第三届华人微电子学术论坛在京举行
8月26日至28日, 第三届华人微电子学术论坛在中国科学院微电子研究所和北京航空航天大学举行。来自比利时、法国、德国、荷兰的20余名微电子领域资深华人专家以及中国科学院微电子研究所、北京航空航天大学、清华大学、中国空间技术研究院的同行专家参加论坛并作学术报告。 本次论坛由中国科学院微电子研究所、北京航空航天大学联合主办，教育部国际合作与交流司、欧洲华人微电子专业论坛、全法科技工作者协会、比利时华人专业人士协会协办。论坛得到了教育部“春晖计划”、中国科学院“创新团队国际合作伙伴计划”的资助。 本次论坛包括6个主论坛报告和32个分论坛报告，涵盖了集成电路设计和工艺、MEMS、CMOS图像传感器、DFM、先进存储器等领域，反映了近年来国内外在这些领域的最新科研成果和研究动态。论坛期间，与会人员开展了充分的研讨和交流。来自欧洲的与会代表还参观了中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺平台，听取了集成电路先导工艺研发中心......阅读全文
微电子工艺实习实践教学研究
1 开展微电子专业实习实践的必要性实践教学对于大多数工科课程都具有十分重要的作用，微电子学是基于半导体工艺的工程技术学科，直到21世纪前10年，半导体器件发展基本遵循摩尔定律，加工技术突飞猛进。尤其是集成电路课程相对于其他学科更加偏重于对微米甚至纳米级物理效应的研究，知识体系复杂，学生理解和掌握的难
德国启动微电子与纳米电子研究工厂项目
德国弗劳恩霍夫协会的11家研究所和莱布尼茨学会的2家研究所近日共同制定并启动了跨地区“微电子与纳米电子研究工厂”的项目方案。德国教研部为该项目方案提供经费支持，弗劳恩霍夫协会将获得2.8亿欧元，莱布尼茨学会获7000万欧元。 合作方来自弗劳恩霍夫模块化固体物理研究组（EMFT）、电子纳米系统
第三届华人微电子学术论坛在京举行
8月26日至28日, 第三届华人微电子学术论坛在中国科学院微电子研究所和北京航空航天大学举行。来自比利时、法国、德国、荷兰的20余名微电子领域资深华人专家以及中国科学院微电子研究所、北京航空航天大学、清华大学、中国空间技术研究院的同行专家参加论坛并作学术报告。 本次论坛由中国科学院微电
超导微电子器件基础研究取得重要进展
超导器件是未来微电子学和信息科学的重要分支,是当前超导电性学和电子学的前沿课题。它有可能使电子系统在速度、功耗、频宽、噪声等性能上达到综合兼优。上海交通大学蒋建飞教授等在国家自然科学基金(批准号:68871013,69371016)资助下,结合有效的国际合作,从1989年起,在三端超导器件机制、
微电子所等研究团队在器件物理研究中获进展
传统的三维半导体材料表面存在大量的悬挂键，可通过捕获和散射等方式影响和限制自由载流子的运动，因此，表面态的设计、制造和优化是提高三维半导体器件性能的关键因素。类似于三维半导体材料的表面态，单层二维材料（如二硫化钼和石墨烯）在边界原子的终止和重建可以产生边界态，这使二维材料产生较多独特的现象，并得
西电微电子学院举行建院二十周年人才培养论坛
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/7/504065.shtm7月1日，西安电子科技大学（简称“西电”）微电子学院建院二十周年暨集成电路领域科技创新与高质量人才培养论坛在该校北校区举行，28所国家示范性微电子学院代表、15家集成电路行业企业代表参
西电微电子学院举行建院二十周年人才培养论坛
7月1日，西安电子科技大学（简称“西电”）微电子学院建院二十周年暨集成电路领域科技创新与高质量人才培养论坛在该校北校区举行，28所国家示范性微电子学院代表、15家集成电路行业企业代表参会。 西安电子科技大学校长张新亮充分肯定了西电微电子学院20年来取得的优异成绩。他希望学院以建院二十周年为新起
微电子所垂直纳米环栅器件研究获进展
与目前主流的FinFET器件相比，纳米环栅器件（GAA）在可微缩性、高性能和低功耗方面更具优势，被认为是下一代集成电路关键核心技术。其中，垂直纳米环栅器件（VGAA）由于在垂直方向上具有更多的集成自由度，可增加栅极和源漏的设计空间，减少器件所占面积，更易实现多层器件间的垂直堆叠并通过全新的布线方
