氮化镓衬底晶片实现“中国造”
苏州纳维生产的4 英寸GaN 单晶衬底 一枚看似不起眼、“又轻又薄”的晶片，却能做出高功率密度、高效率、宽频谱、长寿命的器件，是理论上电光、光电转换效率最高的材料体系。这个“小身体大能量”的晶片叫作氮化镓（GaN）衬底晶片，是苏州纳维科技有限公司（以下简称苏州纳维）的主打产品。 “不会游泳的时候就跳下了水” 苏州纳维依托中科院苏州纳米所而建。作为中国首家氮化镓衬底晶片供应商， 团队从氮化镓单晶材料气相生长的设备开始研发，逐步研发成功1英寸、2英寸、4英寸、6英寸氮化镓单晶材料，实现了氮化镓单晶材料生长的n型掺杂、补偿掺杂，研制出高电导率的和半绝缘的氮化镓单晶。 中科院苏州纳米所所长特别助理、苏州纳米所测试分析平台中心主任、苏州纳维董事长徐科对《中国科学报》记者说：“通过10年努力，我们在氮化镓晶体结晶质量与块体材料电子迁移率等综合指标方面均步入国际第一方阵，2英寸氮化镓产品开始批量生产销售，2017年在国际上率先推出......阅读全文
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（四）
想要电动机启动，可不是合上闸这么简单。想要实现远程控制和多点控制，需要做的还有很多。本文列举几个最基本的电动机控制回路，除了在生产中的机械控制需要用到外，在设计PLC电路时，这些也是必备单元。 本文将由易到难逐一讲解。 电动机控制回路常用元件 按钮▼ 按钮分为启动按钮、停止按
氮化镓/碳化硅技术真的能主导我们的生活方式？（一）
全球有40%的能量作为电能被消耗了, 而电能转换最大耗散是半导体功率器件。我国作为世界能源消费大国, 如何在功率电子方面减小能源消耗成了一个关键的技术难题。伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅和氮化镓为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。 早在1893年诺贝尔奖获得者法国化
南科大在新型多沟道氮化镓电力电子器件领域取得进展
近日，南方科技大学电子与电气工程系助理教授马俊与瑞士洛桑联邦理工大学教授Elison Matioli、苏州晶湛半导体有限公司董事长程凯等团队合作，在Nature Electronics发表了题目为“Multi-channel nanowire devices for efficient power
光电化学蚀刻可用于制造氮化镓中高纵横比深沟槽
日本SCIOCS有限公司和法政大学曾报导了在氮化镓（GaN）中利用光电化学（PEC）蚀刻深层高纵横比沟槽的进展［Fumimasa Horikiri et al， Appl． Phys． Express， vol11， p091001， 2018］。 该团队希望该技术能够在高场中能够
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（三）
设计注意事项 采用GaN设计电源时，为降低系统EMI，需考虑几个关键因素：首先，对于Cascode结构的GaN，阈值非常稳定地设定在2 V，即5 V导通，0 V关断，且提供±18 V门极电压，因而无需特别的驱动器。其次，布板很重要，尽量以短距离、小回路为原则，以最大限度地减少元
国家标准氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法
１国家标准《氮化镓材料中镁含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项的目的和意义GaN材料的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SiC、金刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs、InP
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（一）
第三代 半导体材料——氮化镓( GaN)，作为时下新兴的半导体工艺技术，提供超越硅的多种优势。与硅器件相比，GaN在 电源转换效率和功率密度上实现了性能的飞跃，广泛应用于 功率因数校正(PFC)、软开关 DC-DC等电源系统设计，以及电源适配器、光伏 逆变器或 太阳能逆变器、服务
