利用ALLOS的200mm和300mm硅基氮化镓外延片，将microL...
利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅产业领域 近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片的出色一致性和可重复性。此外，公司还报告了其 300 mm 外延片的成功发展蓝图。产量对于 microLED 显示器的成功起着至关重要的作用。它会直接影响生产的复杂性和成本。为了降低所需的成本，必须采用大晶片直径。这对于 microLED 应用而言尤其如此，它将来自 CMOS 生产线的晶片与 LED 外延片集成（如通过粘合）。对比蓝宝石基氮化镓 （GaN－on－sapphire） 实现的更小直径，匹配的晶片直径甚至还起到了促进作用。ALLOS 团队已采用其独有的应变工程技术来进一步提高波长一致性，并于 2019 年 2......阅读全文
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利用 ALLOS 的 200 mm 和 300 mm 硅基氮化镓外延片，将 microLED 应用于硅产业领域 近日，为了解决晶片尺寸不匹配的问题并应对 microLED 生产产量方面的挑战，ALLOS 应用其独特的应变工程技术，展示了 200 mm 硅基氮化镓 （GaN－on－Si） 外延片
测振仪上的mm/S2,mm/S，和mm分别代表什么意思
三种振动参数（单位）：振动加速度值（mm/S2）。若关注的是惯性力造成的影响时，则应选择加速度，因为加速度与惯性成正比。振动速度值（mm/S）。若关注的是零件的疲劳破坏，则应选择振动速度的均方根值，因为疲劳寿命主要取决于零件的变形能量与载荷的循环速度，振动速度的均方根值正好是它们的反映。振动位移值（
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三种振动参数（单位）：1.振动加速度值（mm/S2）若关注的是惯性力造成的影响时，则应选择加速度，因为加速度与惯性成正比。2.振动速度值（mm/S）若关注的是零件的疲劳破坏，则应选择振动速度的均方根值，因为疲劳寿命主要取决于零件的变形能量与载荷的循环速度，振动速度的均方根值正好是它们的反映。3.振动
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FS1270DS量程12.7mm分辨率0.001mm基面70mm！
产品简介： 信伟慧诚FS-12-70DS手持式数显凹坑深度测量仪使用起来方便，可以直接显示读数，主要用于管道出现磨损、腐蚀、造成管壁局部减薄以及受热面管腐蚀坑深度测量，也可用于模具注塑、机械加工、器皿制造的小孔深度测量。 技术参数： 测量范围：0-12.7mm 分 辨 率
液相色谱柱直径4.6mm和6.2mm有什么区别
相同长度的情况下，小内径柱效能相对较高，流动相和时间节省些，但是载样量较小。其实，最关键的还是看填料的直径和颗粒均匀度及填充的紧密程度，这些是柱子影响的关键因素！
300mm晶圆匀胶显影设备研发成功
4月14日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项“300mm晶圆匀胶显影设备研发”任务圆满完成，突破了193nm光刻工艺超薄胶膜均匀涂敷等多项关键核心技术，成功研制出具有自主知识产权的300mm晶圆匀胶显影设备考核测试机和上线示范应用机，并在项目实施期间销售5台匀胶显影设备。
四氟卷板厚度有哪些1mm10mm
四氟卷板厚度有哪些1mm-10mm 四氟板在塑料领域有“塑料王”的美称，它的性能是普通塑料所无法达到的，所以在一般情况下它所使用的场合都是环境较为恶劣的场所，比如酸碱场合、有腐蚀性介质场所和高温场合。聚四氟乙烯板的耐热性和化学稳定性都超过了一般塑料，甚至在王水中也不变化，所以许多人都叫聚四
量程12mm的数字凹坑深度仪分辨率有0.01mm与0.001mm两种！
产品简介： 便携式数字凹坑深度仪使用起来方便，可以直接显示读数，主要用于管道出现磨损、腐蚀、造成管壁局部减薄以及受热面管腐蚀坑深度测量，也可用于模具注塑、机械加工、器皿制造的小孔深度测量。 技术参数： 显示方式：数显 测量范围：0-12.7mm 分 辨 率：0.00
mm/s什么意思
