：联系人：曹
硅单光子探测器取得重要进展
由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。近日，项目顺
新方法可人工合成高质量石墨烯
据美国物理学家组织网10月17日报道，美国科学家表示，他们研发了一种人工合成高质量石墨烯的技术，新方法不仅可控且可进行扩展，有望为下一代电子设备的研制铺平道路。相关研究将发表在今年的第11期《碳》杂志上。 石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体，只有一层碳原子的
原子厚线型碳线型碳超石墨烯－或成最强韧微材料
据物理学家组织网10月9日报道，美国莱斯大学的研究团队利用计算机得出的计算结果显示，单个原子厚的线型碳(Carbyne)可能是已知最强韧的微观材料，超过了与其同为碳家族成员的石墨烯。如果能够实现批量制造，线型碳纳米棒或者纳米绳将展示出非凡的特性，在纳米机械系统、自旋电子器件、传感器、适于机械应用
烯丙基三烷氧基硅的交叉偶联反应
2007年，EmilioAlacid等人[9]提出了烯丙基三烷氧基硅和苯乙烯卤化物的交叉偶联反应。烯丙基三烷氧基硅是由相应的炔和三烷氧基硅用金属铑催化得到，操作较简便。产物没有立体选择性，有机硅化物具有高稳定性，低毒性，高回收率，可适用于工业化大生产。
石墨烯纳米带制备及其晶体管应用研究进展
在国家自然科学基金项目（批准号：61622404、62074098）等资助下，上海交通大学陈长鑫教授研究组与合作者们在具有光滑边缘的亚十纳米宽度的石墨烯纳米带（GNR）制备及其高性能晶体管应用研究方面取得重要进展。研究成果以“来自被压扁碳纳米管的边缘原子级光滑的亚十纳米石墨烯纳米带（Sub-10
石墨烯等一系列研究取得进展
石墨烯独特的结构蕴含丰富且新奇的物理，不仅为基础科学提供了重要的研究平台，而且在电子、光电子、柔性器件等领域显现出广阔的应用前景。为了充分发挥石墨烯的优异性质并实现其工业生产与应用，须找到合适的材料制备方法，使制备出的石墨烯能够同时满足大面积、高质量、与现有的硅工艺兼容等条件。截至目前，大面积、
实现单原子催化剂中不同单原子物种的定量统计
近日，中国科学院大连化学物理研究所张涛院士、副研究员杨冰团队，与太原理工教授王俊文、澳大利亚国立大学研究员于丽娟合作，在单原子催化剂动态转化以及不同单原子物种定量统计方面取得新进展。研究表明，可通过惰性和氧化气氛调控单原子催化剂的可逆转化，并实现同一催化剂中不同单原子物种的定性识别与定量统计，统计结
石墨烯电池的技术特点
石墨烯电池，是一种由碳原子以sp2杂化方式形成的蜂窝状平面薄膜，是一种惟有一个原子层厚度的准二维材料，所以又叫做单原子层石墨。利用锂离子在石墨烯表面和电极之间快速大量穿梭运动的特性，开发出的一种新能源电池。由于高导电性、高强度、超轻薄等特性，石墨烯在航天范畴的使用优点也是极为突出的。石墨烯被研究者和
什么是石墨烯电池？
石墨烯电池，是一种由碳原子以sp2杂化方式形成的蜂窝状平面薄膜，是一种惟有一个原子层厚度的准二维材料，所以又叫做单原子层石墨。利用锂离子在石墨烯表面和电极之间快速大量穿梭运动的特性，开发出的一种新能源电池。由于高导电性、高强度、超轻薄等特性，石墨烯在航天范畴的使用优点也是极为突出的。石墨烯被研究者和
我国研究团队制备出双层硼烯
二维材料具有原子尺度的厚度和独特的性能，在纳米电子器件中颇具应用潜力而受到关注。新产业的萌发和快速发展来源于新材料的发现，不断发现新的二维材料、丰富和补充二维材料的性质，是二维材料研究领域的重要课题。硼烯是指由硼元素构成的二维平面结构，由于硼原子相对于碳原子缺少一个价电子，使硼原子之间的化学键较
研究人员开发新技术－可将不同材料集成于单一芯片层
