苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的应用前景，在新型核电池领域也具有巨大的应用潜力。因为GaN辐生伏特效应核电池相比于常规的窄带半导体核电池而言，具有更高的输出功率和转换效率优势。 中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台副研究员陆敏及其团队使用蓝宝石衬底的GaN晶片从事核应用的研究，取得了一系列的成果。 在核探测器研究方面，成功制备出GaN基PIN结构X射线探测器，在X射线辐照下的光电流与暗电流之比高达27.7，并对实验过程中观测到的两步电流增长机制给出了模型解释。该研究工作已被固体物理类杂志Physica Status Solidi（a）接受发表。......阅读全文
半导体探测器简介
半导体探测器（semiconductor detector）是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似。半导体探测器发现较晚，1949年麦凯（K.G.McKay）首次用α 射线照射PN结二极管观察到输出信号。5O年代初由于晶体管问世后，
半导体探测器简介
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。最通用的半导体材料是锗和硅，其基本原理与气体电离室相类似，故又称固体电离室。半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号。常用半导体探测器有 P-N结型半导体探测器、 锂漂
半导体探测器的发展历史
半导体探测器的前身可以认为是晶体计数器 。早在1926年就有人发现某些固体电介质在核辐射下产生电导现象。后来，相继出现了氯化银、金刚石等晶体计数器。但是，由于无法克服晶体的极化效应问题，迄今为止只有金刚石探测器可以达到实用水平。半导体探测器发现较晚，1949年开始有人用α 粒子照射锗半导体点接触
哪些半导体光电探测器有增益
雪崩光电二极管。它应用光生载流子在二极管耗尽层内的碰撞电离效应而获得光电 流的雪崩倍增。这种器件具有小型、灵敏、快速等优点,适用于以微弱光信号的探测和接收,在光纤通信、激光测距和其他光 电转换数据处理等系统中应用较广。
半导体探测器的应用领域
随着科学技术不断发展需要，科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si(Li)、高纯锗HPGe、金属面垒型等探测器的基础上研制出许多新型的半导体探测器，如硅微条、Pixel、CCD、硅漂移室等，并广泛应用在高能物理、天体物理、工业、安全检测、核医学、X光成像、军事等各个领域。世界各大高能物理实验室几乎都采用
半导体X射线探测器相关介绍
半导体探测器是以半导体材料为探测介质的辐射探测器。锗和硅是我们最通用的半导体探测材料，其基本原理与气体电离室相类似。晶体计数器可以认为是半导体探测器的前身，20世纪初期人们发现在核辐射下可以通过某些固体电介质产生电导现象，在这之后金刚石、氯化银等晶体计数器又相继被人们发明。可是我们至今无法解决晶
半导体探测器的基础知识
半导体原子规则排列成点阵状态。其最小单元叫作晶包，对锗来讲是小四面体，即金刚石结构。电子在晶体中为晶包所公有，形成能带结构，如图4-1-1所示。下面的能带称为价带，又称满带，平时被电子填满。中间是禁带（又称能隙）。上面是导带，平时没有电子（又称空带）。在价带以下还有更低能量的价带；在导带以上还有更高
半导体探测器的实际操作运用
丁肈中领导的AMS实验，目标是在宇宙线中寻找反物质和暗物质。它的探测器核心部分的径迹室采用了多层硅微条探测器。由美国、法国、意大利、日本、瑞典等参加的GLAST实验组的大面积γ射线太空望远镜的核心部分也使用了多层硅微条探测器，总面积大于80平方米，主要用来作为γ→ e-+e+ 的对转换过程的径迹
PN结半导体探测器的类型
