二维材料硒化铟在卸压过程中超导增强
在高压条件下，一些物质会出现超导现象。然而，随着压力的卸除，这种超导现象往往会消失。著名国际材料学术期刊《先进材料》10日载文称，北京高压科学研究中心国家“千人计划”特聘专家陈斌研究员和吉林大学高春晓教授领衔的国际合作小组首次发现，二维材料硒化铟在卸压过程中有超导增强现象，从而使高压超导材料的应用成为可能。 陈斌12日接受科技日报记者采访时表示，二维层状材料硒化铟的电子结构可以通过外加压力进行调控。调控获得的特性卸压到较低压力时仍可以维持。这有利于将高压诱导的超导现象保存至低压甚至室压条件下。 该研究实验工作主要完成者柯峰博士进一步指出，硒化铟对外界条件非常敏感，可通过改变外界环境实现其不同电子态间的转换，这有利于通过压力调控获得需要的超导电子态。在硒化铟中，压力诱导的二维到三维的结构相变与其他二维材料不同，暗示着其电子结构在压力下的演化行为也与其他的层状过渡金属硫化物不相同，因而出现了完全不同的超导现象。 在二......阅读全文
二维材料硒化铟在卸压过程中超导增强
在高压条件下，一些物质会出现超导现象。然而，随着压力的卸除，这种超导现象往往会消失。著名国际材料学术期刊《先进材料》10日载文称，北京高压科学研究中心国家“千人计划”特聘专家陈斌研究员和吉林大学高春晓教授领衔的国际合作小组首次发现，二维材料硒化铟在卸压过程中有超导增强现象，从而使高压超导材料的应
物理所等实现二维原子晶体硒化铟高性能光电探测器
二维层状原子晶体材料的物理性能（如带隙等）随厚度减小而变化，在光子和光电子器件的应用中具有广阔前景。光电探测器作为重要的光电应用单元器件，引发学界广泛关注，近年来基于二维原子晶体材料的光电晶体管成为最主要的关注对象之一。除半金属的石墨烯之外，半导体二维原子晶体材料（如过渡金属硫属化合物、II-V
铜铟硒电池性能详解
铜铟硒电池 铜铟硒CuInSe2简称CIC.CIS材料的能降为1.leV，适于太阳光的光电转换，另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。 CIS电池薄膜的制备主要有真空蒸镀法和硒化法。真空蒸镀法是采用各自的蒸发源蒸镀铜，铟和硒，
铜铟硒电池的特点
铜铟硒CuInSe2简称CIC.CIS材料的能降为1.leV，适于太阳光的光电转换，另外，CIS薄膜太阳电池不存在光致衰退问题。因此，CIS用作高转换效率薄膜太阳能电池材料也引起了人们的注目。
乌克兰科学家研发纳米级超薄硒化铟
纳米级超薄硒化铟是一种具有独特性能的类石墨烯新半导体材料，其厚度从一层（~0.83 nm）到几十层不等。这种新半导体材料的电学和光学性能研究是在2010年物理学诺贝尔奖得主—英国曼彻斯特大学教授安德烈·海姆的实验室进行的。近日乌克兰和英国科学家在《Nature Nanotechnology》杂
中国科学家首创“蒸笼”方法“长出”高性能晶体管新材料
这是2025年6月18日在北京大学物理学院拍摄的基于二维硒化铟半导体晶圆的集成晶体管阵列。 集成电路是现代信息技术的核心基础。近年来，随着硅基芯片性能逐步逼近物理极限，开发新型高性能、低能耗半导体材料，成为全球科技研发热点。其中，二维层状半导体材料硒化铟因迁移率高、热速度快等优良性能，被视为有望打
二维原子晶体材料单层二硒化钒的1D图案化及其研究
二维原子晶体材料的功能化对实现其在光电、催化、新能源以及生物医学等领域中的应用具有重要意义。在实现二维材料功能化方面，结构图案化调控是其中一个重要手段。之前，人们利用电子/离子束刻蚀、元素掺杂等手段实现了二维材料的图案化。图案化的二维材料则呈现出了许多新的物理性质，例如“纳米网状”石墨烯的半导体
美研发原子厚度新材料－或助研发超薄器件
莱斯大学材料学科学家普利克尔·阿加延(Pulickel Ajayan)实验室的研究生雷思东(Sidong Lei)合成了CIS，一种单层铜、铟和硒原子矩阵。雷还建立了一个模型——一个三像素电荷耦合器件(CCD)——以证明材料捕捉图像的能力。这项研究被发表在美国化学协会的期刊《纳米快报》上。 雷
广东开发出高性能铜铟硒纳米材料及薄膜晶体管
相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials 近日，广东省科学院半导体所新型显示团队开发出高性能环境友好型铜铟硒纳米材料并成功应用于薄膜电子器件。相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials。广东省科学院半导体所庞超博士为该论
广东开发出高性能铜铟硒纳米材料及薄膜晶体管
相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials 近日，广东省科学院半导体所新型显示团队开发出高性能环境友好型铜铟硒纳米材料并成功应用于薄膜电子器件。相关研究以封面文章的形式发表于Chemistry of Materials。广东省科学院半导体所庞超博士为该论文第一作者，
超越硅极限二维晶体管诞生
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/4/497868.shtm“在弹道输运晶体管中，电子像子弹一样穿过沟道没有受到碰撞，能量没有被散射损失掉，所以弹道率越高的器件，能量利用效率更高。”近日，北京大学电子学院研究员邱晨光向《中国科学报》解释。随着硅