mm/s指振速，mm指振幅，因为不能输入公式编辑器，简单地说二者换算关系为：Sf≈0.225vf/f，式中Sf 为振动的位移幅值，vf 为主频率为f的振动速度的均方根值。一般f值均为10Hz，所以Sf≈0.0225vf 。举例说如果vf =1.00mm/s，那么换算成振幅则为Sf≈0.0225mm
第三代半导体外延材料的产业化应用之路
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2024/2/517721.shtm手机电脑快充器件、新能源车载电源、5G基站、MicroLED、深紫外LED……这些设备都离不开氮化镓外延材料，这也让该材料成为资本市场关注的“宠儿”。根据相关市场调研机构的预测显示，到
傅里叶红外光谱仪在第三代Sic半导体应用
据消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视，不少半导体厂商已率
氮化镓的的结构和应用特点
氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性
上海微系统所在300－mm－SOI晶圆制造技术方面实现突破
近日，上海微系统所魏星研究员团队在300 mm SOI晶圆制造技术方面取得突破性进展，制备出了国内第一片300 mm 射频（RF）SOI晶圆。团队基于集成电路材料全国重点实验室300 mm SOI研发平台，依次解决了300 mm RF-SOI晶圆所需的低氧高阻晶体制备、低应力高电阻率多晶硅薄膜沉
量程30mm分辨率0.01mm数字凹坑深度仪简介
简介：数字凹坑深度仪使用起来方便，可以直接显示读数，主要用于管道出现磨损、腐蚀，造成管壁局部减薄以及受热面管腐蚀坑深度测量，也可用于模具注塑、机械加工、器皿制造的小孔深度测量。凹坑深度仪使用起来方便，可以直接显示读数数字凹坑深度仪产品特点1.大屏幕显示，读数直观。2.用于检测小孔的深度。3.小巧便携
首支硅衬底氮化镓基激光器问世可大幅降低器件制造成本
中科院苏州纳米技术与纳米仿生所研究员杨辉团队在硅上研制出第三代半导体氮化镓基激光器，这也是世界上第一支可以在室温下连续工作的硅衬底氮化镓基激光器。相关研究成果近日刊登在《自然—光子学》。 随着半导体科技的高速发展，科技工作者发现基于传统技术路线来进行芯片与系统之间的数据通信越来越难以满足更快的
300mm大硅片晶体生长的数值模拟研究新进展
300mm大硅片是集成电路制造不可或缺的基础材料，对集成电路产业的发展起着关键支撑作用。针对集成电路制造行业对低氧高阻、近零缺陷等硅片产品的迫切需求，亟需解决大直径、高质量硅单晶晶体生长技术中的氧杂质输运、晶体缺陷调控等基础科学问题，进而开发大直径单晶晶体生长技术，实现特定的晶体杂质、缺陷的人工
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的化学特性
在室温下，GaN不溶于水、酸和碱，而在热的碱溶液中以非常缓慢的速度溶解。NaOH、H2SO4和H3PO4能较快地腐蚀质量差的GaN，可用于这些质量不高的GaN晶体的缺陷检测。GaN在HCL或H2气下，在高温下呈现不稳定特性，而在N2气下最为稳定。
氮化镓的的结构特性
结构特性GaN纤锌矿结构图GaN的晶体结构主要有两种，分别是纤锌矿结构与闪锌矿结构。
氮化镓的的光学特性
人们关注的GaN的特性，旨在它在蓝光和紫光发射器件上的应用。Maruska和Tietjen首先精确地测量了GaN直接隙能量为3.39eV。几个小组研究了GaN带隙与温度的依赖关系，Pankove等人估算了一个带隙温度系数的经验公式：dE/dT=－6.0×10－4eV/k。 Monemar测定了基本的
氮化镓的的电学特性
GaN的电学特性是影响器件的主要因素。未有意掺杂的GaN在各种情况下都呈n型,最好的样品的电子浓度约为4×1016/cm3。一般情况下所制备的P型样品，都是高补偿的。很多研究小组都从事过这方面的研究工作，其中中村报道了GaN最高迁移率数据在室温和液氮温度下分别为μn=600cm2/v·s和μn= 1
氮化镓基无源太赫兹相控阵机制研究获进展
随着无线通信技术的发展，太赫兹波因超宽带、高定向性和高分辨率等优势，成为6G通信的重要频谱资源。然而，频率升高带来的路径损耗加剧和信号源输出功率降低等问题，使系统对高精度、低损耗、大视场的波束控制器件提出严苛要求。近日，中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所秦华团队提出并研制了基于氮化镓肖特基二极管