德国启动微电子与纳米电子研究工厂项目
德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持，弗劳恩霍夫协会将获得2.8亿欧元，莱布尼茨学会获7000万欧元。 合作方来自弗劳恩霍夫模块化固体物理研究组（EMFT）、电子纳米系统研究所（ENAS）、高频物理和雷达技术研究所（FHR）、通讯技术研究所（HHI）、应用固体物理研究所（IAF）、集成电路研究所（IIS）、系统集成和元件研究所（IISB）、微电子电路和系统研究所（IMS）、光电微系统研究所（IPMS）、硅技术研究所（ISIT）、可靠性和微集成研究所（IZM），以及莱布尼茨微电子创新研究所（IHP）、莱布尼茨高频技术研究所（FBH）。 德国微电子研究工厂将把13个研究所的2000多名科技人员以及技术研发所需的设备重新组织在一个虚拟研究机构里，组建世界上智能系统领域规模最大的技术和知识产权团队，不久的......阅读全文
韩开发出石墨烯合成新方法－可与微电子兼容
最近，韩国研究人员开发出一种与微电子兼容的方法来生长石墨烯，在硅基底上成功合成了晶片级（直径4英寸）的高质量多层石墨烯。该方法基于一种离子注入技术，简单而且可升级。这一成果使石墨烯离商业应用更近一步。相关论文发表在本周的《应用物理快报》上。 晶片级的石墨烯可能是微电子线路中一个必不可少的组成部
微电子所成功研发国内首款智能数字助听器SoC芯片
近日，中国科学院微电子研究所智能感知中心成功研发国内首款智能数字助听器SoC芯片。 该SoC芯片采用单芯片全集成解决方案（架构如图1所示，助听器芯片、硬件系统及样机分别如图2、图3所示），芯片集成片上电源LDO、时钟振荡器RC、低噪声模拟前端AFE、低功耗数字信号处理器DSP和高精度音频输出D
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
微电子所等研究团队在器件物理研究中获进展
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此，表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生较多独特的现象，并得
微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
InP基太赫兹晶体管的(a)直流与(b)高频特性 太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所
国家重点光电子与微电子器件专项2018年指南编制启动
近日,根据国家重点研发计划总体工作安排，科技部高新司在北京组织召开光电子与微电子器件及集成重点专项2018年度指南编制启动会。指南编制专家组以及指南编制工作组单位——发展改革委高技术司、教育部科技司、工业和信息化部科技司、国资委综合局、中科院科技促进发展局、自然科学基金会信息科学部、装备发展部
德国开发新型纳米机器人电驱动技术
德国慕尼黑工业大学和慕尼黑大学的科研人员合作开发出一种新型纳米机器人电驱动技术，据称其较目前通过加酶和DNA链等生化驱动方法快10万倍。相关研究结果于1月19日以封面故事形式发表在国际权威杂志《科学》上。 新的控制技术不仅适合来回移动染料或纳米颗粒，微型机器人的手臂也可对分子施力。研究人员强
德国发明超微硅纳米谐振器
德国伊尔姆瑙理工大学２３日报告说，该校研究人员已研制出硅纳米谐振器，这是目前世界上最小的硅纳米谐振器之一。这一发明可进一步提高纳米级微观结构成像的分辨率，对医学等领域的研究具有重要意义。 伊尔姆瑙理工大学制成的这种纳米谐振器的
2016年中国（上海）国际光电子与微电子仪器装备博览会
促进交叉学科互补，创新共赢发展 助推2025制造，着力打造“中国芯”，促动“光电集成”产业发展 产业高峰论坛 + 精准对接 + 展览展示 + 学术会议 2016年10月10-12日 中国 上海光大会展中心 展览总面积：10000m2，400余家参展商，汇聚200余位国内位顶尖专
2016年中国（上海）国际光电子与微电子仪器装备博览会
【精彩活动】 推出交叉学科——光电子与微电子创新产业高峰论坛 重点邀请工信部、电子信息化部领导、光电子与微电子行业权威院士，01、02专向专家组组长，龙头企业，共话交叉学科热点议题。 名誉主席：王阳元院士、金国藩院士 主席：庄松林院士、褚君浩院士、余少华院士、黄维院士、郝跃院士、黄如院
高压实验变压器预控微电子处理技术的功能设计？
高压试验变压器设计的功能有：1、状态提醒功能，全中文引导式操作，即使在无说明书的情况下亦可熟练操控；2、试验结果显示功能，可自动判断试验结果（试验通过或试验失败），并能可靠记录试品过电流、闪洛或击穿时的电压；3、试验结果声音报警功能，试验通过或试验失败时，设备会发出不同的报警声音，试验人员可直接由报
2024上海国际半导体技术暨微电子工业展览会
展会名称：2024中国（上海）国际半导体展览会英文名称：China (shanghai) int'l Circuit board & Electronic assembly Show 2024展会时间：2024年11月18-20日 论坛时间：2024年11月18-19日 展会地点：上海新国际
孙丕恕任山东大学微电子学院院长
6月8日下午，微电子学院召开干部会议，山东大学党委常委、副校长芦延华，党委组织部副部长王欣出席会议，学院党委书记吴天柱主持会议。王欣宣读了学校党委任命孙丕恕同志为微电子学院院长、免去宋爱民同志微电子学院执行院长的决定。芦延华在讲话中指出，这次干部调整，是学校党委从学校事业发展大局和微电子学院领导班子
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
微电子所在高迁移率沟道MOS器件研究方面取得进展
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心研究员刘洪刚、副研究员王盛凯带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下，对high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究，经过近5年的持续攻关，取得了重要的