以前，只有晶格非常匹配的材料能被整合在一个芯片层上。据美国麻省理工学院（MIT）网站27日报道，该校研究人员开发了一种全新的芯片制造技术，可将两种晶格大小非常不一致的材料——二硫化钼和石墨烯集成在一层上，制造出通用计算机所需的电路元件芯片。最新研究或有助于功能更强大计算机的研制。 在实验中，研
牛津仪器“新型纳米技术先进工艺研讨会”在沪举办
分析测试百科网讯 2016年3月14日，牛津仪器“新型纳米技术先进工艺研讨会”在上海浦东假日酒店举办，本次研讨会邀请了业内专家学者就纳米制造、新工艺技术等方面展开了一系列的学术交流，让在场的参会人员受益匪浅，更深入了解了牛津仪器在纳米技术方面的新产品、新进展和新应用。分析测试百科网受邀参加了
单原子MNC材料——深入理解ORR电催化剂的双原子活性
单原子M-N-C材料被认为是最有前景的非贵金属ORR催化剂，其活性中心被鉴定为模拟生物卟啉中心的金属-氮配位结构，之前的研究工作表明，具有各种金属中心的M-N-C催化剂遵循Sabatier原理，其中“恰好”的M-O结合强度有助于催化性能的最大化。目前最优的Fe-N-C催化剂位于M-N-C火山型曲
二碲化钼（Molybdenum－Ditelluride）：比二维硅更好
一支由韩国和日本组成的研究团队开发出了一种新的半导体材料，他们声称这种材料可以替代硅而应用于未来的电子产品中。8月7日的《科学》期刊上报道了这种新的晶体管，其管道内包含一种叫二碲化钼（MoTe2）的二维材料。 尽管硅十分重要，但所有科学家都在寻找硅的替代品，因为它有两个缺点：当硅涂层变到只剩一
氟硅新材料论坛衢州举行
11月15~16日，由浙江省化工学会、衢州学院等联合主办的2018中国氟硅化工新材料技术与产业高峰论坛在衢州举行。记者从会上了解到，为进一步巩固衢州氟硅化工新材料产业的先发优势，激发创新动力，衢州市政府正在筹划打造更多产业创新平台，促进学术界与产业界的沟通对接，吸引更多高科技产品、高端人才前来衢
硅基负极材料的性能特点
更高的正极比容量、更高的负极比容量和更高的电池电压（以及更少的辅助组元），是高能量密度电池的理论实现路径。正极材料的比容量相对更低，性能提升对电池（单体）作用显著；负极比容量提升对于电池能量密度提升仍有相当程度作用。硅材料的理论比容量远高于（约10倍）已逼近性能极限的石墨，有望成为高能量密度锂电池的
ICP测定硅材料中多种元素
硅材料具有优异的电学性能和机械性能，是用量最大、应用最广的半导体材料。硅材料中B、P、Cu、Fe等都是极有害的杂质，因此，电子工业中对硅材料的纯度要求极高。 由于硅材料中主成分是硅和碳，溶解此类样品通常需要加入HF，温度过高易造成B的损失，另外硅材料中杂质含量通常很低，要求分析仪器具有较高的灵敏度
我国学者首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在线发
清华团队首次实现具有亚1纳米栅极长度的晶体管
晶体管是芯片的核心元器件。更小的栅极尺寸可以使得芯片上集成更多的晶体管，并带来性能上的提升。近日，清华大学集成电路学院教授任天令团队在小尺寸晶体管研究方面取得重要进展，首次实现了具有亚1纳米栅极长度的晶体管，该晶体管具有良好的电学性能。相关成果以“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”为题，在
普通打印机首次打印出石墨烯薄膜电路
据英国《每日邮报》网站11月29日（北京时间）报道，英国剑桥大学的科学家们利用“神奇材料”石墨烯“墨水”，首次使用普通的家用打印机打印出由石墨烯制成的柔性电路，最新研究突破有助于科学家们大规模廉价制造出可穿戴的电子设备。 打印出电子设备并非新技术，科学家们已经使用纳米粒子“墨水”打印出了很多电