扩散结(Diffused Junction)型探测器 采用扩散工艺——高温扩散或离子注入 ；材料一般选用P型高阻硅，电阻率为1000；在电极引出时一定要保证为欧姆接触，以防止形成另外的结。 金硅面垒(Surface Barrier)探测器 一般用N型高阻硅，表面蒸金50～100μg/c
半导体探测器的趋势和应用领域
趋势 上述各种γ射线探测器均须在低温下工作。人们日益注意探索可在常温下探测γ射线的半导体材料。一些原子序数较大的化合物半导体，如碲化镉、砷化镓、碘化汞、硒化镉等，均已用于制备X、γ射线探测器,并已取得不同程度的进展。 应用领域 随着科学技术不断发展需要，科学家们在锗锂Ge(Li)、硅锂Si
苏州纳米所利用氮化镓器件从事核应用研究取得系列成果
氮化镓（GaN）是一种III / V直接带隙半导体，作为第三代半导体材料的代表，随着其生长工艺的不断发展完善，现已广泛应用于光电器件领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。GaN基材料的良好抗辐射性能和环境稳定性，使得其在核探测领域具有很好的
PN结半导体探测器的工作原理
多数载流子扩散，空间电荷形成内电场并形成结区。结区内存在着势垒，结区又称为势垒区。势垒区内为耗尽层，无载流子存在，实现高电阻率，远高于本征电阻率 [4] 。 在P-N结上加反向电压，由于结区电阻率很高，电位差几乎都降在结区。 反向电压形成的电场与内电场方向一致。 在外加反向电压时的反向电流
半导体探测器的基本原理和特点
基本原理 半导体探测器的基本原理是带电粒子在半导体探测器的灵敏体积内产生电子－空穴对，电子－空穴对在外电场的作用下漂移而输出信号 [2] 。 我们把气体探测器中的电子－离子对、闪烁探测器中被 PMT第一打拿极收集的电子 及半导体探测器中的电子－空穴对统称为探测器的信息载流子。产生每个信息载流
高纯锗(HPGe)半导体探测器的相关介绍
简介 随着锗半导体材料提纯技术的进展，已可直接用超纯锗材料制备辐射探测器。它具有工艺简单、制造周期短和可在室温下保存等优点。用超纯锗材料还便于制成X、γ射线探测器,既可做成很大灵敏体积，又有很薄的死层,可同时用来探测X和γ射线。高纯锗探测器发展很快，有逐渐取代锗。 工作原理 采用高纯度的
CdZnTe半导体探测器X射线能谱响应特性分析
CdZnTe是一种性能优异的高能射线探测材料,在空间科学、核安全以及核医学等众多领域有广泛的应用前景.本文选取了3枚不同等级的CdZnTe探测器,在详细阐述了CdZnTe探测器工作原理的基础上,对比分析了他们的能谱响应曲线和载流子输运特性的关系.重点分析了CdZnTe探测器能量分辨率、电荷收集效率和
无线高压核相仪更换电池步骤
更换电池无线高压核相仪的发射器和接收器各用1节9V碱性电池，更换步骤如下：1）拆下电极；2）拧开单元顶上螺帽；3）推动单元顶上的金属螺丝帽以推动电子模块；4）当电子模块在塑料壳内发生移动，即可去掉塑料壳，取下金属罩，取得外壳内部位于电子电路一侧的电池，更换新电池；5）按上述相反程序重新恢复，要保证金
无线高压数字核相仪更换电池
高压相位检测仪的发射器和接收器各用1 节9v 碱性电池更换步骤如下: 1 、拆下电极； 2、 拧开单元顶上的螺帽； 3、 推动单元顶上的金属螺丝帽以推动电子模块； 4、当电子模块在塑料壳内发生移动，即可去掉塑料壳取下金属罩取得外壳内部位于电子电路一侧的电池更换新电池； 5 、按上述相反
苏州纳米所GaN基核探测器研究取得新进展
GaN基材料作为第三代半导体的杰出代表，已经被广泛应用于光电子领域，如激光器（LD）、发光二极管（LED）、高电子迁移率晶体管（HEMT）等。另外，GaN基材料具有很好的抗辐射性和很高的化学稳定性，近年来人们逐渐开始关注其在核探测领域的基础和应用研究。常规GaN基材料因其背景载
半导体所在柔性一维光电探测器研究方面取得系列进展
随着科学技术日新月异的发展，人们对便携化、娱乐化、健康化的可穿戴式电子设备不断追求，促使其相应的柔性传感器件向着高效、低成本、大面积制造等方向发展。近些年，为了实现光电探测器的便携化和可移植化，柔性光电探测器的设计与制备受到了研究人员的广泛关注。柔性光探技术的快速发展对敏感材料的敏感性与柔韧性要
