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芯片是计算机最核心的部件，所有数据都会由CPU（中央处理器）进行处理，一旦芯片存在任何漏洞，在特殊情况下就有可能被人利用，导致信息被窃或者系统瘫痪。可以说，CPU是信息产业的基础和核心，上联国家信息安全，下联产业安全。图片来源于网络 如何补上“国产芯”短板，打破“国际芯”垄断，中国集成电路产业一直在探索。实现高端通用CPU自主设计研发和量产，对于我国集成电路产业的发展而言是一个标志性的事件。 12月28日，兆芯发布了自主设计研发的新一代开先KX-5000系列国产x86处理器，以及一系列由合作伙伴基于兆芯国产自主可控高端通用CPU设计开发的国产整机、服务器、商用办公解决方案。该系列处理器是兆芯第一款采用SOC设计的通用CPU，同时也是国内第一款支持双通道DDR4内存的国产通用CPU。 据介绍，兆芯开先KX-5000系列处理器采用了全新的微架构设计，核心架构、核心间架构等方面均大幅改进，并且芯片集成度更高，CPU、内存控制......阅读全文
从平面器件到finFET的转变使得芯片制造商能够将工艺和器件从16nm/14nm向更密集的方向发展，但是行业在每个节点处都面临诸多挑战。成本问题和技术问题都是明显的挑战。此外，cycle time也在逐渐增加，这是芯片尺寸缩小公式中的一个关键但很少宣传的因素，这为芯片制造商和客户
近日，一则内容为“全球首个7纳米（nm）量产芯片在嘉楠耘智诞生”的消息引发了大量关注与热议，文中“领先世界”“弯道超车”等抓人眼球的字眼更是引起半导体行业内人士的质疑。 《中国科学报》记者了解到，发布“全球首款7nm量产芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特币矿机厂商（全称为“杭州嘉楠耘智信息科技有限
近日，一则内容为“全球首个7纳米（nm）量产芯片在嘉楠耘智诞生”的消息引发了大量关注与热议，文中“领先世界”“弯道超车”等抓人眼球的字眼更是引起半导体行业内人士的质疑。 发布“全球首款7nm量产芯片”的“嘉楠耘智”系一家比特币矿机厂商（全称为“杭州嘉楠耘智信息科技有限公司”），该厂商对其发
中国科学院微电子研究所刘明团队在1Mb 28nm嵌入式阻变存储器测试芯片以及8层堆叠的高密度三维阻变存储器阵列研究方面取得新进展。（a）28nm RRAM 1Mb芯片版图；（b）28nm RRAM单元TEM界面图8层堆叠RRAM截面图 以RRAM和MRAM为代表的新型存储器被认为是28nm及后
要点：1、虽然每个小组可以优化局部功耗，但单个团队不可能创建出一个低功耗设计。反之，任何一个小组都可能摧毁这种努力。2、功率估计是一种精确的科学。但是，只有当你拥有了一个完整设计和一组正确的矢量后，这种概念才为真。3、对任何问题而言，处理器通常是能效最低的方法，但因为它们具备了功能多重性，一般可以用
半导体代工厂格芯（GlobalFoundries，GF）8 月 26 日在美国和德国提出多起诉讼，指控台积电（TSMC）使用的半导体技术侵犯了 16 项 GF 的专利，并希望美国贸易主管部门发布进口禁令，以停止台积电“侵权”生产的产品进口，并寻求获得“实质性”损害赔偿。台积电否认侵权，并称将积极
可能的选择 短期内，芯片制造商们明确地会在FinFet和二维的FD-SOI技术上将节点推进到10nm。到了7nm之后，沟道上的的“门”就会上去控制，这就亟待一种全新的晶体管架构。 7nm上的一个领先竞争者就是高电子迁移率的FinFet，也就是在沟道上使用III-V 材料的FinFet
图9显示了基于前面提到的NAND ／D触发器加权度量的每平方毫米晶体管的逻辑密度。图9．逻辑密度趋势。此图表上绘制了六种类型的制程。直到2014年左右，平面晶体管还是主要的前沿逻辑工艺，其密度每年提高1．33倍，FinFET接管了前沿技术，密度每年提高1．29倍。与FinFET并行，我们已经看到了F