微电子所研制出国内首个低温可充气真空辐射系统
通过近两年的努力，国内首个低温可充气真空辐射系统由中科院微电子研究所硅器件与集成技术研究室(一室)研制成功。 该低温测试系统由一室可靠性测试小组刘刚、毕津顺、曾传滨等科研人员自行设计完成，其极限真空
微电子所在SOTMRAM的关键集成技术领域获进展
磁随机存储器（MRAM）因具有非易失性、低功耗以及高访问速度等特点，在未来新兴存储领域颇具应用前景。尤其是基于自旋轨道矩（SOT）技术的MRAM存储器具有超高速、高耐久性的优势，更适用于高速缓存。然而，在SOT-MRAM集成中存在技术瓶颈，制约了其走向应用。隧道结的刻蚀工艺是关键的技术挑战和难点
第S15次香山科学会议研讨“微电子前沿技术”
近日，以“微电子前沿技术的应用与发展”为主题的第S15次香山科学会议在北京举行。鉴于我国在微电子产业起步较晚，与会专家表示，通过消化吸收国际微电子领域的先进技术，有望加速国内相关技术和产业的多方面发展。 目前，微电子技术已是一个集成性综合技术，包括电子、材料、生物、化学、物理、信息等多个学
微电子所在单节锂电池保护芯片研发方面取得进展
近日，中国科学院微电子研究所汽车电子研发中心在单节锂电池保护芯片研发方面取得新进展，其中型号为DM5261的保护芯片已经实现量产。 为确保单节锂电池的安全性和耐用性，每个锂电池都需配备相应的保护芯片。此芯片能有效防止电池产生过充、过放、充/放电过流和短路状态，确保电池的正常使用。 在深圳德赛
WDY500A(300A)型微电子面积测量仪使用方法
一、使用方法 1光源选择，标准框选择 打开仪器箱盖，选择合适的均匀光源，(如室内外天空散射光或均匀光线)，要求亮面点所受照度相同(本仪器最小照度应满足能调零，最大照度是消除仪器显示屏上闪 烁的LOBAT1999，当调零旋钮不能使闪烁的1999消除时，须减弱光照强度)。 根据被测面积的大小，选
微电子所在黑硅太阳能电池研究方面再获进展
多晶硅电池效率突破18.3% 近日，中科院微电子所微电子设备技术究室夏洋研究员、刘邦武、刘金虎等科研人员组成的研发团队联合嘉兴中科院微电子仪器与设备工程中心在黑硅太阳能电池研究上再获进展。继2012年11月多晶硅电池转换效率达到17.88%后，再度取得进展，突破18.3%。 该团队利
中科院微电子所研制高性能的负电容FinFET器件
近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心，面向5纳米及以下节点高性能和低功耗晶体管性能需求，基于主流后高K金属栅（HKMG-last）三维FinFET器件集成技术，成功研制出高性能的负电容FinFET器件。 现有硅基晶体管受玻尔兹曼热力学限制，室温下亚阈值摆幅SS≥60mV/dec
中科院微电子研究所启动国家重大科研仪器研制项目
3月17日，国家重大科研仪器研制项目“二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器 ”启动会在中国科学院微电子研究所召开。国家自然科学基金委相关领导、项目专家组成员、项目科研及管理人员共60余人参加了会议。会议由基金委信息科学部常务副主任秦玉文主持。 “二维电子材料及纳米
未来材料：交叉创新与可持续发展专题论坛举办
9月8日，由上海交通大学承办的2024浦江创新论坛——“未来材料：交叉创新与可持续发展”专题论坛在上海闵行区“大零号湾”科创大厦举行。本次论坛邀请了来自德国、土耳其、俄罗斯等国家材料科学领域的顶尖专家，分享他们在新材料研发、环境友好材料、产业应用等方面的最新研究成果和经验，推动材料科学领域的创新发展
苏州纳米所携手德国AIXTRON共建MOCVD培训中心
6月22日，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与德国AIXTRON SE签订了“MOCVD培训中心”共建合作协议。苏州纳米所所长杨辉出席签约仪式，并代表纳米所与德国AIXTRON SE首席财务官Wolfgang Breme签约。 MOCVD是半导体照明产业链的最关键
建院10周年，复旦微电子学院背后有这些故事
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/5/501025.shtm
深理工获批建设广东省算力微电子重点实验室
中新网深圳4月11日电 (王之康 黄东航)依托中国科学院深圳先进技术研究院等建设的深圳理工大学(筹)(简称“深理工”)4月11日发布消息说，其申报的广东省算力微电子重点实验室近日正式获批建设，这是“落户”深理工的首个广东省科技厅重点实验室，标志着该校在建设高水平新型研究型大学的道路上又迈出坚实的一步
微电子所在28nm－RRAM存内计算电路研究中获进展
物联网与人工智能技术的发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算，将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素和阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬
第三届华人微电子学术论坛在京举行
8月26日至28日, 第三届华人微电子学术论坛在中国科学院微电子研究所和北京航空航天大学举行。来自比利时、法国、德国、荷兰的20余名微电子领域资深华人专家以及中国科学院微电子研究所、北京航空航天大学、清华大学、中国空间技术研究院的同行专家参加论坛并作学术报告。 本次论坛由中国科学院微电
中科院微电子研究所采购6700万元仪器设备
自2010年1月20日起至2010年11月29日，中国科学院微电子研究所共发布十三批仪器设备采购项目招标公告，价值过亿。 2011年1月19日，中国政府采购网再次公布了中国科学院微电子研究所十一批和十三批的部分仪器采购结果，这两批仪器价值6777万元。具体内容如下： 采购人名称：中国