大分子碳结构有机半导体问世
据美国物理学家组织网8月29日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新突破将会让以塑料为基础的柔性电子设备“遍地开花”。相关研究发表在材料科学领域最著名的杂志《先进材料》上。 美国维克森林大学物理学副教授奥纳·祖切斯库和来自美国斯坦福大学、肯塔基大学、阿巴拉契亚州立大学、英国伦敦帝国理工学院等各个专业领域的科学家携手合作，研制出了这种有机半导体材料。科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。 科学家们指出，在目前的消费市场上，电子产品都很昂贵，主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成，制造成本很高；而碳基（塑料）有机电子产品不仅制造方便、成本低廉，而且轻便柔韧可弯曲，代表了“电子设备无处......阅读全文
晶体管新材料让电子设备“温柔体贴”
手套变成体征随身监测器，智能手机可以叠成小块、平板电脑可以卷进口袋……日前，天津大学李荣金、胡文平教授团队首次利用“二维有机单晶可控制备”新技术，研制出新型高性能有机晶体管材料，为下一步制造高性能柔性红外探测器奠定了材料基础，也这意味着“薄如蝉翼、温柔体贴”的可穿戴电子设备梦想距离实现又前进一大
大分子碳结构有机半导体问世
据美国物理学家组织网8月29日报道，一个国际科研团队首次研制出了一种含巨大分子的有机半导体材料，其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新突破将会让以塑料为基础的柔性电子设备“遍地开花”。相关研究发表在材料科学
美国发现新型二维半导体材料
近日，美国犹他大学发现一种新型二维半导体材料一氧化锡。据了解，该材料可用于制备计算机处理器和图形处理器等电子设备内的晶体管，有助于研制出运行速度更快、更加节约能源的智能手机和计算机等电子设备。 当前，电子设备内晶体管的玻璃基板由许多层三维材料构成，如硅材料。其弊端在于当电子通过时，会在所有层内
美科学家拟研制新式真空晶体管突破摩尔定律限制
据物理学家组织网近日报道，美国科学家在近日出版的《自然—纳米技术》杂志上宣称，他们打算用真空替代硅电子设备作为电子传输媒介，据此研发出的新式真空管有望突破摩尔定律的藩篱，彻底改变电子学的面貌。 科学家们于1947年研制出了半导体晶体管，以替代笨重且低效的真空管。此后，科学家们一直在不断研制
新型有机半导体材料的特性及应用介绍
其结构稳定，拥有卓越的电学特性，而且成本低廉，可被用于制造现代电子设备中广泛使用的场效应晶体管。科学家们表示，最新研究有望让人造皮肤、智能绷带、柔性显示屏、智能挡风玻璃、可穿戴的电子设备和电子墙纸等变成现实。昂贵的原因主要因为电视机、电脑和手机等电子产品都由硅制成，制造成本很高;而碳基(塑料)有机电
常见的半导体材料特点
常见的半导体材料有硅（si）、锗（ge），化合物半导体，如砷化镓（gaas）等;掺杂或制成其它化合物半导体材料，如硼（b）、磷（p）、锢（in）和锑（sb）等。其中硅是最常用的一种半导体材料。有以下共同特点：1．半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间2．半导体受外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著
美研制出最快有机薄膜晶体管－为透明电子设备铺路
这个邮票大小的玻璃上的透明晶体管，运行速度已经能够媲美某些硅晶体管。 据物理学家组织网1月9日(北京时间)报道，美国内布拉斯加林肯大学和斯坦福大学的科学家，制造出了目前世界上运行最快的有机薄膜晶体管，证明了该技术在制造高清显示设备以及透明电子设备上的巨大潜力。相关论文发表在1月8日出版的《
美研制出能在室温工作的石墨烯变频器
美国科学家首次制造出能在室温下工作的石墨烯变频器，克服了用石墨烯制造电子设备时的重要障碍——能带隙。最新研究有望让科学家们用石墨烯制造出数字晶体管，从而大大扩展石墨烯在电子设备领域的应用。 石墨烯是从石墨材料中剥离出来、由碳原子组成的二维晶体，只有一层碳原子的厚度，是迄今最薄