14nm 继续FinFET。下面是英特尔的14nm晶体管的SEM横截面图，大家感受一下，fin的宽度平均只有9nm。当然，在所有后代的技术节点中，前代的技术也是继续整合采用的。所以现在，在业界和研究界，一般听到的晶体管，都被称作high-k/metal gate Ge-strained 14
嵌入式闪存支持EEPROM功能传统的EEPROM架构支持字节写操作，因而常常被需要频繁更新数据的应用程序所用。通常，嵌入式闪存是按一定规则排列的一组存储单元，又称为扇区。扇区需要在写入新数据前完全擦除。幸运的是，我们可以使用SRAM缓冲器在整个嵌入式闪存区的一小部分上模拟EEPROM功能，既
2015年5月5日，极大规模集成电路制造装备及成套工艺国家科技重大专项（简称集成电路装备专项）实施管理办公室在南通组织召开会议，听取南通富士通微电子股份有限公司（简称通富微电）关于12英寸28nm先进封装测试全制程生产线成功量产成果汇报。科技部重大专项办公室、国家集成电路产业发展投资基金，江苏
纳米技术在1959年首次由Richard P. Feynman提出。现在，纳米技术广泛应用于日常生活中，例如三星和苹果的最新款手机，其芯片大小为28nm。20世纪60年代，发现了一种半导体纳米线生长的方法，半导体纳米线通常1-10μm长，直径在100nm之下。近年来科学家开始注意到纳米阵列在
2017年1月9日，2016年度国家科技奖励大会在京召开，北京共有70个项目获国家科学技术奖，其中包括特等奖1项，一等奖7项，二等奖62项，占全国通用项目获奖总数的31.7%，连续五年超过三成，体现了北京全国科技创新中心建设的稳步推进。 70个获国家科技奖项目包括：国家自然科学奖13项、国
潜心相变存储器研究15年，中科院上海微系统所研究院宋志棠团队在130纳米技术节点相变存储器技术研发取得重大突破。近4年来，通过和珠海艾派克微电子有限公司产学研用协同合作开发的打印机用相变存储器芯片，实现了产业化销售。截至今年6月，该芯片已销售1600万颗。这是记者从6月28日上海微系统所举行的成
软件定义无线电（SDR）不是新技术，已为很多的无线设备（除了制造低成本基于ASIC的低功耗设备，如智能手机和平板电脑）广泛所采用。自SDR首次提出以来已有30多年了，下面简单介绍下在SDR三十年演进历史中的主要事件。▌1984年E-System创造出“软件无线电”术语E-Systems，就是现在的雷
处于非均匀电场中的微粒由于极化效应而产生运动,这种现象称之为介电电泳(Dielectrophoresis,DEP)。Maxwell和Wagner分别在1891和1914年研究悬浮液的介电特性时发现,由于介电微粒与悬浮介质的介电性能不同,在外加电场作用下介电微粒会发生界面极化,形成很大的感应偶极矩。1
最近嘉楠耘智火了，原因是该公司研发成功量产了全球第一款7纳米芯片。甚至有媒体称，一个中兴倒下去，千千万万个中国芯片公司站起来，这是杭州人的骄傲，是全国13多亿人的骄傲。 但是很多人质疑该7纳米芯片不是用在手机上的，且结构单一无法和苹果、高盛等芯片相比，根据专家了解，这款芯片的诞生还是有一定的意
通常情况下，芯片制造商会首先咋移动处理器上小试牛刀，以分摊新工艺的高昂成本吗，比如基于 7nm EUV 的麒麟 990 5G SoC（面积接近 110 平方毫米）。尽管 AMD Zen 2 芯片看起来很大，但并非所有组件都采用 EUV 工艺生产。不过展望未来，它也更适合迁
来自Ferdinand Braun研究所（德国，柏林）的研究人员已经成功地在瑞士的一个苹果园展示了一种便携式移频激发差分拉曼光谱(SERDS)系统。这种类型的系统通常被限制在实验台上，部分原因是因为移动带有高精度激光光源和光谱仪的敏感设备到恶劣的环境中是很困难的。然而，最主要的问题是背景阳光以及