锂电池材料硒化物的简介
硒化物是指溶于水的硒化氢能使许多重金属离子沉淀成为微粒。硒与氧化态为+1的金属可生成两种硒化物，即正硒化物（m2se）和酸式硒化物。硒是人体及生物体必需的微量元素之一, 它能调节维生素A 、C 、E 、K 的吸收和消耗, 与维生素E 协同保护细胞膜, 并在体内参与多种酶的催化反应, 而且硒还是谷
我国学者在二维半导体晶圆制造方面取得进展
图 利用“固-液-固”生长策略制备晶圆级InSe高质量晶膜 在国家自然科学基金项目（批准号：52025023、52322205、52250398）等资助下，北京大学刘开辉教授与合作者在二维硒化铟半导体晶圆制造方面取得进展。相关成果以“用于集成电子学的二维硒化铟晶圆（Two-dimensional
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/3/497096.shtm 本报北京3月26日电（记者晋浩天）北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳
迄今速度最快能耗最低二维晶体管问世
北京大学电子学院彭练矛教授-邱晨光研究员课题组日前制备出10纳米超短沟道弹道二维硒化铟晶体管，首次使得二维晶体管实际性能超过Intel商用10纳米节点的硅基鳍型晶体管，并将二维晶体管的工作电压降到0.5V，这也是世界上迄今速度最快能耗最低的二维半导体晶体管。该研究成果以《二维硒化铟弹道晶体管》为
科学家采用新型材料可研制纸张厚度的相机
据国外媒体报道，目前，美国德克萨斯州莱斯大学科学家最新研制一种超薄成像设备，可使未来相机变得像纸张一样薄。他们采用仅原子厚度的铜铟联硒化合物(CIS)研制电荷耦合器，这是相机的一个重要组成部分。 该研究报告发表在近期出版的《纳米快报》上，这种二维三像素相机设备对光线探测具有独特的优势。 许多
磷化铟？“老了点”－石墨烯？“窄了点”
“磷化铟？这是不是写错了？”7日上午，政协委员分组讨论“十三五”规划纲要。中科院上海技术物理研究所研究员何力对半导体材料和器件研究多年，而“十三五”规划纲要中关于高端材料的一段话却让他困惑——“ 大力发展形状记忆合金、自修复材料等智能材料，石墨烯、超材料等纳米功能材料，磷化铟、碳化硅等下一代半导
铜铟镓硒薄膜太阳电池的技术特点
铜铟镓硒薄膜太阳电池的特点铜铟镓硒薄膜太阳电池具有生产成本低、污染小、不衰退、弱光性能好等特点，光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，铜铟镓硒薄膜太阳电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观
深圳先进院等实现超薄硒化铋二维材料的液相制备
近日，中国科学院深圳先进技术研究院研究员喻学锋课题组与武汉大学教授王取泉、香港城市大学教授朱剑豪合作，由课题组成员谢寒寒等成功制备出超薄硒化铋二维层状材料，并应用于光声成像引导的光热治疗。相关论文Metabolizable Ultrathin Bi2Se3 Nanosheets in Imagi
苏州纳米所二维单层金属硒化物的制备取得进展
自从二维(2D)单层碳材料石墨烯发现以来，因其优异的超薄导电导热性，高电子迁移率和量子霍尔效应等，已经引发了广泛的科研兴趣和应用研究。与此同时，其他2D超薄晶体(如金属硫化物﹑金属氧化物和氮化硼 (BN) 等)近年来同样也得到了密切关注。因量子限域效应，这些晶体表现出异于其块体材料的特殊
锂电池材料硒化物的药理作用介绍
硒的药理作用主要是参与GSH-Px 的合成及抗氧化作用。每分子GSH-Px 含有4 个硒原子, 它们为活性中心元素, 是GSH-Px 的辅助因子。GSHPx能催化还原型谷胱甘肽变成氧化型谷胱甘肽, 使有毒的过氧化物还原成无毒的羟基化合物, 并使H2O2 分解, 从而保护细胞膜及细胞器膜的结构和功
锂电池材料硒化物的基本信息介绍
硒是人体及生物体必需的微量元素之一, 它能调节维生素A 、C 、E 、K 的吸收和消耗, 与维生素E 协同保护细胞膜, 并在体内参与多种酶的催化反应, 而且硒还是谷胱甘肽过氧化物酶(glutathione peroxidase,GSH-Px)和碘甲状腺脱碘酶(iodothyronine deio
铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池的前景
3、发展前景*****与其它两种薄膜太阳能电池相比，铜铟镓硒薄膜太阳能电池极具发展前景。目前，薄膜太阳能电池包括非晶硅薄膜电池、碲化镉薄膜电池和铜铟镓硒薄膜。非晶硅薄膜电池如果长时间在强光下照射，光电转换稳定性不高。碲化镉薄膜电池受制于原料稀缺，难以大规模运用。此外，光电转换效率难以提高也制约着非晶
铜铟镓硒太阳能电池板的应用
铜铟镓硒薄膜太阳电池光电转换效率居各种薄膜太阳能电池之首，接近晶体硅太阳电池，而成本则是晶体硅电池的三分之一，被国际上称为“下一时代非常有前途的新型薄膜太阳电池”。此外，该电池具有柔和、均匀的黑色外观，是对外观有较高要求场所的理想选择，如大型建筑物的玻璃幕墙等，在现代化高层建筑等领域有很大市场。