微电子所在氮化镓界面态研究方面取得进展
近日，中国科学院微电子研究所高频高压中心研究员刘新宇团队等在GaN界面态研究领域取得进展，在LPCVD-SiNx/GaN界面获得原子级平整界面和国际先进水平的界面态特性，提出了适用于较宽能量范围的界面态U型分布函数，实现了离散能级与界面态的分离。 增强型氮化镓MIS-HEMT是目前尚未成功商用
微电子所在高性能选通管研究中获进展
近日，2019 Symposia on VLSI Technology and Circuits（简称VLSI国际研讨会）在日本召开。中国科学院院士、中国科学院微电子研究所研究员刘明团队在会上展示了高性能选通管的最新研究进展。 交叉阵列中的漏电流问题是电阻型存储器（如RRAM、MRAM、PCM
微电子所忆阻器基感知计算研究获进展
生物体中，感受神经系统是本体与外界环境交互的基本信息感知系统。生物体对生存环境的信息甄别与过滤，主要基于感受神经系统的习惯化功能。当前，人类社会正由信息化向智能化演进。智能化社会需要高效智能的信息感知系统对感知到的巨量信息进行有效甄别、处理和决策，并对重复无意义的信息进行有效过滤。因此，基于生物
微电子所太赫兹晶体管研究取得新进展
InP基太赫兹晶体管的(a)直流与(b)高频特性 太赫兹波（T-ray，0.1–10 THz）在公共安全、无损检测、射电天文、环境监测、宽带通信、空间探测、生物医学等方面具有重要的应用前景，高性能太赫核心器件的研制是太赫兹技术在实用化进程中的关键环节。近日，中国科学院微电子研究所
微电子所新型三氧化二铝表面钝化研究获进展
日前，中科院微电子研究所在新型Al2O3表面钝化研究上取得突出进展。 良好的表面钝化对于提升晶体硅太阳能电池的开路电压十分重要，传统晶体硅电池常用等离子体增强化学气相沉积法沉积SiNx:H薄膜，除了能够降低反射率以外，还对Si电池的表面进行了较好的钝化。然而传统SiNx:H薄膜
微电子所“动力电池组监控芯片”研究取得进展
日前，中科院微电子研究所专用集成电路与系统研究室（二室）在“动力电池组监控芯片”研究项目中取得突破。 当前，随着传统能源紧缺和环境污染的日益严重，节能及环境友好型的新能源产业越来越被各国所重视。在新能源开发中，大功率电池组的应用需求日趋增加。为
微电子所在SOT型磁性存储器研究领域获进展
近日，中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室在SOT型磁性存储器（MRAM）研究领域取得进展。 实现低功耗、高稳定的数据写入操作是MRAM亟需解决的关键问题之一，其中，消除写入电流的非对称性对于实现写入过程的稳定可控以及简化供电电路设计十分重要。STT-MRAM（Spin-Tra
国际大学评价研究高端论坛举办
6月25日，中国科学技术信息研究所与汤森路透共同举办国际大学评价研究高端论坛及科学计量学研讨会，旨在加强大学科研绩效分析与评估的国际交流。论坛主题包含泰晤士报高等教育全球大学排名的历史、方法论及其影响，科研绩效评估方法论和基于大量数据的实证分析研究，中国的科学计量学发展及对研究评估和大
微电子所在阻变存储器研究中取得新进展
近日，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室在阻变存储器研究工作中取得进展，并被美国化学协会ACS Nano杂志在线报道（Controllable Growth of Nanoscale Conductive Filaments in Solid-Electrolyte-Based R
微电子所在黑硅太阳能电池研究方面再获进展
多晶硅电池效率突破18.3% 近日，中科院微电子所微电子设备技术究室夏洋研究员、刘邦武、刘金虎等科研人员组成的研发团队联合嘉兴中科院微电子仪器与设备工程中心在黑硅太阳能电池研究上再获进展。继2012年11月多晶硅电池转换效率达到17.88%后，再度取得进展，突破18.3%。 该团队利
微电子所在纳米森林的微器件应用研究中获进展
原文地址：http://www.cas.cn/syky/202103/t20210316_4781092.shtml 近日，中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心在纳米森林的微机电系统（MEMS）传感器应用研究上取得重要进展。 湿度的监测与控制在气象、农业、汽车、医药等行业具有重