电的发现是人类历史的革命，由它产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气，如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索。 然而在电力电子里面，最重要的一个元件就是IGBT。没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。 一说起IGBT，半导体制造的人都以为不就是一个分立器
什么是芯片反向设计？反向设计其实就是芯片反向设计，它是通过对芯片内部电路的提取与分析、整理，实现对芯片技术原理、设计思路、工艺制造、结构机制等方面的深入洞悉，可用来验证设计框架或者分析信息流在技术上的问题，也可以助力新的芯片设计或者产品设计方案。芯片反向工程的意义：现代IC产业的市场竞争十分
1.电荷偶合器件,Charge coupled device2.固体检测器。目前已被采用的固体检测器主要有：1） CCD(Charge-CoupledDetector)，电荷耦合检测器。 二维检测器，每个CCD检测器包含2500个像素，将22个CCD检测器环形排列于罗兰园上，可同时分析120-800
一、测试了一些样品，得到的是Ramanshift，但是文献是wavenumber，不知道它们之间的转换公式是怎么样的？激光波长632.8nm。 1. 两者是一回事。ramanshift即为拉曼位移或拉曼频移，频率的增加或减小常用波数差表示，拉曼光谱仪得到的谱图横坐标就是波数
三十七.有几种激光光源? 1.氩离子、半导体、氦氖; 2.可见光激光器应用最多的是氩离子激光器，可产生：10种波长的激光，其中最强的是488纳米(蓝光)和514纳米(绿光)激光器，现在最为常用，性能十分稳定的是514纳米激光器;另外，532纳米固体二极管泵浦激光器、63
拉曼光谱（Raman Spectra），是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.拉曼（Raman）所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息，并应用于分子结构研究的一种分析方法。今天分享一些问答集锦，希望对你有帮助。一、测试了一些样品，得到的
三十五.我现在正在做拉曼光谱试验，用金金属做底物，分析：CNBP(4-Cyanobiphenyl)和Cyclodextrin如何镶嵌在一起，用检测CNBP在金金属底物上的角度和方向，平行还是垂直，来确定是否进入到Cyclodextrin里面，制备金属底物需要购买金属板，用硫酸洗，在用氮气吹平，进行粗
AI 、5G渴望新内存材料的支持对于所有类型的系统设计者来说，新兴存储技术都变得极为关键。AI和物联网IoT芯片开始将它们用作嵌入式存储器。大型系统已经在改变其架构，以采用新兴的存储器来替代当今的标准存储器技术。这种过渡将挑战行业，但将带来巨大的竞争优势。今天，业界仍在寻找通用存储器，随着S
一、背景介绍多组分反应（multi-component reaction 或 MCRs）是指三种或更多种化合物发生 反应形成单一产物的一种化学反应，是有机化学中zui有用的反应之一。因为复杂 的分子可以通过一锅法中的简单分子的组合快速合成，步骤比相应的逐步合成中
对于切割，芯片制造商使用SADP/SAQP，或双重曝光工艺。双重曝光有时被称为曝光-刻蚀-曝光-刻蚀（LELE）。三重曝光包括LELELE。对于多重曝光中，7nm工艺所进行沉积、蚀刻和清洁步骤是16nm/14nm的两倍。 Coventor首席技术官David Fried表示：“随着我
光电直读是利用光电法直接获得光谱线的强度。可分为两种类型：①.单道扫描式：单道扫描式是通过单出射狭缝在光谱仪焦面上的移动（或转动光栅），在不同时间接收不同元素的分析线（间歇式测量）；②.多道固定狭缝式：多道固定狭缝式则是安装多个狭缝和光电倍增管（多达70个；一个出射狭缝和一个光电倍增管，可接受一条谱