氮化镓基LED用蓝宝石图形衬底－关键技术研究通过验收
3月14日，由中国科学院半导体研究所承担的北京市科委“氮化镓基LED用蓝宝石图形衬底关键技术研究”项目顺利通过北京市科委组织专家组验收。专家们一致认为：项目的实施有利于提高半导体照明行业自主创新能力和产业竞争力，对推动北京市乃至全国半导体照明行业上游关键材料的发展具有重要的意义。 在北京市
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（四）
经过 频谱分析仪和LISN测试，该设计的EMI符合EN55022B标准，并通过2.2 kV共模模式和1.1 kV 差分模式的浪涌测试。输入电压为115 Vac和230 Vac时，系统峰值效率分别超过95%和94%。该参考设计较现有采用硅的216 W电源参考设计减小25%的尺寸，提升2%的
第三代半导体材料氮化镓(GaN)技术与优势详解（二）
Cascode相当于由GaN HEMT和低压MOSFET组成：GaN HEMT可承受高电压，过电压能力达到750 V，并提供低导通电阻，而低压MOSFET提供低门极驱动和低反向恢复。HEMT是高电子迁移率晶体管的英文缩写，通过二维电子气在横向传导电流下进行传导。图1：GaN内部架构及
我国攻克1200V以上增强型氮化镓电力电子芯片量产技术
7月8日至10日，首届全国“红旗杯”班组长大赛国防科技工业赛道复赛在江苏南京举行。复赛以“培育卓越班组长，共筑制造强国梦”为主题，共产生个人一等奖1名、二等奖3名、三等奖6名、优胜奖30名，这40名获奖选手将参加在吉林长春举办的全国总决赛。国防科技工业赛道复赛开幕式现场。
利用－ALLOS－的－200－mm－和－300－mm－硅基氮化镓外延片，将－microL...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅产业领域 近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片
苏州纳米所携手上海三鑫开展氮化镓基蓝光激光器研究
签约仪式 1月15日，在上海市科委的支持和双方前期深入的沟通下，中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所与上海三鑫科技发展有限公司就共同开展“氮化镓基蓝光激光器工程化技术”项目正式签约。所长杨辉代表苏州纳米所与三鑫公司副总经理戴立勇签订了合作协议。 激光显示被认为是继黑白、彩色、数字显
美科学家研制氮化镓制氢，让光电催化水解制氢更快捷
2011年，美国科学家研制出了一种新的氮化镓—锑合金，其能更方便地利用太阳光将水分解为氢气和氧气，这种新的水解制氢方法不仅成本低廉且不会排放出二氧化碳。 科学家们在美国能源部的资助下，借用最先进的理论计算证明，在氮化镓(GaN)化合物中，2%的氮化镓由锑(Sb)替代，这样结合而成的新合金将拥有
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
微电子所等研制出国际先进的氮化镓增强型MISHEMT器件
近日，中国科学院微电子研究所氮化镓（GaN）功率电子器件研究团队与香港科技大学教授陈敬团队，西安电子科技大学教授、中科院院士郝跃团队合作，在GaN增强型MIS-HEMT器件研制方面取得新进展，成功研制出具有国际先进水平的高频增强型GaN MIS-HEMT器件。 第三代半导体材料氮化镓具有高禁带
美国科学家利用新技术大幅提高LED发光率及稳定性
据物理学家组织网3月20日报道，美国北卡罗来纳州立大学的科学家日前开发出一种新技术，能够在不增加用电量的情况下大幅提升发光二极管(LED)的亮度。与此同时，借助一种特殊的涂层材料，这种新型LED与普通LED产品相比更为稳定，适应性更强。相关论文在线发表在国际著名化学期刊《朗缪尔(Langmuir
下一代半导体的宽与窄
随着以氮化镓、碳化硅为代表的第三代半导体步入产业化阶段，对新一代半导体材料的探讨已经进入大众视野。走向产业化的锑化物，以及国内外高度关注的氧化镓、金刚石、氮化铝镓等，都被视为新一代半导体材料的重要方向。从带隙宽度来看，锑化物属于窄带半导体，而氧化镓、金刚石、氮化铝属于超宽禁带半导体。 超宽禁带