中科院微电子研究所启动国家重大科研仪器研制项目
3月17日，国家重大科研仪器研制项目“二维电子材料及纳米量子器件的研究和原位分析仪器 ”启动会在中国科学院微电子研究所召开。国家自然科学基金委相关领导、项目专家组成员、项目科研及管理人员共60余人参加了会议。会议由基金委信息科学部常务副主任秦玉文主持。 “二维电子材料及纳米
微电子所在高迁移率沟道MOS器件研究方面取得进展
中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心研究员刘洪刚、副研究员王盛凯带领CMOS研究团队在国家科技重大专项02专项、国家“973”课题和国家自然科学基金等项目的支持下，对high-k/III-V、high-k/Ge界面的缺陷行为及控制方法开展了系统研究，经过近5年的持续攻关，取得了重要的
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAAFE
微电子所在铁电垂直环栅纳米器件研究方面取得进展
铁电晶体管（FeFET）具有非易失性数据存储、纳秒级的编程/擦除速度、低功耗操作、超长的数据保存时间以及与CMOS工艺兼容等优点，被认为是未来非易失存储器应用的候选器件。在5nm技术节点以下，由于器件栅长（小于18纳米）和铁电薄膜厚度（大约10纳米）相近，基于FinFET和水平环栅晶体管（GAA
中科院微电子研究所采购6700万元仪器设备
自2010年1月20日起至2010年11月29日，中国科学院微电子研究所共发布十三批仪器设备采购项目招标公告，价值过亿。 2011年1月19日，中国政府采购网再次公布了中国科学院微电子研究所十一批和十三批的部分仪器采购结果，这两批仪器价值6777万元。具体内容如下： 采购人名称：中国
微电子所在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展
日前，中科院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术研究室（三室）在阻变存储器微观机制研究中取得系列进展。 阻变随机存储器(RRAM)具有结构简单、高速、低功耗、易于3D集成等优势，是下一代高密度非易失性存储器的有力竞争者之一。然而，阻变机制的不清晰阻碍了RRAM的快速发展。从最基
微电子所在28nm－RRAM存内计算电路研究中获进展
物联网与人工智能技术的发展对边缘节点计算平台的实时数据处理能力与能效提出了更高要求。基于新型存储器的非易失存内计算技术可实现数据的原位存储与计算，将数据搬运带来的功耗与延迟开销最小化，从而提升边缘设备的数据处理能力与效能比。然而，由于基础单元特性的非理想因素和阵列中的寄生效应以及模数转换电路的硬
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
微电子所与中兴微电子技术有限公司签署战略合作协议
4月28日，中国科学院微电子研究所与深圳市中兴微电子技术有限公司在北京举行战略合作协议签字仪式。微电子所所长叶甜春、深圳市中兴微电子技术有限公司总经理王晓明代表双方签署战略合作协议。 仪式上，叶甜春代表微电子所对王晓明一行的到来表示欢迎。所长助理王文武介绍了研究所的战略定位、组织结构和相关科研
阴和俊调研微电子所
7月6日，中科院副院长阴和俊调研中国科学院微电子研究所。 微电子所所长叶甜春、党委书记李培金、副所长周玉梅、副所长周也方及所属各部门负责人、千人计划学者、百人计划学者和部分科研骨干80余人参加了座谈会。叶甜春所长首先从微电子所概况、未来科研发展重点、产业化发展重点、新方向拓展
北京微电子国际研讨会举行
7月19日，由北京市经信局、北京经济技术开发区联合主办的2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会新闻发布会在北京经开区举行，现场发布2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会将于9月25日至27日在北京经开区举办。 2023北京微电子国际研讨会暨IC WORLD大会将以“凝芯