美首次制造出不使用半导体的晶体管
据美国每日科学网站6月21日报道，美国科学家首次利用纳米尺度的绝缘体氮化硼以及金量子点，实现量子隧穿效应，制造出了没有半导体的晶体管。该成果有望开启新的电子设备时代。 几十年来，电子设备变得越来越小，科学家们现已能将数百万个半导体集成在单个硅芯片上。该研究的领导者、密歇根理工大学的物理学家
量子隧穿效应“孵出”能效更高的隧穿晶体管
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
美科学家研制出新型隧穿场效应晶体管
据美国物理学家组织网3月27日(北京时间)报道，美国圣母大学和宾夕法尼亚州立大学的科学家们表示，他们借用量子隧穿效应，研制出了性能可与目前的晶体管相媲美的隧穿场效应晶体管(TFET)。最新技术有望解决目前芯片上晶体管生热过多的问题，在一块芯片上集成更多晶体管，从而提高电子设备的计算能力。
碳纳米管晶体管极具抗辐射能力
美国海军研究实验室电子科技工程师18日表示，他们发现由单壁碳纳米管制作的晶体管(SWCNT)具有在苛刻太空环境中生存的能力。目前他们正在研究电离子辐射对晶体结构的影响，以及支持开发以SWCNT为基础的用于太空辐射环境的纳米电子设备。 实验室材料研究工程师科里·克瑞斯表示，环绕地球外围的电粒
塑料基底晶体管在美研制成功
晶体管中的电介质栅被换成一种双层分子材料 晶体管制造一般是用玻璃作基底材料，这有利于在多变的环境下保持稳定，从而保证用电设备所需的电流。据美国物理学家组织网1月27日报道，美国佐治亚理工大学研究人员最近开发出一种双层界面新型晶体管，性能极为稳定，还能在可控的环境中，以低于150摄氏
全碳电子产品可灵活集成到各种物体表面
韩国蔚山国立科学技术研究所和韩国电工研究所的研究人员采取一种新方法合成出完整的全碳电子设备，包括晶体管、电极、连接线及传感器，大大简化了它们的形成过程。这些价廉的电子设备可被附着在各种物体表面上，包括植物、昆虫、纸、布及人的皮肤。该研究成果刊登在《纳米快报》上。 新方法利用碳独特的原子几何形状
全碳电子产品可灵活集成到各种物体表面
韩国蔚山国立科学技术研究所和韩国电工研究所的研究人员采取一种新方法合成出完整的全碳电子设备，包括晶体管、电极、连接线及传感器，大大简化了它们的形成过程。这些价廉的电子设备可被附着在各种物体表面上，包括植物、昆虫、纸、布及人的皮肤。该研究成果刊登在《纳米快报》上。 新方法利用碳独特的原子几何形状
具有千个晶体管的二维半导体问世
原文地址：http://news.sciencenet.cn/htmlnews/2023/11/512252.shtm
美国：全新“负电容”晶体管－为高效晶体管研发带来希望
2008年，美国普渡大学的一个研究团队曾提出利用负电容原理制造新型低功耗晶体管的概念。近日，加州大学伯克利分校的研究人员通过实验对这一概念进行了验证演示。研究人员利用一层极薄的二硫化钼二维材料半导体层作为临近晶体管栅极的沟道。然后，利用铁电材料氧化锆铪制作新型负电容栅极的关键组件。该研究内已于2
二维半导体材料家族又有“小鲜肉”
据美国犹他大学官网消息，该校工程师最新发现一种新型二维半导体材料一氧化锡（SnO），这种单层材料的厚度仅为一个原子大小，可用于制备电子设备内不可或缺的晶体管。研究人员表示，最新研究有助于科学家们研制出运行速度更快且能耗更低的计算机和包括智能手机在内的移动设备。 一氧化锡这个“小鲜肉”由犹他大学
高性能氮化镓晶体管研制成功
据美国物理学家组织网9月22日（北京时间）报道，法国和瑞士科学家首次使用氮化镓在（100）-硅（晶体取向为100）基座上，成功制造出了性能优异的高电子迁徙率晶体管（HEMTs）。此前，氮化镓只能用于（111）-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体（CMOS）芯片一般
可在p型与n型间转换的新式晶体管问世
据美国物理学家组织网12月21日（北京时间）报道，德国科学家研制出一种新式的通用晶体管，其既可当p型晶体管又可当n型晶体管使用，最新晶体管有望让电子设备更紧凑；科学家们也可用其设计出新式电路。相关研究发表在最新一期的《纳米快报》杂志上。 目前，大部分电子设备都包含两类不同的场效应晶体管：