射频前端
今天，我们将带大家认识一下 5G 的射频技术。 5G 愿景的真正实现，还需要更多创新。网络基站和用户设备（例如：手机）变得越来越纤薄和小巧，能耗也变得越来越低。为了适合小尺寸设备，许多射频应用所使用的印刷电路板（PCB）也在不断减小尺寸。因此，射频应用供应商必须开发新的封装技
镓储备不足－美国国防部决定从“废品”中回收镓
财联社7月27日讯 美国国防部计划在年底前首次与美国或加拿大公司签订有关回收镓的合同，镓是一种用于半导体和军用雷达的矿物。 7月3日，中国商务部、海关总署宣布，为维护国家安全和利益，决定自2023年8月1日起对镓和锗两种关键金属实行出口管制。 本月早些时候，在被问及这两种关键金属的储备情况时
探索射频前端技术
引言：2017 年，Qorvo 出版了第 1 版《5G 射频技术 For Dummies》。该书以通俗易懂的语言，帮助业界许多人士掌握了一些围绕 5G 技术的复杂概念。在之前，我们也做了《科普丨重新认识 5G》、《科普丨了解 5G 核心实现技术》、《科普丨发现 5G 的不同之处》、《科普丨介绍
日本研制出电能损耗减半的下一代半导体
据《日本经济新闻》2015年5月18日报道，日本松下电器研发出利用氮化镓制作的半导体，电能损耗较现有同类制品降低50%。计划于2016年实现量产。 目前，氮化镓做为半导体材料多被用于蓝光二级管（LED）。控制电压的半导体多用碳化硅制作。由于其优异的节电性能，氮化镓被称为替代碳化硅的“终极半
电子器件的光伏逆变器研制及示范应用项目通过验收
近日，科技部高新司在厦门组织召开了“十二五”国家863计划“基于国产宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用”项目验收会。 项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷SiC外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及MOSFET
锑化镓的应用
锑化镓（GalliumAntimonite,GaSb）是III-V族化合物半导体，属于闪锌矿、直接带隙材料，其禁带宽度为0.725eV（300K），晶格常数为0.60959nm。GaSbChemicalbook具有优异的物理化学性能，常被用做衬底材料，应用于8~14mm及大于14mm的红外探测器和激
镓是什么意思
镓的意思是金属元素，符号Ga（gallium）。镓（Gallium）是灰蓝色或银白色的金属，符号为Ga，原子量69.723。镓熔点很低，但沸点很高，在空气中易氧化，形成氧化膜，纯液态镓有显著的过冷的趋势，可由铝土矿或闪锌矿中提取，最后经电解制得纯净镓，适合使用塑料瓶（不能盛满）储存。布瓦博得朗没有意
GaN：实现－5G－的关键技术
日前，由 EETOP 联合 KEYSIGHT 共同举办的“2020 中国半导体芯动力高峰论坛”隆重举行。Qorvo 无线基础设施部门高级应用工程师周鹏飞也受邀参与了这次盛会，并发表了题为《实现 5G 的关键技术—— GaN》的演讲。 首先，周鹏飞给我们介绍了无线基础设施的发展。他表示
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料，这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示，到
EDTA络合滴定法测定金镓合金中的镓
一、方法要点试样用盐酸和硝酸溶解，加盐酸蒸发驱除硝酸，用亚硫酸还原金。加一定过量的EDTA溶液络合镓，在pH5．8的六亚甲基四胺缓冲溶液中，以二甲酸橙作指示剂，用锌标准溶液返滴定以测定镓量。本法适用于分析金镓合金中3％～5％的镓。二、试剂(1)氯化钠、六亚甲基四胺。(2)二甲酚橙：0.2％溶液。(3
苏州纳米所徐科研究员获“求是杰出青年成果转化奖”
日前，第十三届中国科协“求是杰出青年成果转化奖”揭晓。 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所徐科研究员等5人因其既注科学研究、又积极推动科研成果转化为现实生产力、取得了明显的经济效益和社会效益、在广大青年科技工作者中起到了良好的榜样作用获得了第十三届中国科协“求是杰出青年成果转化奖”。