“新型CZT半导体X射线和γ射线探测器研制”专项通过验收
科技部评估中心于2017年4月14日在北京组织了由我校主持完成的首批国家重大科学仪器设备开发专项“新型CZT半导体X射线和γ射线探测器研制”项目综合验收评审会。以中国工程院潘自强院士为验收专家组组长的13名评审专家对项目进行了严格审查，最终以97.4分顺利通过了项目综合验收。 该项目于2011
酒精传感器应用于酒精检测仪
酒精传感器应用于酒精检测仪：酒精探测器的核心部件是酒精探测器，当被测试人员通过测试出风口向酒精探测器吹气时，酒精探测器通过酒精探测器对呼出的气体产生一定的反应，因此酒精探测器的质量影响酒精探测器的测试精度。酒精传感器的种类和区别:目前普遍使用的只有燃料电池型(电化学型)和半导体型。这两种可制造便携式
“华龙一号”全球首堆堆外核测探测器成功研制
近日，“华龙一号”全球首堆示范工程福清核电5号机组堆外核测探测器通过验收，标志着我国实现了三代核电堆外核测探测器的技术突破，打破了百万千瓦级核电机组堆外核测产品的国外技术垄断。 据了解，堆外核测探测器安装在反应堆压力容器外，用来监测反应堆中子注量率，能够提供反应堆从启动到满功率运行期间的功率水
半导体所锑化物二类超晶格红外探测器研究取得重要突破
锑化物InAs/GaSb二类超晶格材料具有二型能带结构，电子有效质量大，俄歇复合率低，波长调节范围大（约3-30微米），在高性能制冷型红外探测器领域具有重要应用。与碲镉汞红外探测器相比，二类超晶格红外探测器材料均匀性好，成本低，在中波及长波波段与碲镉汞探测器性能相当，在甚长波波段
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
半导体材料的早期应用
半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制成功晶体整流器、硒整流
荧光分析在半导体材料领域有什么应用
半导体材料的早期应用：半导体的第一个应用就是利用它的整流效应作为检波器，就是点接触二极管（也俗称猫胡子检波器，即将一个金属探针接触在一块半导体上以检测电磁波）。除了检波器之外，在早期，半导体还用来做整流器、光伏电池、红外探测器等，半导体的四个效应都用到了。从1907年到1927年，美国的物理学家研制
高压无线核相仪更换电池相关内容
更换电池： 高压相位检测仪的发射器和接收器各用1 节9V 碱性电池，更换步骤如下: 1、拆下电极； 2、拧开单元顶上的螺帽； 3、推动单元顶上的金属螺丝帽以推动电子模块； 4、当电子模块在塑料壳内发生移动，即可去掉塑料壳，取下金属罩取得外壳内部位于电子电路一侧的电池，拉动带子取出电池。
无线高低压核相仪的技术指标
功 能高低压无线语音核相、相位测试、相序判断、验电、频率测试等电 源探测器：7V～9VDC(内置大容量可充锂电池，7.4V/1000mAh，充满电连续工作40小时)接收器：7V～9VDC(LR6、1.2V、6节大容量镍氢充电电池，总9000mAh，充满电连续工作40小时) 核相方式接触式
CCD探测器与CID探测器
CCD（Charge-coupled Device）的概念CCD，英文全称：Charge-coupled Device，中文全称：电荷耦合元件。可以称为CCD图像传感器。CCD是一种半导体器件，能够把光学影像转化为数字信号。 CCD上植入的微小光敏物质称作像素（Pixel）。一块CCD上包含
碲化镉的结构和用途
碲化镉是由碲和镉构成的一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料。分子式为CdTe，其晶体结构为闪锌矿型，具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，熔点1092℃，密度5.766g/cm3，禁带宽度1.5eV(25℃)，能带构造为直接型，电子迁移率(25℃)1050cm2/(V·s)，空穴迁移率(2