半导体的基本化学特征
半导体的基本化学特征在于原子间存在饱和的共价键。作为共价键特征的典型是在晶格结构上表现为四面体结构,所以典型的半导体材料具有金刚石或闪锌矿(ZnS)的结构。 由于地球的矿藏多半是化合物，所以最早得到利用的半导体材料都是化合物,例如方铅矿(PbS)很早就用于无线电检波，氧化亚铜(Cu2O)用作固体整流
科技突破！具有千个晶体管的二维半导体问世
据最新一期《自然-电子学》报道，瑞士洛桑联邦理工学院研究人员提出了一种基于二硫化钼的内存处理器，专用于数据处理中的基本运算之一：向量矩阵乘法。这种操作在数字信号处理和人工智能模型的实现中无处不在，其效率的提高可为整个信息通信行业节约大量的能源。 新处理器将1024个元件组合到一个一平方厘米的芯
首块纳米晶体“墨水”制成的晶体管问世
晶体管是电子设备的基本元件，但其构造过程非常复杂，需要高温且高度真空的条件。美韩科学家在《科学》杂志上报告了一种新型制造方法，将液体纳米晶体“墨水”按顺序放置。他们称，这种效应晶体管或可用3D打印技术制造出来，有望用于物联网、柔性电子和可穿戴设备的研制。 据宾夕法尼亚大学官网消息，研究人员在
砷化铟可替代硅制造未来电子设备
据美国物理学家组织网11月23日（北京时间）报道，美国能源部劳伦斯伯克利国家实验室和加州大学伯克利分校的科学家成功地将厚度仅为10纳米的超薄半导体砷化铟层集成在一个硅衬底上，制造出一块纳米晶体管，其电学性能优异，在电流密度和跨导方面也表现突出，可与同样尺寸的硅晶体管相媲美。该研究结
美国科学家在碳纳米管晶体管制造技术上获得一项突破
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科学家日前在碳纳米管晶体管制造技术上获得了一项突破。由其开发出的新型高性能碳纳米管晶体管成功突破了纯度和阵列控制两大难题，在开关速度上获得了比普通硅晶体管快1000倍，比此前最快的碳纳米管晶体管快100倍的成绩。碳纳米管晶体管向正式商用迈出了关键一步。相关论文发表在《
新方法“刻”出最快柔性硅晶体管
美国威斯康星大学麦迪逊分校的科研团队，在4月20日出版的《科学报告》杂志上撰文称，他们使用一种独特方法，研制出了处理速度最快的柔性硅基晶体管，能无线传输数据和能量，有望用在包括可穿戴电子设备和传感器等在内的诸多领域。 目前这一柔性硅晶体管的截止频率为创纪录的38吉赫兹（GHz），而模拟表明，其
我国科研人员为氧化镓晶体管找到新结构方案
26日，记者从中国科学技术大学获悉，该校微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台，分别采用氧气氛围退火和氮离子注入技术，首次研制出了氧化镓垂直槽栅场效应晶体管。相关研究成果日前分别在线发表于《应用物理通信》《IEEE电子设备通信》上。 作为新一代功率半导体材料，氧化镓的p型掺杂目前
世界最小！美国麻省理工学院团队研制出全新纳米级3D晶体管
美国麻省理工学院团队利用超薄半导体材料，成功研制出一种全新的纳米级3D晶体管。这是迄今已知最小的3D晶体管，其性能和功能可比肩甚至超越现有硅基晶体管，将为高性能节能电子产品的研制开辟新途径。相关论文发表于5日出版的《自然·电子学》杂志。 新型晶体管的“艺术照”。图片来源：美国麻省理工学院官网
扩大功率半导体产能，全球再添一座12英寸晶圆厂
近日，东芝电子元件及存储装置公司（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）宣布，将在日本石川县的主要分立半导体生产基地（加贺东芝电子公司）建造一座新的300毫米晶圆制造工厂，用于生产功率半导体。Source：东芝官网 据介绍，该晶圆厂的
自旋电子器件制造工艺获新突破
美国明尼苏达双城大学研究人员和国家标准与技术研究院（NIST）的联合团队开发了一种制造自旋电子器件的突破性工艺，该工艺有可能成为半导体芯片新的行业标准。半导体芯片是计算机、智能手机和许多其他电子产品的核心部件，新工艺将带来更快、更高效的自旋电子设备，并且使这些设备比以往更小。研究论文发表在最近的《先